Датчик давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Ъ .1 249700 ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ висимое от авт. свидетельства-Кл. 42 К 14/О Заявлено 18,1,1968 ( 1226270/18-1 явкиприсоединением 1 ПК С О 1 Цриоритет Комитет по делам изобретений и открыти при Совете Министров СССРК 531 787 913(088 убликовано 05.Ч 111,1969. Бюллетень25 я описания 22.ХП,19 ата опубликов Авторы зобретения, Терехов и Л, В. Новико Заявитель ДАТЧИК ДАВЛЕНИ рану 1, подложку 2 зорезистор 8 в виде оженные концентоипй закреплен ану с,подложорезисторы от овышен я чув пературной заионной стойковыполнена иззистор в виде содержащую мембрсены тенз, с целью ищения темия радиацподложкаа тензоре ения, кругл й нане м, что умень вышен нем ния, тния. Датчик давлную в корпусекой, на котороличаюитийся тествительности,висимости и пости датчика, вдвуокиси кремпленки из крез Изобретение относится к области измерительной техники и приборостроения.В известных датчиках давления с круглой мембраной и кольцевыми пленочными тензометрами в качестве подложки используется окись алюминия, которая наносится на мембрану плазменным методом. При этом мембрана часто выходит из строя, Нанести окись алюминия на мембрану толщиной менее 0,45 мм не представляется возможным. Кроме того, окись алюминия, обладая макроструктурой, не позволяет получить гладкую поверхность при любом виде обработки.Рабочая температура датчика не превышает 50 - 60 С.Предлагаемый датчик отличается от известных тем, что подложка его выполнена из двуокиси кремния, а тензорезистор - в виде пленки из кремния.Подложка из двуокиси кремния наносится на упругий элемент методом испарения и конденсации в вакууме не ниже 10-3 мм,Полученная таким способом подложка имеет высокие изоляционные и механические характеристики. Она термостойка, выдерживает многократный циклический нагрев и не требует последующей механической обработки.Тензорезисторы изгоговляются из кремния путем испарения и конденсации в вакууме не ниже 10-с мм, Коэффициент тензочувствительности не менее 110 единиц.На чертеже дана конструкция мембранного 5 датчика давления с кольцевыми пленочнымитензоэлементами.Датчик содержит мембиз двуокиси кремния, тенпленки из кремния, располО чески, серебро 4.Датчик работает следующим образом.При деформации мембраны происходит изменение геометрических размеров кольцевых тензорезисторов. Вследствие изменения сопро тпвления возникает электрический сигнал.Такой датчик позволяет работать без применения усилителя как при статических, так и при динамических измерениях давления.Предмет изобретенияпографпя, пр. Сапунова, 2 Заказ 3299/5ЦНИИПИ Комитета по деламЫоскв Тираж 480 обретений и открытиг"Ж, Раушская наб.,Подписно.ри Совете Министров СССР4/5
СмотретьЗаявка
1226270
В. И. Терехов, Л. В. Новиков
МПК / Метки
МПК: G01L 9/04
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-249700-datchik-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик давления</a>
Предыдущий патент: Датчик для измерения полного давления в потоке ударной аэродинамической трубы
Следующий патент: Патентноf, i техническая iluroteka i
Случайный патент: Механизм для осуществления продольного перемещения стола консольно-фрезерного станка