Емкостный преобразователь
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 486265
Автор: Ветров
Текст
(22) Заявлено 20,06.73 (21) 1932397/26-2 с присоединением заявки23) Г 1 риорйтеттублнкова 1 го 30,09,75. Вюллс Гасударственный коми Совета Мн ов СССР(088.8) нь ЛЪ 36 по делам нзобретеннэ н отнрытнй) Авторизобретения В ) Заявитель Ленинградский ордена Ленинтехнологическ В. Ветрови ордена Трудового Красного Знамениинститут им. Ленсовета 54) ЕМКОСТН Ый П РЕОБРАЗОВАТЕЛ Ь вать и регулцессы,вать технологические про зображен предлагаемыватель с рассеянным палентная электрическтя.тель содержит лпэлектленку 2 из парамагнискпе электролы 3.проводимостях всщеста 1, (индуктивностьренебречь, и полнаязователя будетемкостолем; на ая схема На фиг. 1 и ный преобразо фиг. 2 - эквив преобразовате Преобразова полложку 1, и электрика, пло При малых нием параметр ЛОВ) МОЖНО П мость преобраемкостные преобразов оские электроды на диэ е, имеют значительную между электродами за атели, со- чектриче- паразитсчст полпческую ого лпва влпя- электро- проводишение паразитами и возможсобственной инЦель изобретения - уменьной емкости между электродность получения управляемойдуктивности преобразователя.Предлагаемый емкостный преобразователь отличается от известного тем, что в нем между электродами и диэлектрической подложкой имеется слой парамагнитного диэлектрика с нелинейной магнитной проницаемостью,Такое отличие позволяет скомпенсировать паразитную емкость между электродами и управлять собственной индуктивностью преобразователя. Компенсация паразитной емкости в самом преобразователе позволяет увеличить его информационный к,п.д., а возможность управления индуктивностью позволяет получить бесконтактный модулятор сигнала в самом преобразователе и тем самым лает возможность с большей эффективностью контролиро 6;,+ шС где С,и 6 разоватсля с 1., - инду 20 МаГНИтНУЮ П Параметр проницаемос щины. Выб толщину па 1 25 пенсировать теля, а изме Ьможно н вспомогател Преобразо 30- емкость и проводимость преоб.контролируемым материалом. ктивность электродов через пара- ленку.Е. является функцией магнитной ти парамапштного слоя и его толрая соответствующим образом амагнитного слоя, можно скомпаразнтную емкость преобразованять собственную пнлуктивность апример, изменяя напряженность ьного электромагнитного поля.ватель работает следующим обраИзобретение одиэлектрическихров вещества, нвлажности, химитава.Известныедержащие плской подложкную емкостьложки,носится к области измерения и технологических параметпример его концентрации ческого и структурного сосН 11 4862651, Семенов корректор О, ТюРин Подппсно тров СССР/5 Типо рагр нн нр Сапунова, 2 3Преобразователь с парамагнитной пленкой, например из феррита, помещают в контролируемую среду. Полная емкость между электродами складывается из паразитной емкости через подложку С, и через слой парамагнитного диэлектрика Сс и из емкости через контролируемую среду - С; См=С,+Се+С.1При о(Си+Се)= - происходит компенса, -сция паразитпой емкости преобразователя. При этом емкость преобразователя пропорциональна контролируемому физическому параметру среды, например влажности. Помещая преобразователь с контролируемым материалом во 12 Изд. М 1855 131 П 1 ИП 14 Гссударс 1 нснногопо делам изоо113035, Москва, )Квспомогательное электромагнитное поле, получают возможность управлять собственной индуктивностью электродов через магнитную проницаемость парамагнитной пленки, завися щей от напряженности вспомогательного поля. Предмет изобретенияЕмкостный преобразователь, содержащийплоские электроды на диэлектрической под ложке, отличающийся тем, что, с цельюуменьшения паразитной емкости, между электродами и подложкой помещен слой из диэлектрика с нелинейной магнитной проницаемостью, например феррита.
СмотретьЗаявка
1932397, 20.06.1973
ЛЕНИНГРАДСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. ЛЕНСОВЕТА
ВЕТРОВ ВАЛЕНТИН ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G01N 27/22
Метки: емкостный
Опубликовано: 30.09.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-486265-emkostnyjj-preobrazovatel.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Емкостный преобразователь</a>
Устройство для измерения зависимости емкости конденсатора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник от велечины поверхностного электростатического потенциала
Номер патента: 693276
Опубликовано: 25.10.1979
Автор: Рагаускас
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: велечины, емкости, зависимости, конденсатора, металл-диэлектрик-полупроводник, поверхностного, потенциала, структурой, электростатического
...идеализированные теоретические зависимости.Второе из известных устройств содержитгенератор линейно изменяющегося напряжения, аналоговое дифференцирующее устройством, образованное операционным усилителем и исследуемой МДП-структурой, ко торая включена между выходом генератора и инвертирующим входом операционного уси лителя, и осциллограф 2. Это устройство также не обеспечивает измерения зависи мости емкости МДП-структуры от величиныповерхностного электростатического потенциала.. Брызгаовая Составитель ЮТехред О. ЛугТираж 1073Государственного клам изобретений иква, Ж - 35, РаушсПатент, г. Ужгоро Редактор И, Нестеро Заказ 6066/1 6р Н. Стене митета С открытий кая наб.,ул. Про ЦНИИПИпо д 113035, Мо лиал ППП д. 4(5 ктная, 4 времени,...
Способ определения степени загрязнения электродов манометрических преобразователей
Номер патента: 711396
Опубликовано: 25.01.1980
МПК: G01L 21/34
Метки: загрязнения, манометрических, преобразователей, степени, электродов
...приведены осциллограммы изменения разрядного тока привключении напряжения питания с крутымначальным фронтом. Здесь 5 - изменение напряжения питания, 6 - измененеразрядного тока во времени,На фиг, 3 приведены осциллограммыизменения разрядного тока. Здесь 7изменепие напряжения питания, 8 - изменение разрядного тока после выдержкиприбора в выключенном состоянии в течение времени Ь 1, 9 - установившеесязначение разрядного тока.Реализация способа производится следующим сбразом,От источника 3 подается напряжениепитания с крутым, начальным фронтом.Между электродами 1 и 2 возникает газовый разряд в скрещенных магнитноми электрическом полях. Под действиемионной бомбардировки молекулы, сорбированные на поверхности электродов,досорбируются...
Состав для рабочего слоя носителя магнитной записи
Номер патента: 992553
Опубликовано: 30.01.1983
Авторы: Каряев, Путный, Сакварс, Тимофеев
МПК: C09D 5/23
Метки: записи, магнитной, носителя, рабочего, слоя, состав
...силой 250-340 Э 8,0-19,0Диалкилполигликоле"вый эфир ортофосфорнойкислоты 0,1-0,8Сополимер винилхлорида с винилиденхлоридом 10,0-20 0Дибутилфталат 0,1-0,8Бутилацетат 8,0-11,0Ацетон 8,0-11,0Толуол ОстальноеВ качестве сополимера винилхлорида с винилиденхлоридом используют сополимер марки ВХВД0 СТ б"01-19" 75,Состав готовят следующим образом.В шаровую мельницу емкостью 100 л загружают, вес.Ъ:Магнитнаяу"окисьжелеза (НсЭ) 10,0Магнитная-окисьжелеза(Нс-340 Э) 19,0Диалкилполигликоле"вый эФир ортофосфорной кислоты Магнитная -окись железа (Нс =фф 100-140 Э) Магнитная т "окись железа (Нс- 250-340 Э) Диспергатор - диалкилполигликолевыйэфир ортофосфорной кислоты Сополимер винилхлорида с винилиденхлорндом Дибутилфталат 0,1Бутилацетат...
Состав для рабочего слоя носителя магнитной записи
Номер патента: 1032001
Опубликовано: 30.07.1983
Авторы: Бакало, Белик, Боголюбский, Боровенский, Дунаев, Елисеев, Никонов, Рупышев, Сапрыкина, Серяков
МПК: C09D 5/23
Метки: записи, магнитной, носителя, рабочего, слоя, состав
...2Полиэфируретановаясмола с гидроксильным числом 4-10 2,5-6,0 50Сополимер винилиденхлорида с акрилонитрилом 0,8-4,0Ацдукт 2,4-толуилендиизоцианата с триметилолпропаномПластификаторРастворитель ЛцетилацетонатЖелеза (111) ОстальноеПолнэфируретановая смола представляет собой продукт взаимодействияадипиновой кислстй и 1,4-бутандиолаили полифурита с ароматическим диизоцианатом (дифенилметандиизоцианат;2,5-толуилендиизоцианат) с гидроксильным числом 4-10.Используемый сополимер винилиденхлорида с акрилонитрилом содержит1 5-25 нитрильных групп, а триизоцианат - аддукт 2,4-толуилендиизоциана.та с триметилолпропаном - содержит11 -1 4% ИСО- групп,В качестве магнитного наполнителяиспользуют магнитную у -окись железаи двуокись хрома.В качестве...
Порошковый магнитный материал рабочего слоя носителя магнитной записи
Номер патента: 1164792
Опубликовано: 30.06.1985
Авторы: Донец, Дунаев, Иванова, Иванченко, Лаврененко, Ставинчук
МПК: G11B 5/706, H01F 1/36
Метки: записи, магнитной, магнитный, материал, носителя, порошковый, рабочего, слоя
...количестве 13 л) для поддержания постояннойвепичины рНсреды до 5-6 в процессе окисления, После завершения синтезапигмент обрабатывают раствором КОН до рН = 8"9,5 и прамывают водой дорН = 7+0,5, При этом контролируют содержание ионов К на последней стадии промывки, Полученный продукт перерабатывают в у-окись железа известным способом, который заключается в следующем. Железоокисныйпигмент содержащий 0,50+0,05 мас.% К, обезноживают при 400+50 С, восстанавливают водородом при той же температуре и окисляют кислородом воздуха при 240+40 С до игольчатой у-окиси железа.В реактор емкостью 100 л заливают 32 л раствора ацетата кобальта с концентрацией 65+5 г/л, При непрерывном перемешении вводят тонкоизмельченную у-окись железа в количестве 5,85...
Предыдущий патент: Способ определения морозостойкости эластомеров
Следующий патент: Индикаторный мембраный ион-селективный электрод
Случайный патент: Устройство для транспортирования каскадно-поступающей печатной продукции