Амплитудный дискриминатор импульсов

(11) 481985 Союз Советских Социалистических Уеспубпик(Ы)М, К 4 присоединением заявки Е 5/ Гасударственный комитет Совета Министров СССР ео делам нзооретенв и открытийфЗ) Приоритет -43) Опубликовано 25,08.75 Бюл 45) Дата опубликования описа летень 31 Ф) УДК621.374.3, А, М, Ализаде, Ю, Б, Лешин Азербайджанский институт нефти и хими1) Заявительим. М, Азизбекова 4) АМПЛИТУДНЫЙ КРИМИНАТОР ИМПУЛЬСОВ зйс Еой а, а исток трицательной ш и дис тат ного сит кл, одно а наеходногона напряжения ря чему с жиме. При ульса на в апзистор 3 по ач ведиИзобретение относится к импульснойтехнике и ожет использоваться в эксперимепщьои ядерной физике, в частности, в схемах амплитудных анализаторов.Известный амплитудный дискриминатор импульсов, содержащий ждуший релаксационный генератор на однопереходномтранзисторе, между эмиттером и первойбазой которого включен копденсатор, причем первая база подключена к положительному полюсу источника питания, а междуполюсами источника включен потенциометр,средняя точка которого подключена кэмиттеру транзистора, обладает малойчувствительностью и температу;ой стабильностью.Цель изобретения - увеличение чувствительности и повышение температурнойстабильности устройства,Достигается это за счет того, что ицепь иторой базы однопореходюго транзистора вклочен полевой транзистор, назатвор которого поданы дискриминирующие импульсы, сток которого соединенсо второй базой однопереходного тран-. источника питания,На чертеже приведена схема амплитудного дискриминатора.Амтитудньтй дискриминатор вьполнев виде ждушего релаксатора на однопереходном транзисторе 1, накопительномконденсаторе 2, В цепь второй базытранзистора 1 последовательно включенсток полевого транзистора 3, исток которого подключен к отрицательному полюсу источника витания 4. йискриминируемый сигнал подается на затвор полевого транзистора 3 через КС цепочку,состоящую из резистора 5 и конденсатора б,Работает амплитудньследуощим образом,При отсутствии вход20 пряжение включениятранзистора 1 большеэмттере благоданаходится в ждущем редискрииинируемого нм25 устройства, полевой тр3 ьех ставитель В.Назаров хред И.Карандашова Корректор .Л Денис е д а кто р Е,Гончар зд. М Щ Тираж 902 Зака писное НИИПИ Государственного комитета Совета Министров ССС 1по делам изобретений и открытийМосква, 113035, Раушская наб 4 дприятие Патент, Москва, Г.59, Бережковская наб 24 кивает свое сопротивление, что вызывает уменьшение межбазового напряжения однопереходного транзистора 1 и соответственно уменьшается его напряжение включения, При выполнении условия 9 вкл,О,в схеме происходит регенеративный процесс разряда накопительного конденса-, тора 2 до напряжения выключения Овыкл. однопереходного транзистора 1, При этомна второй базе однопереходного транзистора 1 формируется выходной импульс,Меняя напряжение на эмиттере однопереходного транзистора с помощью переменного резистора, каким является полевой транзистор 3, можно регулировать в широких пределах порог дискриминации.Так как температурный коэффициент сопротивления сток-исток полевого тралзистора 3 имеет одинаковый знак с температурйым коэффициентом межбазового сопротицления однопереходного транзистсьра 1, то напряжение включения транзистора 1 оказывается температурно независимым.Такое выполнение схемы дискриминатора позволяет получить следующие параметры: порог дискриминации порядка 7 - 8 мв;динамический диапазон 800 и нестабильность порога дискриминащти в диапазонеотемператур 20 - 60 С не хуже 0,1 % 5 на 1 С. Предмет изобретения Амплитудный дискриминатор импульсов, 19 содержащий ждущий релаксационный генератор на однопереходном транзисторе между эмиттером и первой базой котороговключен конденсатор, причем первая базаподключена к положительному полюсу ис точника питания, а между полюсами источника включен потенциометр, средняя точкакоторого подключена к эмиттеру транзистораУо,тл ич а ю щий с я тем что с.целью увеличения чувствительности и повы щения температурной стабильности в цепьвторой базы однопереходного транзисторавключен полевой транзистор, на затвор ко-.торого поданы дискриминирующие импульсы,сток которого соединен со второй базой 25 однопереходного транзистора, а исток -с отрицательной шиной источника питания,