Полупроводниковый преобразователь механических величин

Номер патента: 725060

Опубликовано: 30.03.1980

Авторы: Гулевский, Пастернак

МПК: G03C 1/74

Метки: нанесения, пластины, светочувствительного, слоя

...с повышен3ной скоростью на участке, предшествующем наносу,На фиг. 1 представлена схема нанесения светочувствительного слоя на пластину; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг. 1,П р и м е р. Нанесение светочувствительного слоя на пластины осуществляют следующим образом,11 ластины 1 непрерывно транспортируют с определенным шагом и постоянным зазороммежду ними подающим рольгангомна ускоряющий рольганг 3, которыи ооеспечивает увеличение зазора между пластинами по сравнению с первоначальным в 2 - 2,о раза за счет большей скорости вращения роликов,Доведя до упора 4, пластину останавливают, после чего перемещают вертикально вверх и прижимают к горизонтальной плоскости 5 прижимным устройством 6.Плоскость устройства 6, которой производят прижим...

Номер патента: 324524

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Кальнус, Фирсов, Шадрин

МПК: G01L 1/20

Метки: величин, механических, полупроводниковый

...нг й полупроводниковый пр еобр азователь отличается от известных тем, что на одной стороне каждой пластины выращены р-п переходг, обращенные в сторону металла и немеющие,с ним оммический контакт, а в качестве металла использован алюминий.Указанное отличие, позволяет повысить точность измерения, так как значительно уменьшает зависимость выходных характеристик от температуры.На фиг. 1 показан предложенный преобразователь н схема его включения на основе п-р - Ж - р-и кремниевой сгруктург; на фиг. 2 - вольт-амперная характеристика кремниевой п.-р - М - р-гг структуры. Режимы сме щения р-гг переходов подобраны таким образом, что при изменении температуры ЛО,=Л/а.Преобразователь содержит два встречновключенных перехода 1 и 2 р-п,...

Номер патента: 166753

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Вычислительной, Институт

МПК: G01R 31/26

Метки: величины, коллектора, обратного, полупроводникового, триода

...напряжения, величина которого У, выбирается равной значению коллекторного напряжения, при котором определяется величина обратного тока коллектора триода 3.Выходы сравнивающих цепочек 4 и 5 подключены к электронному коммутатору 7, содержащему триггер и ключевой элемент, Коммутатор 7 включен между импульсным генератором 8 и счетчиком импульсов 9. В момент времени Е (фиг. 2), когда выходное линейно изменяющееся напряжение (кривая 10) генератора 1 становится равным опорному напряжению Ь сравнивающая цепочка 4 выдает импульс, поступающий на триггер коммутатора 7, ключ коммутатора срабатывает и импульсный генератор 8 подключается к счетчику импульсов 9. В момент времени 1 когда напряжение на коллекторном переходе триода 8 (кривая 11)...

Номер патента: 198773

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Базжин, Цывин

МПК: G01B 7/16, G01L 1/22, G01L 9/04

Метки: величин, датчик, механических, полупроводниковый

...расположенных последовательно относительно направления действующего усилия и находящихся в омическом контакте полупроводниковых преобразователей р- и п-типов, между которыми установлены фольговые шайбы.Это позволяет повысить точность измерения, так как снижает влияние эксцентриситета силы на результат измерения и улучшает температурную компенсацию.На фиг. 1 изображена конструктивная схема предлагаемого датчика; на фиг. 2 - схема включения полупроводниковых преобразователей в мост,Предлагаемый датчик представляет собой набор чередующихся полупроводниковых преобразователей 1 р- и п-типов, разделенных шайбами 2 из золотой фольги и расположенных последовательно относительно направления силы Р. Преобразователи и шайбы сваривают при...

Номер патента: 888287

Опубликовано: 07.12.1981

Автор: Ломакин

МПК: H02K 13/04

Метки: вентильно, коммутатором, механическим, постоянного, электрическая

...тока не сопровождается искрением на сбегающем краеконтакта 7, т.е, падение напряженияна нем равно результирующему падениюнапряжения на открытых тиристорах 10,11 и контакте 8, при плотности тока8882 5на сбегающем крае 7 не превышающейкритическую величину,Схема содержит два ключевых контура, выравнивание нагрузки которыхпроизводится с помощью линейных дрос- уселей 14, 15. Процесс коммутации осуществляется с помощью одного конденсатора последовательно: сначала в одном ключевом контуре, затем - в другом. Причем в течение всего коммута- . 16ционного процесса основной контактнаходится на изолирующей пластине.В момент времени 1(фиг. 1) с устройства управления 17 поступают сигналы на включение тиристора 20, При 15этом конденсатор 18 начинает...