Нейрокон

( 4767 ОУ Союз Советских Социалистических РеспуГлик) Приоритет Совета Министров ССС по делам изобретений(71) Заявитсл Ульяновский цолитехцический ицсти(54) НЕИРОКО Изобретение относится к телевидециО, зОжет использоваться в безвакуумцых фотоэлектрических преобразователя.;.Известен иейрокоц, содержащий цейристорцую линию, состоящую из полупроводниковых элементов с отрицательным дифференциальным сопротивлением, дополнительные ключевые структуры, сформированные в том ке кристалле, контуры формирования потенциального рельефа изобретения, образованные собственной емкостью фотопроводящего слоя и выполненные цепосредствеццо ца электроде дополнительных ключевых структур. Однако непостоянство расстояния между фронтом развертывающего цейристорного импульса и точкой считывания потенциалыОго рельефа изображения вызывает градационные и геометрические искажения передаваемых изображений.Цель изобретения - устранение геометрических и градационных искажений пере,- ваемых изображений - достигается тем, что в предлагаемом цейрокоие в слой диэлектрика, изолирующего торцы полупроводцикс- вых элементов цейристорцой линии, введен слой кеталлизации, коцтактирующий с базовой областью дополнительных ключевых структур, в качестве которы.; используются транзисторы, и образующий со слоем металлизации коллектора активного элемента нейОристорцой линии конденсатор, связывающий допо,Иительцые к,ио евые стр "туры с О,- лекторами актшгцьи элеме;тов иейристорЦой ЛИЦИИ.На чертеже изображен разрез цейрокоиа, Нейристорная линия состоит из связанных по возбуждецию полупроводниковых э,нментов с отрицательным дифферециильц ч сопротивлением, например тиристоров, слои О 1 - 4. Нагрузкой каждого элемент; являс-ся контур протягивация цейристориого импульса, состоящий из собствеццых со;р- тивлеци я и емкости участка фотопроводящего слоя 5, заключенного между слоем ме таллизации 6 и полупрозрачным электродом7. В качестве дополнительной ключевой ср ктуры использован транзистор, слои 8 - 10, Оллекторцом электроде 11 которо о вио,- иец контур формиров;шия поте:и,Иио го рельефа изображения, состоящий из собственного сопротивления и ехкости у 1 Оск; с 1)отоп 1)оводяиегО с,Оя 5, заклОчеццого ду электродом 11 и полупрозрачцым элект 1 ц- дом 7. В слой диэлетриа 1, изолцрОиИЙ 2 д торцы активных элемецтов цеирисОричи лицин, введен слоЙ металлизаиии 13, контактирующий со слоем 9 и образующиЙ кодеисатор, состоящий из слоев 6, 12, 13, которыйкежду коллекторок активного эле мента цейристорцоЙ лицин и базоЙ дополниЗаказ 2731/7 Изд.907 Тира)к 740 Подписное Цг 1 ИИПИ Государственного комтета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж-З 5, Раушскан наб., д. 4 5Ти 5)ографии, ир Сапунова, 2 тельного ключевого транзистора. Слой диэлектрика 14 изолирует устройство от слоя полупроводника 15, играющего роль механического основания. Тонкий слой меди 16 на электроде 11 обеспечивает различные скорости разряда емкостей контура протягнвания нейрцсторного импульса и контура формировацця потенциального рельефа изобра)кения,Устройство работает следу)ощим образом.При периодическом прохождении нейрцсторного импульса емкость фотослоя заряжается до нанря)кения источника питания н е й р О к О н а, П а р а м е тр ь контур а и р О т 51 Г ц В 3- ния нейристорцого импульса выбирают такими, чтобы прц очередном приходе нейрцсторцого импульса емкость контура полностью разрядилась и цапр 5 жение на активном элементе нейристорцой линии (тиристоре) восстановилось до напряжения пцтания нейрокоца. Постоянство этого напрякения обеспечивает стабильность скорости развертывающего нейрцсторного импульса.Спад напр 51 жения на коллекторе активного элемента нейрцсторцой линии в момен г его переключения через емкость ме)кду слоями металлизации 6 ц 13 передается ца базу дополнительного кл)очевого транзистора. Ток заряда указанной емкости открывает транзистор, и потецццальшяй рельеф изображения считывается с контура его формирования, Постоянство тока, задаваемого в базу транзистора, и независцмос)ь времени его переключения от напряжения на коллекторе обусловливают постоянство расстояния между фронтом развертывающего нейристорного импульса и точкой считывания потенциального рельефа изображения. Предмет изобретенияНейрокон, содержащий нейристорную лццшо, состоящую из полупроводниковых элементов с отрицательным дифференциальным сопротивлением, дополнительные ключевые структуры, сформцрованцые в том же кристалле, контуры формирования потенциального рельефа изображения, образованные собственной емкостью фотопроводящего слоя и выполненные непосредственно на электроде дополнительных ключевых структур, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью устранения градационных и геометрических искажений передаваемых изображений, в слой диэлектрика, изолирующий торцы полупроводниковых элементов нейристорной линии, введен слой хеталлизации, контактирующий с ба зовой областью дополнительных ключевыхструктур, в качестве которых используются транзисторы, и образующий со слоем металлцзациц коллектора активного элемента цейрцсторной линии конденсатор, связыва)о ццй дополнительные ключевые структурыс коллекторамц активных элементов нейрнсорной линии,