Способ измерения деформаций
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 502210
Автор: Богданов
Текст
(51) Л. Кл.е б 01 В 11/18 Государственный комитет Совета Министров СССР па делам изобретенийи открытий(54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ДЕФОРМАЦИЙ Изобретение относится к технике оптических методов исследования напряженно-деформированного состояния деталей машин и строительных конструкций.Известен способ измерения деформаций с использованием фотоупругих поюрытий, заключающийся в том, что на поверхность исследуемого объекта наносят покрытие с наружным фотоупругим и внутренним светоотражающим слоем, направляют на него поляризованный световой луч, нагружают исследуемый объект и по измеренной разности фаз отраженного луча, прошедшего дважды через фотоупругое покрытие, определяют деформацию объекта с помощью тарировочной кривой,Недостатком известного способа является его сложенность, поскольку в этом случае применяются поляризатор и анализатор света и сложные компенсаторы (типа иммерсионного компенсатора, компенсатора Бабине-Солейля и т. д.). Кроме того, известный способ не позволяет измерять деформации в любой точке поверхности исследуемого объекта,Цель изобретения - упрощение процесса измерения и обеспечение возможности измерения деформаций,в гоюбой точке поверхности исследуемого объекта.Это достигается тем, что в качестве наружного слоя покрытия наносят светопоглощающий слой, после нагружения объекта измеряют силу света, дважды прошедшего через светопоглощающий слой, и по величине измеренной силы света с помощью тарировочной кри вой определяют величину деформации.На чертеже изображена общая схема измерения деформаций.Луч света 1 от источника света 2, пройдядважды через светопоглоща 1 ощпй слой 3 и 10 отразившись от светоотражающего слоя 4,нанесенных на поверхность исследуемого объекта 5, попадает на фотоэлемент 6, измеряющий силу света, Последняя зависит от плотности светопоглощающего слоя 3, которая в 15 свою очередь зависит от величнны,деофрмации в даннои точке поверхности объекта.Суть изобретения состоит в следующем.На поверхность объекта наносят двухслойное покрытие с внутренним светоотражаю щим и наружным светопоглощаощнм слоем,освещают его лучом света и нагружают исследуемый объект, что приводит к деформнрованию светопоглощающего слоя. Затем с помощью фотоэлемента измеряют силу света, 25 прошедшего дважды через светопоглощающий слой, и по измеренному значению с помощью тарировочной кривой определяют величину деформаций. Компактность оптической схемы, реализующей данный способ, по зволяет использовать его для измерения дс502210 Предмет изобретения Составитель Е, Подпалый Техред В. РыбаковаКорректор О. Тюрина Редактор Н. Петрова Заказ 934/2 Изд,255 Тираж 864 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 формаций практически в л 1 обой точке поверхности объекта. Способ измерения деформаций, заключающийся в том, что на поверхность исследуемого объекта наносят двухслойное покрытие с внутренним светоотражающим слоем, направляют на него луч света, нагружают исследуемый объект и по измервнному состоянию отраженного луча с помощью тарировочной кривой определяют величину деформации, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса измерения и обеспечения возможности измерения деформаций в лю бой точке поверхности исследуемого объекта,в качестве наружного слоя покрытия наносят светопоглощающий слой, после нагружения объекта измеряют силу света, дважды прошедшего через светопоглощающий слой, и по 10 величине измеренной силы света с помощьютарировочной кривой определяют величину деформации.
СмотретьЗаявка
1959749, 17.09.1973
НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ СТРОИТЕЛЬНЫХ КОНСТРУКЦИЙ
БОГДАНОВ РОДИОН ДМИТРИЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01B 11/16
Метки: деформаций
Опубликовано: 05.02.1976
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-502210-sposob-izmereniya-deformacijj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения деформаций</a>
Способ измерения деформаций внутри исследуемого образца из оптически непрозрачного материала
Номер патента: 920373
Опубликовано: 15.04.1982
Авторы: Геращенко, Котельников, Легинов, Фахти
МПК: G01B 15/06
Метки: внутри, деформаций, исследуемого, непрозрачного, образца, оптически
...координатные сетки различной конфигурации.Координатные сетки наносят, например, на заточном станке острозаточенным кругом и в полученные углубления вносят краску или микропорошок. Координатные сетки можно также наносить путем глубокого вакуумирова-, ния рентгенонепроницаемого материала в исследуемые слои при помощи трафаретов различной конфигурации для каждого слоя, После нанесения сеток слои соединяют, например склеивают, и делают эталонный снимок, Затем многослойный образец подвергают испытаниям и регистрируют при помощи рентгеновской съемки изменения коор3 920373динатных сеток каждого .исследуемогослоя. Сравнивая полученные снимки сэталонным, судят о дефЬрмациях всехисследуемых слоев,Составитель Е, ЩелинаРедактор О, Персиянцева...
Способ определения плотности зарядов двойного электрического слоя в контакте диэлектрических частиц с твердой поверхностью
Номер патента: 1420505
Опубликовано: 30.08.1988
Авторы: Дерягин, Корпусов, Михович, Муллер, Топоров
МПК: G01N 27/60
Метки: двойного, диэлектрических, зарядов, контакте, плотности, поверхностью, слоя, твердой, частиц, электрического
...максимальный радиус площади контакта;5 л 1-г (ка К( - ---Ч ) (5)4 Е 16 -.,А = - -ба Ф 3(6) где. б - средняя плотность заряда наобкладках, имеющих формукруга радиуса а.Когда скорость столкновения частицы с преградой Ч меньше критической скорости Ч (частица прилипает), Ек с А. Когда скорость столкновения частицы с преградой Ч ) Ч , Ек .ъ А,При критической скорости Ч откр вечающей началу отскока: Е = А. (7)Подставляя в выражение (7) значения Ек из (2) и А из (б) с учетом (3) и (5)имеем216 . - 2 3 4 3 Ч- "- л б а = - -К3 3 2В контакте частицы с поверхностью мишени образуется двойной электрический слой, который можно рассматривать как заряженный плоский конденсатор. В этом случае процесс нарушения контакта эквивалентен процессу разведения...
Способ нанесения слоя эрозийностойкого материала переменной толщины на рабочую поверхность реактивного сопла
Номер патента: 148302
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Иванов
МПК: B05B 17/00, B64D 33/04
Метки: нанесения, переменной, поверхность, рабочую, реактивного, слоя, сопла, толщины, эрозийностойкого
...переменной толщины на рабочую поверхность реактивного сопла, например ракетного двигателя, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью соответствия толщины наносимого слоя величине эрозийного износа, сопло равномер но вращают относительно продольной оси и наносят слой покрытия при помощи, например газопламенной горелки-распылителя, которой сооб. щают равномерное продольное относительно сопла движение и обеспечивают перемещение головки горелки эквидистантное профилю сопла Составитель описания М. Н Фейгельсон Редактор В. В. Хазова Техред А. А. Камышникооа Корректор В, Андрианов Объем 0,18 изд. л. Цена 4 ког вете Министров СССРГароди. к печ. 6.Иг,Зак, 5558 ЦБТИ Комитета по делам МоскаФормат бум. 70 Х 1081/и Тираж 600изобретений и открытий...
Устройство для автоматического контроля геометрических размеров объекта при деформации
Номер патента: 1219915
Опубликовано: 23.03.1986
Авторы: Коротынский, Лунин, Махненко
МПК: G01B 7/16
Метки: геометрических, деформации, объекта, размеров
...координате Х, соединены с входами первого дифференциального усилителя 14, а выходы, сигналы на которых пропорциональны координате У - с входами второго дифференциального усилителя 15. Таким образом, напряжения на выходах дифференциальных усилителей 14 и 15 соответственно равны13 х = 1.1 х - 11 щ г фгде 13 х, 1.1,о - координаты положения лазерного луча относительно неподвижной оснастки;11 х,1.1 у - координаты контролируемойточки оси свариваемого объекта 9 относительно лазерноголуча;0 х, О т - координаты контролируемойточки оси свариваемого объекта 9 относительно неподвижной оснастки.На вход второго блока 13 управления реверсивным двигателем поступает код Хсоответствующий координате Х контролируемой точки. Код И,...
Способ определения положения и формы скрытых слоев на кремниевых полупроводниковых подложках с эпитаксиальным слоем
Номер патента: 1277840
Опубликовано: 27.06.1995
Авторы: Прохоров, Романова, Янсон
МПК: H01L 21/306
Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.