Способ определения группы симметрии позиции парамагнитных центров в монокристалле

Номер патента: 1260789

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Важенин, Стариченко

МПК: G01N 24/10

Метки: варианты, времени, дипольных, его, комплексов, кристаллах, ориентационной, парамагнитных, релаксации

...образец второй импульс той же амплитуды и длительности, но другого знака, в результате чего образец переходит в другое монодоменное состояние, т. е. направление спонтанной поляризации (спонтанной деформации) изменится. Времена релаксации , которые можно измерять по временной зависимости интенсивности ЭПР- сигнала после второго импульса, ограничены неравенством т ) 3( (быстрее процессы искажены переориентацией доменов) . Для получения максимальной амплитуды временной зависимости интенсивности нужно, чтобы ко второму импульсу концентрации дипольных комплексов были практически равновесными. Это достигается при Т) Зт, Следовательно, длительности импульсов электрического поля (механического напряжения) и интервал между ними должны...

Номер патента: 408257

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Адрианова, Бережной, Куликова, Письменный, Попов

МПК: G02F 1/03

Метки: модулятор, света

...поясцено чертежами.На фиг. 1 приведена схема модулятора; цафиг. 2 схема электрооптического элемента.Модулятор света содержит поляризатор 1,короткофокусные объективы 2, электрооптический элемент 3, анализатор 4, блок управления 5 модулятором.Электрооптический элемент содержит(фиг. 2) электроды 6, кристаллический элемент 7 с полированными плоскостями 1001,проводники 8 для подведения управляющихнапряжений, 9 падающий на кристалл лучсвета, электрический вектор которого параллелен направлению 1101 или 11 О,Поляризатор в модуляторе располагают таким образом, чтобы плоскость поляризациилуча совпадала с плоскостью кристалла 110или 110. Электрическое поле прикладываютвдоль направления О 01, В этом случае индуцировацную разность фаз для...

Номер патента: 1105794

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Милов, Пусеп

МПК: G01N 24/10

Метки: парамагнитных, плотности, распределения, центров

...магнитного поля, что при переходе к ЭПР-спектроскопии значительно су 45 жает возможную область исследований. Цель изобретения - расширение области применения.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу измерения распределения плотности парамагнитных центров, при котором воздействуют на образец радиочастотным импульсом заданной продолжительности и интенсивности, после чего воздействуют на 55 образец импульсами неоднородного магнитного поля заданной конфигурации, продолжительности и интенсивности,после окончания воздействия импульсами неоднородного магнитного поля воздействуют на образец вторым радиочастотным импульсом, получают сигнал спинового эха, по зависммости которого от интенсивности и продолжительности...

Номер патента: 1741035

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Алексеев, Гайфуллин, Сизова, Тихонов

МПК: G01N 24/10

Метки: кристаллов, кристаллографической, направления, одноосных, оси, парамагнитных

...Затем поворачивают кристалл вокруг оси, параллельной вектору индукции СВЧ-поля Щс), одновременно детектируют сигнал ЭПР и фиксируют положение кристалла, при котором интенсивность этого сигнала минимальна. В последнем положении реализуется одна из двух возможных ориентаций кристаллографической оси; параллельно или перпендикулярно вектору индукции Во (т,е. параллельно или перпендикулярно к плоскостям полюсных наконечников магнита спектрометра (ЭПР).Для уточнения направления кристаллографической оси необходимо, не нарушая достигнутой таким образом ориентации кристалла, ориентировать вектор индукции модулирующего низкочастотного поля параллельно вектору индукции статического магнитного поля, т.е. создать новую супер; позицию магнитных...

Номер патента: 167069

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Капустина, Павловска

МПК: G01N 24/08

Метки: блочности, мозаики, монокристаллов, некубических

...трудоемки, имеют малую точность. Способ электронного парамагнитного резонанса накладывает существенные ограничения на размеры образцов.Предложенный способ контроля блочности мозаики с помощью ядерного магнитного резонанса основан на том, что спектр для моно- кристаллов некубической сингонии с осью симметрии не ниже третьего порядка при наличии электрического квадрупольного момента резонирующих ядер состоит из 21 компоненты. Положение этих компонент зависит от ориентации кристалла в магнитном поле спектрометра ядерного магнитного резонанса, Исследуемый монокристалл устанавливается в спектрометре ядерного магнитного резонанса так, что его ось симметрии образует некоторый оптимальный угол О , с направлением поля магнита. Производится...