Устройство дляизмерения силы нажатия контактов

Номер патента: 673941

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Валитов, Ландэ, Осинцев, Пестрякова

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп, модель, полевого, транзистора

...широких пределах пороговым напряжением и крутизной, причем имитируемый транзистор может работать по любой из известных схем включения.На чертеже представлена блок-схема модели МДП-транзистора.Описываемое устройство содержит входной МДП-транзистор 1, усилитель постоянного тока 2, блок зашиты выходного транзис. тора 3, выходной МДП-транзистор 4, блок индикации перегрузки 5, блок обратной связи 6, блок сдвига уровня 7, клемму затвора модели 8, клемму сброса защиты 9, клемму стока модели 1 О, клемму истока модели 11, клемму регулирования порогового напряжения 12, клемму регулирования крутизны 13.Устройство работает следующим образом.При нулевом напряжении на клемме затвора модели 8 выходное напряжение уси 15 20 25 З 0 зз лителя постоянного...

Номер патента: 1118245

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, свч-транзистор

ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, на которой сформирован буферный слой из широкозонного полупроводника, на котором расположен активный слой из узкозонного полупроводника с электродами истока, стока и затвора, отличающийся тем, что, с целью увеличения максимальных частот усиления по току и по мощности, активный слой под электродом затвора выполнен неравномерно-легированным, при этом концентрация легирующей примеси в направлении электрод истока-электрод стока монотонно возрастает от значения соответствующего концентрации остаточных примесей до значения соответствующего концентрации примесей в буферном слое, а концентрация примесей в буферном слое на 4 5 порядков превышает концентрацию остаточных примесей в активном слое.

Номер патента: 574643

Опубликовано: 30.09.1977

Авторы: Игнатов, Майзельс, Нилов, Удалов

МПК: G01L 5/10

Метки: контактах, магнитоуправляемых, сварки, сил, электродов

...заключающийся в создании в области контакта электродов силы, разрывающей их контакт, и измерении силы разрыва 2.Такой способ характеризуется тоже низкой точностью измерения.Цель изобретения заключается в повышении точности измерения,Указанная цель достигается за счет того, что магнитоуправляемые контакты помещают в переменное неоднородное поле электромагнита, увеличивают плавно ток электромагнита до момента разрыва электродов, причем момент разрыва электродов определяют по На чертеже приведена принципиальная схема устройства, реализующая способ измерения сил сварки электродов в магнитоуправляемых контактах.10 Цепь магнитоуправляемых контактов состоит из магнитоуправляемых электродов 1, источника 2 питания и амперметра 3.Цепь...

Номер патента: 521552

Опубликовано: 15.07.1976

Авторы: Белых, Нилов, Удалов

МПК: G05B 23/02

Метки: герконах, контактного, нажатия, сил

...помощью данного задатчика эталонной силы.Вместе с этим рассмотрим физические условия, создаваемые задатчиком эталонной силы, которые необходимы для измерения СКН.Обозначим основные размеры геркона (см. фиг, 2)- длина каждого контакта внутри баллона,- область перекрытия контактов - участки замыкания, 3 - ширина контактов, с - толщина контактов,Х - зазор между контактами.Для известнык герконовх(д с 01) З(1 о,о 4Для измерения СКН геркон помещают в отверстие 4, замыкают его контакты полем катушек 3 и приводят его плавно во вращательное движение электродвигателем 1 вокруг собственной оси 00 или параллель ной ей оси 00.Участки контактов ( 1 ) внутри баллона геркона обладают центрами инерции С 1 и С (см. фиг. 3).При вращении геркона возникают...

Номер патента: 1621817

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Александер, Владимир, Томас

МПК: H01L 29/78

Метки: затвором, изолированным, мощный, полевой, транзистор

...следовательно, устройство будет работатьв качестве устройства р-канала, а неустройства п-канала,Два истока помещаются на одной итой же поверхности полупроводникового7 6рабатывания способности выдерживать высокое обратное напряжение, и глубину, зависящую от необходимого обратного напряжения для данного устройства. Таким образом, для 400 В-ного устройства нижняя и -область может иметь глубину порядка 35 мкм, в то время как для 90 В-ного устройства она имеет глубину порядка 8 мкм. Другие глубины выбирают в зависимости от требуемого обратного напряжения устрой" ства для обеспечения получения необходимой более толстой области истощения, требуемой для предотвращения пробоя во время состояния подачи об-, ратного напряжения. Более верхнюю...