G05F 3/26 — токовые зеркала

Номер патента: 1410006

Опубликовано: 15.07.1988

Авторы: Гольдшер, Зубец, Лашков, Стенин

МПК: G05F 3/26

Метки: источник

...раз превышающей площадь змиттератранзистора,З формирует коллектор у55ный ток также в заданное количествораз больший, так как плотность токовэмиттерных переходов транзисторов3 и 4 определяется одними и теми жеВеличина выходного тока 1 устВЫх ройства (при равных напряжениях на коллекторах транзисторов 1 и 2) определяется соотношением Ы с(ВЬх Вх и3Ы, - О,Ь " коэффициенты переда"чи тока эмиттера тран"зисторов 1-4; где законами. Базовые токи этих транзисторов поступают из истока полевоготранзистора 5 червз элементы 6 и 7смещения, Если площадь эмиттеровтранзисторов 1 и 2, выполненных в одном технологическом цикле, также находится в заданном соотношении, плотности протекающих через них токовравны, то равны также и относительные части токов...

Номер патента: 1552162

Опубликовано: 23.03.1990

Авторы: Арсеньев, Иванов

МПК: G05F 3/26

Метки: источник, опорного

...нагрузки и равно падениюнапряжения на управляющих выводахМОП-транзисторов 1, 2 и 4 относительно первого вывода истоцника 7 питания, Выходное эталонное напряжение11 определяется в первом приближениидвумя составляющими. пороговым напряжением О МОП-транзисторов 1, 2 и 4 и напряжением 11, . При условии равных крутизн К МОП-транзисторов 1, 2и 4 напряжение ц приблизительно равно= ,. +-(О, -)/2 ККгде В- эквивалентное сопротивление элемента 6 нагрузки. Очевидно, что выходное напряжение Оо стабилизировано относительно изменения напряжения питания, от которого оно практически не зависит, при этом напряжение О в свою очередь, также стабильно относительно напряжения питания.Температурная зависимость выходного напряжения 11 О определяется, главным...