Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
) 466545 ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сасз Советских Социалистических, Республик) М. 12 с 5 12 п единением заявки М Государственный комитетСовета Министров СССРло делам изобретений Ои открытий-) ЛТО)ы. о бе т е5 В. Бушин, Ю. В. Остапенко, 3. В. Литвишко, Н. Д. Новик и Ю. П. Панев рдена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР71) Заявнтел 4) СПОСОБ ИЗГОДЛЯ ЗАПОМИНАЮ ЛЕНИЯ МАТРИЦЫГО УСТРОЙСТВА путем ердиИзобретение относится к области вычислительной техники, в частности к технологии изготовления интегральных магнитопленочных матриц для запоминающих устройств (ЗУ).Известен способ изготовления матрицы для ЗУ, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа, в нанесении диэлектрика на открытые участки шин методом электроосаждения, активации, активации диэлектрика раствором хлористого палладия, химической металлизации и покрытии этой системы шин магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса.Недостатками известного способа является необходимость применения солей драгметаллов, например, для металлизации диэлектрика, частая регенерация и корректировка раствора химического никелирования или меднения, что ведет к непроизводительной затрате химических реактивов, а операция металлизации диэлектрика не обеспечивает достаточной адгезии.Целью изобретения является упрощение технологии изготовления матрицы, что достигается тем, что диэлектрик перед нанесением магнитного материала металлизируют обработки его спиртовым раствором отв теля, затем опудривают смесью высокодисперсных порошков плавкого связующего и металла-наполнителя, например железа, после чего проводят термообработку до плавления 5 плавкого связующего и затем обрабатывают врастворе соли менее активного металла, чем металл-наполнитель.Матрица для (ЗУ) по предлагаемому способу изготавливается следующим образом.10 На металлизированном лавсане методомфотолитографии изготавливают с одной стороны адресные, а с другой ортогональные им разрядные шины, Лавсановую основу оплавляют потоком горячего газа при 300 - 350 С.15 В результате чего образуются отверстия между шинами. Открытые участки шин покрывают слоем диэлектрика, например, обрабатывая в спиртовом (1 - 37 с) растворе отвердителя, опудривая высокодисперсным порош ком эпоксидной смолы и полимеризуя при150 С в течение 30 мин. Далее диэлектрик покрывают слоем металлонаполненного полимера, погружая заизолированную систему шин в спиртовой раствор (1 - 5% ) полиэтиленпо лиамина, высушивая на воздухе, опудриваясмесью вьюокодисперсных порошков эпоксидной смолы и карбонильного железа (соотношение в вес, ч. от 50:80 до 20:80, соответственно) подвергая термообработке при 80 - 30 120 С в течение 20 - 40 мин и замещая желе466545 Составитель В. ВакарТехрсд Е. Подурушина Корректор Л. Орлова Редактор Л. Утехина Заказ 1815/1 Изд.673 Тираж 648 Пбздписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 зо медью в насыщенном растворе медного купороса при 20 - 50 С в течение 10 - 30 мин. На образовавшийся слой меди толщиной 3 - 10 мк методом электролитического осаждения наносят слой 83% %, 17% Ге из ванны состава %504 7 НгО - 340 г/л, %С 12 6 НО - 15 г/л, Ре 04 7 Н 20 - 8 г/л, НзВОз - 30 г/л, сахарин 0,8 г/л, лимонная кислота б г/л, плотность тока - 8 ма/см, время оваждения 1 час, толщина осажденного слоя 8 мк. Предмет изобретенияСпособ изготовления матрицы для запоминающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизированный диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика, расположенного между шинами, потоком горячего газа, в нанесении диэлектрика на открытые участки шин и покрытии его магнитным материалом с 5 прямоугольной петлей гистерезйса, о т л ич а ю щ и й с я тем, что, с цедЬю уйрощения технологии изготовления МаФрицы, диэлектрик перед нанесением магнйтнозго материала металлизируют путем обработки его сййрто вым раствором отвердителя, затем ойудривают смесью высокодиеперсных, порошков плавкого связующего и металла-наполнителя, например железа, после чего проводят термообработку до плавления плавкого связующего 15 и затем обрабатывают в растворе соли менееактивного металла, чем металл-наполнитель.
СмотретьЗаявка
2004826, 11.03.1974
ОРДЕНА ЛЕНИНА ИНСТИТУТ КИБЕРНЕТИКИ АН УССР
БУШИН ВИКТОР ВАСИЛЬЕВИЧ, ОСТАПЕНКО ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, ЛИТВИШКО ЗОЯ ВИКТОРОВНА, НОВИК НИНА ДАНИЛОВНА, ПАНЕВ ЮРИЙ ПЕТРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 5/12
Метки: запоминающего, матрицы, устройства
Опубликовано: 05.04.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-466545-sposob-izgotovleniya-matricy-dlya-zapominayushhego-ustrojjstva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления матрицы для запоминающего устройства
Следующий патент: Запоминающее устройство
Случайный патент: Всесоюзная iп; т; "у"гл ••"г"г"улеи. ь i l. i t lib. t. itii, .; , i1 ma-