Амплитудный модулятор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 448517
Авторы: Еру, Кащей, Песковацкий
Текст
(71) Институт рники АН УССР(53) 621,372(08 электро,Песко леме роводящей пл оторой подсо одведения уп ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЦТИЙ ВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ТУДНЫЙ МОДУЛЯТОР , содержащий управляемый . ий элемент, включенный иркулятора, о т л ия тем, что, с целию стродействия и расцмреопускания, сверхпроводяыполнен в виде сверхенки, к двум концам единены контакты для равляющего тока. СВЧ-диапаэон сверхпроводящ в плечо У -Ц ч ающийс увеличения бь ния полосы пр1 448517Изобретение относится к областикриогенной пленочной радиоэлектроники СВЧ-диапазона и может найтиширокое применение в различных радиоэлектронных системах СВЧ-диапазона с амплитудно-модулированным режимом работы,Известен сверхпроводящиймодулятор, состоящий иэ отрезка линии передачи или резонатора, выполненного 10из сверхпроводника и включенного вразрыв линии передачи. Для созданияамплитудной модуляции СВЧ-сигнала,передаваемого по этой линии передачи, на сверхпроводящий элемент накладывается внешнее магнитное поле,превышающее по напряженности крити"ческое значение и создаваемое внешним соленоидом при пропускании через него управляющего тока, Тем самым сверхпроводящий элемент переводится в состояние с нормальнойпроводимостью, что изменяет вносимое им затухание,ВНИИПИ Заказ 6973/2 Тираж 597 Под пи с н ое Произв,-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Такая схема управления проводимостью сверхпроводящего элемента из-за наличия в ней соленоида. обладает относитЕльно большой постоянной времени, что существенно ограничивает быстродействие модулятора (не более 10 -10 4 с), Кроме того, волноводный вариант такого модулятора не может обеспечить достаточно глубокой модуляции, а резонаторный позволяет получить глубокую модуляцию лишь в очень узкой (в меру своей добротности) полосе частот,Целью изобретения является повышение быстродействия, расширение полосы пропускания и обеспечение большей глубины модуляции. Для этого сверхпроводящий элемент выполняют в виде сверхпроводящей пленки, к двум концам которой подсоединены контакты для подведения управлявшего тока.,На чертеже дана схема предложенного модулятора. 2Модулятор состоит из циркулятора(который может быть выполнен в пленочном исполнении и охлажден до гелиевых температур), в плече 1 которого расположена тонкая сверхпроводящая пленка, Пока пленка находитсяв сверхпроводящем состоянии,вся энергия СВЧ, поступающая в плечо 1 циркулятора из плеча 2, отражается отпленки и направляется в выходноеплечо 3. Затухание модулятора в этомсостоянии определяется только прямыми потерями циркулятора, которые пригелиевых температурах очень малы.При пропускании через пленку управляницего тока, величина которого большекритической (при уровне модулирующеймощности 1 Вт эта величина превьппает200 мА), пленка переходит в состояниес нормальной проводимостью, Вследствие этого уровень мощности в плече3 падает до величины, определяемойстепенью рассогласования сопротивления пленки волнового сопротивления25 плеча 1 пиркулятора, При толщинах100-300 а сопротивление пленки,отнесенное к квадрату ее поверхности,составляет в нормальном состоянии десяткиомов и поэтому такая пленкаЗО легко может быть приведена в соответствие с плечом 1 циркулятора. Следовательно, в закрытом Состоянии уровень мощности в выходном плече 3 циркулятора может быть сделан скольЗ 5 угодно низким, Таким образом, припропускании через сверхпроводящуюпленку управляющего тока можно получить любую (вплоть до 1007.) амплитудную модуляцию проходящего через40 это. устройство СВЧ-сигнала,Отсутствие в предлагаемом модуляторе соленоида, необходимого в известных сверхпроводящих модуляторахдля создания управляющего магнитно 45 го поля, позволяет существенно повысить быстродействие и довести егодо 10 -10 с. С другои стороны, отсутствие резонансных элементов в этоммодуляторе обеспечивает ему большую50 широкополосность,
СмотретьЗаявка
1881281, 16.01.1973
ИНСТИТУТ РАДИОФИЗИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ АН УССР
ЕРУ И. И, ПЕСКОВАЦКИЙ С. А, КАЩЕЙ В. А
МПК / Метки
МПК: H01P 1/16
Метки: амплитудный, модулятор
Опубликовано: 15.12.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-448517-amplitudnyjj-modulyator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Амплитудный модулятор</a>
Управляющий диэлектрический элемент
Номер патента: 363143
Опубликовано: 01.01.1973
Авторы: Автоматики, Будаг, Евтихиев, Мировицкий, Чернышев, Электроники
МПК: H01P 3/16
Метки: диэлектрический, управляющий, элемент
...размещения активных элементов в диэлектрическом волноводе произвольно без нарушения их взаимного согласования.Цель достигается тем, что активные элементы внедрены в согласованную с волноводом пластину, выполненную из диэлектрического материала с диэлектрической пронпцаемостью равной диэлектрической проницаемости активного элемента, причем относительное размещение элементов в теле пластины может быть произведено произвольно без нарушения их взаимного согласования.На чертеже показан управляющий диэлектрический элемент.Управляющий д мент выполнен в виде д гласованной с обеих сторон пластины 1, в тело которой внедрены один или несколько активных элементов 2. Элемент размещается в канавке, выполненной в теле волновода.Оптимальный...
Способ управления мощностью трехфазной электрокалориферной установки, выполненной на параллельных нагревательных элементах с питанием от управляемого статического преобразователя и устройство для его осуществле
Номер патента: 1334353
Опубликовано: 30.08.1987
Авторы: Демиденко, Егоркин, Конышев, Корнеев, Пивоваров
МПК: H02H 3/16, H02H 7/08, H02P 13/00
Метки: выполненной, мощностью, нагревательных, осуществле, параллельных, питанием, преобразователя, статического, трехфазной, управляемого, установки, электрокалориферной, элементах
...сигналов выполнен на двух транзисторах 32 и 33. Питание генератора 16 и блока 18 управления осуществляется от источников П, 13, 11Исполнительный элемент 19 состоит из выпрямительного моста 34, ключевых элементов, выполненных на оптотиристорах 22-24, и накопительного конденсатора 29. С помощью резисторов 27 и 28 ограничивается фазовоеположение импульсов управления, а следовательно, и уровень выходногонапряжения регулятора мощности. Ограничение Фазового угла производится при шунтировании резисторов оптотиристорами 22 и 23. С помощью светодиодов 25 и 26 осуществляется сигнализация аварийной работы регулятора мощности, которая вызвана сгоранием активных элементов. Оптотиристор 24 используется как ключевой элемент для разрядки...
Упругий элемент управляемой жесткости
Номер патента: 587284
Опубликовано: 05.01.1978
Авторы: Бансевичюс, Ключининкас
МПК: F16F 6/00
Метки: жесткости, управляемой, упругий, элемент
...устройства являютя невысокая точность, неширокнй диапазоннеэффективность управления,ль изобретения - расширевзаимодействующий с ней одним концомшток 3, другим концом воспринимавшийвходные вибрационные возмущения, и электромагнитный регулятор жесткости опоры штока 4,5Компенсационная камера выполнена в видеконуса из ферромагнитного материала, являющегося сердечником катушки электромагнитного регулятора, имевшего убывающуюот вершины к основанию плотность силовыхлиний и фиксированную координату границыконсольной заделки штока при заданной величине силы тока. подаваемого на катушку.Компенсационная камера закрыта со стороныоснования конуса гибкой стенкой 5.15Характер изменения взякости 1 от силы тока 3 приведен на фиг, 2. При достижении...
Управляемый мажоритарный элемент
Номер патента: 1069167
Опубликовано: 23.01.1984
Авторы: Косоусов, Максимов, Петричкович
МПК: H03K 19/094
Метки: мажоритарный, управляемый, элемент
...шины первого прямого ипервого инверсного сигналов управления, к которым подключены соответственно затворы первого и второгокоммутирующих транзисторов, введены третий, четвертый коммутирующиеи шестой информационные транзисторып-типа, последовательно включенныемежду выходной и общей шинами, пятый, шестой коммутирующие и шестойнагрузочные транзисторы р-типа, последовательно включенные между выходной шиной и шиной источника питания, параллельно второму, пятомунагрузочным и второму, пятому информационным транзисторам включенысоответственно первый, второйр-типа и третий, четвертый в-типаблокирующие транзисторы, истокиседьмого р-типа и восьмого в-типакоммутирующих транзисторов соединены с выходной шиной, а стоки подключены...
Управляемый вероятностный элемент
Номер патента: 1272481
Опубликовано: 23.11.1986
Авторы: Бабий, Жихарев, Иванов
МПК: H03K 3/84
Метки: вероятностный, управляемый, элемент
...с генератора 1 импульсбв выходной транзистор ключа 2 открыт и потенциал на аноде первичного источника 3 случайного сигнала, например газоразрядного декатрона, недостаточен для пробоя его и К 1 кя к Рк-(д, ЛЛ )Р (1 с,1 сю 1 с 11 с 1 1 с 121 О которых соединены с соответствующими катодами первичного источника случай" ного сигнала, о т л и ч а ю щ и й - с я тем, что, с целью повышения ста бильности вероятностных характеристик формируемого потока импульсов, в него введены ключ и делитель напряжения, выходы которого соединены с вторыми выводами соответствующих наг рузочных резисторов, выход генератора импульсов соединен с входом ключа, выход которого соединен с анодом первичного источника случайного сигнала. определяющий, что при и...
Предыдущий патент: Сверхвысокочастотный смеситель
Следующий патент: Способ получения 1, 1-дипиперидона-2, 2
Случайный патент: Способ регулирования процесса дегазации латекса