Мультивибратор с резервированием

Номер патента: 185959

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Белицкий

МПК: H03K 3/29

Метки: многофазный, мультивибратор, транзисторах

...на базе и эмиттере отпирающегося транзистора дополнительных смещений Е-, и Е, укорачи вающих длительность генерируемых импуль."ов. Если же в общеэмиттерную цепь последовательно с сопротивлением 9 (Й,) включить диод 7, на эмиттере возникает смещение неЕ,аЕ эс.ы1 т Рэ + 1 дэ) (1) где Л - число каскадов схемы;1, - неуправляемый ток т-го эм15 перехода;Р д, - обратное сопротивление диода 7.Так как Рд, Я, и с ростом температурыуменьшается, величина Ев диапазоне температур меняется незначительно.20 При включении диода 7 нарушаются некоторые соотношения в схеме многофаз ного мультивибратора. Для устранения этого недостатка необходимо диод 7 зашунтировать емкостью достаточной величины. Тогда по пе ременному току цепь, состоящая из диода 7...

Номер патента: 196091

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Барьюдив, Лейтмак

МПК: H03K 3/284

Метки: ждущий, мультивибратор, транзисторах

...источник питания 13. Ток заряда конденсатора б, являющийся базовым током транзистора 1, переводит транзистор в состояние насыщения, поэтому схема остается в неустойчивом состоянии и после прекращения запускающего импульса. В этом состоянии выходное напряжение приблизительно равно нулю, и транзистор 2 и 8 поддерживаются в запертом состоянии напряжением вспомогательного источника 14, подаваемым в их базы через сопротивление 15.По мере заряда конденсатора б уьеличивается напряжение на базе транзистора 7. В момент равенства напряжений на базе и эмиттере транзистора 7 эмиттерный переход его отпирается, что приводит к появлению базового и коллекторного токов и возникновению в результате этого положительного перепада напряжения на коллекторе...

Номер патента: 221032

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Орлов, Харченко

МПК: H03K 3/281

Метки: мультивибратор, транзисторах

...б и 6 выбираются с большимсопротивлением в прямом направлении при 5 напряжении Г(Г 0. В дальнейшем характеристика диодов резко изгибается.В момент открывания триода 7 потенциал вточке 8 падает, и зарядный ток конденсатора 9 течет через диод 6. При этом в точке 8 по 10 отношению к эмиттерам держится потенциал,примерно равный 1 с, а диод 6 закрыт. В начальный период импульса конденсатор 9 заряжается, и ток заряда через диод 6 резко падает. Это смещает рабочую точку диода 6 15 несколько левее величины Ц. Сопротивлениедиода резко возрастает, и заряд конденсатора 9 замедляется. Это обеспечивает положение рабочей точки диода 6 вблизи напряжения с 10 в продолжение всего импульса преоб разователя, Следовательно, за все время, пока триад 7...

Номер патента: 274157

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Красилев, Платонов

МПК: H03K 3/284

Метки: ждущий, мультивибратор, транзисторах

...2;Р - сопротивление перехода кол.лектор - эмиттер открытого транзистора 3.Время восстановления соответственно будет равно;=(4 - 5) = (4 - 5) (Яда+ Йэб.+ Йкв) Так как Рв+Лвб, Я 9 и Яв, (Л 9, то время восстановления предлагаемого мультивибратора будет значительно меньше, чем у известной схемы, принятой за прототип, т. е. Уменьшение времени восстановления позволило увеличить длительность импульсов при заданной величине периода следования Т запускающих импульсов и тем самым увеличить коэффициент заполнения у, получить на коллекторах обоих плеч схемы импульсы напряжений улучшенной формы, весьма близкой к прямоугольной, использовать коллектор транзистора 1 левого плеча схемы в качестве второго выхода одновибратора.Параметры элементов...

Номер патента: 255349

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Мурза

МПК: H03K 3/281

Метки: мультивибратор, симметричный, транзисторах

...резистор 6 транзистора 2 подключены к источнику напряжения питания Е. Коллектор транзистора 1 со единен через конденсатор 7 с базой 8 транзистора 2, а коллектор транзистора 2 через конденсатор 9 - с базой 10 транзистора 1,В момент включения транзистор 1 илн 2мультивибратора из-за неизбежной асиммет рии схемы открывается, а другой закрывается. Предположим, что открыт транзистор 1, а транзистор 2 закрыт. Конденсатор 9 быстро заряжается через резистор 5 до напряжения Е. Это приводит к открыванию транзистора 2 25 и к короткому регенератнвному процессу всхеме, заканчивающемуся закрыванием транзистора 1 и насыщением транзистора 2. Время пребывания в последующем квазиустойчивом состоянии определяется перез ар ядом 30 конденсатора 9 от...