Контактное устройство

Номер патента: 1766214

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Валеев, Железнов, Красников, Кузнецов, Лезгян, Наливайко

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, рельефа, сглаженного, создания, схемах

1. СПОСОБ СОЗДАНИЯ СГЛАЖЕННОГО РЕЛЬЕФА В ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, включающий формирование на полупроводниковой подложке с активным и пассивным элементами проводников различной ширины, нанесение диэлектрической пленки, формирование фоторезистивной маски с окнами над центральной частью проводников, травление диэлектрической пленки, удаление фоторезиста и формирование переходных контактных окон, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет упрощения и повышения воспроизводимости процесса сглаживания диэлектрика, наносят диэлектрическую пленку толщиной h 2,5 d, где d - толщина проводников, травление диэлектрической пленки проводят жидкостным методом на глубину,...

Номер патента: 734833

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Домеников, Кудрявцев, Михайлов

МПК: H01L 21/66, H05K 1/11

Метки: интегральных, испытания, схем

...винты обозначены позицией 20,контактные выводы - 21 и оси - 22.Устройство работает следующим об- Юразом,Интегральные схемы укладываютсявыводами в направляющие пазы подвижных планок 10 и 11 на контакты 12, Взависимости от ширины корпуса расстояние между подвижными планками регулируется путем перемещения их по направляющим пазам 16 и 17 и стопоритсявинтами 20, Затем спускают вниз подвижные гребенки 2 с пружинными контактаЭОми 3, которые выходят из зацепления сконтактами 14 и 15 и, повернув крьпыки13 вокруг осей 22, укладывают испытуемые интегральные схемы своими выводами на контактах 12, обеспечивая пер 35вое контактирование. Крышки 13 закрывают на защелки 18, и пружинные контакты 14 и 15, вмонтированные в поворотные крышки 13...

Номер патента: 965239

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Больших, Диковский, Каусова

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, кремниевых, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления кремниевых полупроводниковых приборов и интегральных схем, включающий создание контактных окон в диэлектрике с помощью фотогравировки, очистку поверхности сильнолегированного кремния в окнах травлением в травителях, содержащих плавиковую кислоту, и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения воспроизводимости электрических параметров приборов и повышения выхода годных структур, перед очисткой поверхность кремния в окнах дополнительно окисляют в атмосфере увлажненного кислорода при температуре 873 973К в течение 10 30 мин и очистку травлением поверхности кремния в окнах проводят при освещенности 1 10 лк.

Номер патента: 1008823

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Зырянов, Орлов

МПК: H01L 21/77

Метки: интегральных, кассета, схем

...направляющие ребра 5, выполненные из металла для снятия статэлектричества. С противополож; ных сторон основания 1 между каждой парой направляющих ребер 3 н углубле-. 65 ниях установлены фиксирующие замки б Г-образной формы, которые установлены на оси 7 и снабжены пружиной 8, С обратной стороны основания имеются прорези 9, в которых закреплены оси 7.Крышка 2 фиксируется на основании с Помощью штифтов 10 и отверстий 11.Крышка устанавливается так, что между направляющими ребрами основания и крышки имеется зазор 12, который задается упорными ножками 13 . Величина зазора зависит от толщины выводон . Каждая пара направляющих ребер основания и крышки в сборе образует закрытый канал для интегральных схем, который соответствует размеру корпуса...

Номер патента: 1415476

Опубликовано: 07.08.1988

Автор: Бугаец

МПК: H05K 1/11

Метки: интегральных, контактирующее, кристаллов, монолитных, свч, схем

...в гнездо 8, образованное прямоугольным отверстием 3 и плоскостьюпьедестала. Кристалл накрывается элас.томерным разъемом 11 (фиг.1). При визуальном наблюдении с помощью микроскопа золотые контакты 13 совмещаютс контактными площадками на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4,и подается разряжение (форвакуум) . Это обеспечивает надежный электрический контакт экрана кристалла 14 с металлическим основанием 1, а также замыкание с помощью контактов 13 на пленке 12 соответствующих контактных площадок на кристалле 14 и диэлектрической подложке 4, или выступом 2 на металлическом основании 1 (корпуса)После этого включаются питающие напряжения, подаются измерительные сигналы и производятся измерения соответствующих электрических...