Управляющий диэлектрический элемент

Номер патента: 817819

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Блесман, Бурлаков, Копылов, Люзе

МПК: H01L 47/02

Метки: активный, ганна, напряжением, управляемый, элемент, эффекте

...как в активной части 2 управляющего участка 8 площадь поперечного сечения и следовательно напряженность электрического поля уменьшается при удалении от катодного контакта 5, то на определенном расстоянии от него напряженность электрического поля в активной части 2 становится недостаточной для поддержания домена сильного поля, Вследствие этого домен, пройдя это расстояние, исчезает не доходя до анод- ного контакта 4. В это время домен сильного поля и активной области 1 продолжает свое движение к анодному контакту 3.После исчезновения домена сильного поля в активной части 2 в ней зарождается около катодного контакта 5 новый домен, который распространяется в поперечном направлении в активную область 1 со скоростью, намного превышающей...

Номер патента: 1149187

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Конев, Любецкий, Михнев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, пленок, проницаемости, толщины

...антенну, делитель луча, к первому плечу которого обращен вход резонатора с зеркалами, в .котором при измерениях исследуемая диэлектрическая пленка расположена под углом 45 к оси резонатора, перпендикулярной первому плечу делителя луча, первый приемный блок, подсоединенный через первую приемную антенну к второму плечу делителя луча и регистрирующий блок, введены первая и вторая поляриэационные проволочные решетки, причем проволочки обеих поляризационных проволочных решеток параллельны, вторая и третья приемные антенны, второй приемный блок н корректор, первый приемный блок выполнен в виде блока измерения диэлектрической проницаемости, выход резонатора расположен со стороны, противоположной его входу, причем первая поляризационная...

Номер патента: 1059515

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Косогоров, Сташкевич, Тарасюк

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, измеритель, металлической, поверхности, покрытий, проницаемости

...относится к техникерадиоизмерений и может использоваться для измерения диэлектрическихпостоянных веществ.Известен интерферометр СВЧ дляизмерения эффективной толщины диэлектрических пластин, в которомиспользован принцип действия отражающего интерферометра Майкельсона,при этом испытуемая диэлектрическая .пластина, покрытая с одной стороны 10металлом, помещается вблизи рупор"ной антенны 1 .Однако такое устройство имеетнизкую пространственную разрешающуюспособность 15Наиболее близким .к предлагаемому является устройство для измерениядиэлектрической проницаемости диэлектрических покрытий, содержащее СВЧ-генератор, излучающую антенну для возбуждения поверхностныхволн в системе металл-диэлектрик,приемную антенну с измерительнымустройством...

Номер патента: 333639

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ваганов, Грйбо

МПК: H01G 7/06

Метки: емкостный, управляемый, устройств, электрически, элемент

...содержит два конденсатора 1 и 2, каждый из которых представляет собсио керамический стакан, изготовленный из диэлектрического материала. "г 1 аоба дна керамического стакана нанесеныэлектроды", и 4.Для отвода выделяющегося тепла мощности потерь конденсаторы припаяны к тепло- З редмет из етения Ем костный элемент для ВЧ осуществления Ф иия, содержащи 1 диэлектриком, о лью уменьшения ны емкости от а электрическ устройств, инкций линконденсато тличаютций"ся степени зав мпдитуды управляемьп спользуемый для ейного управлсры с нглинейнымтем, что, с це.симостп величи- высокочастотного отво ягцей элгктроизоляциопной подложке 5 на предваритгльно металлизированную площадку б. Чтобы устранить перегрев конденсаторов со стороны внешних тсковыводов...

Номер патента: 504318

Опубликовано: 25.02.1976

Авторы: Бушер, Гранат, Лаврисевич, Маринский

МПК: H04R 29/00

Метки: активном, дефектов, преобразователя, пьезокерамического, элементе

...в районе дефекта по сравнениюс эталонным потенциалом (прн отсутствиидефекта) в зависимости от характера дефекта,увеличивается до 20-30 раз, Сигналс датчика 1 наблюдают на экране осциллографа в виде фигур Лиссажу или записьввают дефектограмму на самописце,Месторасположение дефекта определяютпо дефектограмме или непосредственно поположению датчика относительно поверхности преобразователя в момент обнаружениядефекта, О характере дефекта судят постепени, отклонения от эталонной величиныфазы и амплитуды напряжения на выходедатчика при расположении его в районедефекта,На фиг. 1 изображена снятая дефектограмма преобразователя, на оси абсцисскоторой расстояние между точками 1 и 2соответствуют ширине пьезоэлемента. Ординаты точек 1 и 2 на...