Датчик внутриглазного давления

Номер патента: 549053

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Бронштейн, Кистова, Коробов, Лукичева, Маслов, Мясоедов, Синицын, Сокуренко, Юрова

МПК: H01L 29/84

Метки: давления, датчик, полупроводниковый

...диаметром 50 - 70 мкм. Размеры полупроводникового элемента составляют 7 Х ХО,ЗХО,З ммз, а начальное сопротивление датчика около 1 кОм.Чувствительный элемент датчика изготавливался одним из известных способов. В качестве донорной примеси были использованы элементы И группы Периодической системы элементов, в частности селен и теллур. Чувствительность к давлению периодической структуры определяется величинами коэффициентов чувствительности каждого слоя 2 и 3 и соотношением их толщин и проводимостей согласно следующей формуле 5, + 5,А -+ 5,5 ЛР+ 5,5.,А - М9 1+А - + 5,ЬР+ 5 А -ЬР ) ) где 51 - чувствительность слоя состава х,5, - чувствительность слоя состава,х+Лх,А - отношение проводимостей слоев,Иц 1 - толщины слоев.Коэффициент...

Номер патента: 249700

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Новиков, Терехов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчик

...кольцевыми пленочными тензометрами в качестве подложки используется окись алюминия, которая наносится на мембрану плазменным методом. При этом мембрана часто выходит из строя, Нанести окись алюминия на мембрану толщиной менее 0,45 мм не представляется возможным. Кроме того, окись алюминия, обладая макроструктурой, не позволяет получить гладкую поверхность при любом виде обработки.Рабочая температура датчика не превышает 50 - 60 С.Предлагаемый датчик отличается от известных тем, что подложка его выполнена из двуокиси кремния, а тензорезистор - в виде пленки из кремния.Подложка из двуокиси кремния наносится на упругий элемент методом испарения и конденсации в вакууме не ниже 10-3 мм,Полученная таким способом подложка имеет высокие...

Номер патента: 381940

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01L 27/00

Метки: генератор, давления, колебаний

...генератора; на фиг. 2 - осциллограмма давления,В тру.бопроводе 1 подачи воздуха расположена круглая дроссельная заслона 2, слуиищая элементом генерации колебаний и вращающаяся вокрут собственной оси от электродвигателя 3 постоянного тока. На вход генератора подают воздух с давлением Р,. За счет дросселнровання воздуха прн вращении заслонки 2 на выходе генератора возникают периодические колебания давления Р из меняющиеся по гармоническому закону. Давление на входе и выходе генератора фиксируют датчики 4 и 5 давления. Электрический сигнаал с датчиков 4 и б поступает на вход усилителя - преобразователя б, запитанного 10 от блока питания 7, н далее на вход шлейфового осциллографа 8, запитанного от блока питания 9. Осциллограф 8...

Номер патента: 545214

Опубликовано: 05.10.1978

Авторы: Бронштейн, Коробов, Лукичева, Маслов, Синицын, Сокуренко, Юрова

МПК: H01J 29/84

Метки: давления, датчик, полупроводниковый

...0,01-0,10.Кроме того, отношение объемов соседних участков выбрано в пределах от 1 до 10.На чертеже изображен полупроводниковый датчик. давления.Он представляет собой параллелепипед, состоящий иэ полуизолирующей подложки 1, выполненной, например, из арсенида.галлия, легированного хрбйом, и слоя 2 твердого раствора с изменяющимся по длине датчика содержанием компонент. На крайние слои чувствительного элемента нанесены контакты 3 и 4, к которым присоединены выводные электроды 5 и б.Чувствительность описанного выше датчика для случая дискретного йзменения компонент определяется Формулой:Яю,.ю,Цг 4где б - коэффициент чувствительности к давлению слоя состава Оо Аь-х; РхМ - начальное сопротивление-го слоя.В случае плавного изменения состава в...

Номер патента: 1448853

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Казарян, Плешков, Чаянов, Чикин

МПК: G01L 11/00

Метки: давления, датчик, матричный

...возможностей металлизации слоев пленки. Расстояние между чувствительными злементами с, количество электродов, толщина полиимидной пленки и длина 1 выводов выбирается, исходя из конкретных условий эксперимента и характеристик исследуемого объекта, Толщина пироэлектрических слоев - 1 мкм. Толщина каждого электрода составляет 0,1 мкм. Датчик закрепляется на поверхности исследуемого объекта с помощью клея,Пироэлектрический датчик переменного (звукового) давления основан на использовании пироэлектрического зффекта - эффекта электризации полярных дизлектриков, обусловленного изменением их спонтанной поляризации Р при изменениитемпературы. Принцип работы пироэлектрического датчика звукового давления основан на регистрации...