Полупроводниковый ключ

Номер патента: 452923

Опубликовано: 05.12.1974

Автор: Булгаков

МПК: H03K 17/56

Метки: коммутации, однополярного, транзисторное

...10 должен бытьзакрыт, поэтол 1 у его "пятка" должна превы-30шать прямое напряжение на нем. В случае4необходимости вместо одного диода 10 могутработать несколько последовательно соединенных диодов, Для повышения стабильности ос 35таточного напряжения открытого транзистора 1открытый транзистор 5 должен быть насыщен,В другой полупериод ток от источника 14меняет направление и протекает через источ-ник 4, конденсатор 9, диод 11, конденсатор 13 40Транзисторы 5 и 1 остаются по-прежнему от-крытыми, так как ток через них поддерживается конденсатором 8, который в предыду-щий полупериод накопил достаточный заряд. 45Когда транзистор 15 открыт, напряжениеисточника 16 через насыщенный транзистор 15закрывает транзисторы 1 и 5 по...

Номер патента: 924751

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Караханьян, Копыткин

МПК: G11C 11/401

Метки: блоках, информации, памяти, регенерации

...подброса напряженияна затворе транзистора регенерации.Цель изобретения - повышение сте"пени интеграции устройства.Поставленная цель достигаетсятем, что в устройство для регенерации информации в блоках памяти, содержащее транзистор связи, затворкоторого подключен к тактовой шине, сток - к входной шине, исток924751 сбиу У1 ИИПИ з 2826/69 Тираж 62 Йписное Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,иал к затвору транзистора регенерации, исток которого подключен к числовой шине, сток транзистора регенерации подключен к тактовой шине.На фиг. 1 представлено устройст во, принципиальная схема; на фиг. 2- временная диаграмма его работы.Устройство для регенерации информации в блоках памяти состоит из транзистора 1 связи, сток которого 1 В подключен к...

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...

Номер патента: 455488

Опубликовано: 30.12.1974

Авторы: Жеребцова, Мансуров, Ободзинский, Поликанов, Талибов

МПК: H03K 17/60

Метки: ключевой, моп-транзисторах, элемент

...рацзцстора 1 подключен к стоку транзистора 2, ца затвор которого также псдаются сигналы управления. 11 сток транзистора 2 соединен с шиной выходных сипи455488 оставитель Е. КовалевРслак)ор Е. Караулова скосл Т, Курилко Корректор О. Тюрин Е пгниг Ззкз 127Тирзж 8 ЦИИ 1 и ло)в схемы. Транзисторы 3 и 4 образуют схему индикации, которая подключает напряжение питания индикации +Е; - Е а на выход коммутатора )в за)висио)ст)и от того, какой знак у пе)рена)пряже)ния на )входе ключа. На затворы транзисторов 3 и 4 подается напряжение, В обычном режиме оба транзистора индикации закрыты. К стоку транзистора 1 подключен истоком транзистор 5, на затвор которого подается постоянно уровень - ЕНа стоке транзистора тот же потенциал, что и ца затворе...

Номер патента: 1149310

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Кашигин, Старенький, Шабалин

МПК: G11C 7/06

Метки: кмоп-транзисторах, считывания, усилитель

...истоки которых соединены с шиной питания, затворы - с шиной стробирования, стоки - со входами соответствующих выходных инверторов, ключевые элементы на р-канальных транзисторах, соединенных перекрестными связями, истоки которых соединены с шиной питания, стоки - со входами соответствующих выходных инверторов, элементы сравнения на п-канальных транзисторах, затворы которых являются входами усилителя, содержит элемент стробирования на п-канальных транзисторах, дополнительные инверторы, каждый из которых состоит из р-канального ключевого и и-канального нагрузочного транзисторов, затворы каждого из которых объединены и подключены ко входам соответствующих выходных инверторов, сток нагрузочного и сток ключевого транзисторов каждого...