Многофазный мультивибратор на транзисторах

ОПИСАН ИЕ 185959ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваявлено 23 ЛЪ,1964 ( 896693/26-9) 6/02 Кл. явкис присоединение Приорите МПК Н 031 с Комитет па де и".абаетеиий и открытий при Совете Министров(088,8) ата опубликования описания 19.Х.196 втор В, И, Бели изооретепия Заяв МНОГОФАЗНЫЙ МУЛЬТИВИБР НА ТРАНЗИСТОР иттерного обратного тока е Е , в цепь ения влияниясмещения на б пературных Известны схемы многофазных мультивибраторов на транзисторах, в которых термостабилизация режима работы осуществляется с помощью дополнительных сопротивлений, включаемых между базой транзистора и не- заземленным полюсом источника питания, а также включением диодов в цепь базы. Однако эффективность термостабилизации в этих схемах ограничивается условием надежного запирания транзисторов, не участвующих в формировании выходного импульса.Предложенное устройство отличается от известных тем, что кроме диодов, включенных в базовую цепь каждого транзистора, в общеэмиттерную цепь многофазного мультивибратора включен диод, зашунтированный емкостью. Этот диод должен быть выполнен из того же материала, что и транзистор. Применение диодов в указанной комбинации обеспечивает компенсацию воздействия обратных токов на длительность генерируемых импульсов, и защищает эмиттерные переходы транзисторов от обратного пробоя.На чертеже изображена принципиальная схема многофазного мультивибратора, содержащая транзисторы 1, 2, 3, в базовые цепи которых включены диоды 4, 5, б, а в общеэмиттерную цепь - диод 7, зашунтированный конденсатором 8.Протекание неуправляемых тех токов по цепям многофазного мультивибратора обычно приводит к появлению на базе и эмиттере отпирающегося транзистора дополнительных смещений Е-, и Е, укорачи вающих длительность генерируемых импуль."ов. Если же в общеэмиттерную цепь последовательно с сопротивлением 9 (Й,) включить диод 7, на эмиттере возникает смещение неЕ,аЕ эс.ы1 т Рэ + 1 дэ) (1) где Л - число каскадов схемы;1, - неуправляемый ток т-го эм15 перехода;Р д, - обратное сопротивление диода 7.Так как Рд, Я, и с ростом температурыуменьшается, величина Ев диапазоне температур меняется незначительно.20 При включении диода 7 нарушаются некоторые соотношения в схеме многофаз ного мультивибратора. Для устранения этого недостатка необходимо диод 7 зашунтировать емкостью достаточной величины. Тогда по пе ременному току цепь, состоящая из диода 7 иемкости 8, на работу схемы не влияет, а по постоянному току играет роль автоматического смещения.Для уменьш30 на величину аз185959 Е бсм 1 ко Рб+ /дб) Предмет изобретения Составитель С, Машенко Техред Т. П. Курилко Редакзор Н. С. Коган Корректоры: С. Н. Соколова и Т. В. ПоляковаЗаказ 3041/5 Тираж 950 формат бум, ЬОК 90/з Объем 0,16 изд. л. ПодписноеЦНИИПИ Комитета ио делам изооретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр, Сапунова, 2 базы последовательно с сопротивлениями 10, 11, 12 фб) включены диоды 4, 5 и б. Дополнительное смещение на базе определяется соотношением: где 1, - обратный ток через базу транзистора;Раб - обРатное сопРотивление ДиоДа 4, 5или б.Если выбрать диоды так, что Ябб Йб, то при изменениях температуры величина Е будет меняться незначительно.Анализ соотношений (1) и (2) показывает, что при соответствующем выборе параметров предлагаемой схемы нестабильность многофазного мультивибратора, обусловленную колебаниями неуправляемых токов, можно уменьшить до нескольких процентов,Включение диодов 4, 5 и б в базовую цепьтранзистора позволяет предохранить схему от обратимых пробоев эмиттерных р - а-переходов, свойственных многофазным транзи сторным мультивибраторам. Многофазный мультивибратор на транзи сторах с повышенной термостабильностью сдиодами, включенными в базовую цепь каждого транзистора, отличающийся тем, что, в целях компенсации воздействия обратных токов на длительность генерируемых импульсов 15 и защиты от обратного пробоя эмиттерныхпереходов, в общеэмиттерную цепь включен полупроводниковый диод, зашунтированный емкостью, выполненный из того же полупроводникового материала, что и транзисторы.