Дифференциальный датчик давления

Номер патента: 1408261

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Жучков, Зиновьев, Тихоненков, Тихонов

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчиков, мембранных, тензорезисторных

...еформации),Изменением начального натяга мемб аны можно получить такое значение е нелинейности, которое компенсирут нелинейность, обусловленную упруим элементом, тензорезистором, измеительным мостом и т.д. (фиг.2), 20Сущность способа заключается в едующем.устанавливают упругий элемент тенэорезисторами 2 в корпус 3 и акрепляют его с начальной осевой 25 еформацией,Определяют нелинейность градуироочной характеристики, При положительом значении нелинейности уменьшают ачальное натяжение мембраны 4 30 осевую деформацию упругого элемента) ак, чтобы нелинейность мембраны тала обратной величине нелинейности атчика. Регулировку производят вращениемвтулки 5. В этом случае нелинейностьдатчика равна нулю,Экспериментально установлено, чтодля...

Номер патента: 1620865

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Белозубов, Бещеков, Марин, Шпилев

МПК: G01L 7/08

Метки: давления, датчика, мембранного

...Затем сварочной горелкой производят вторичный нагрев равноотстоящих от указанной линии участков зон В сварного шва до температуры тдн 1 = (10,7 - 0,85) Тпл. в направлении, противоположном направлению формирования сва,. ного шва. В данном выражении значениями 1 д 1 и Тпл, соответственно являются температура первого этапа нагрева зон В С и емпеДатура плавления металла шва.После первого этапа вторично определяют линию максимальной неплоскостности рабочей поверхности мембраны 1 (фиг, 2)- 2-линия максимальной неплоскостности, и производят следующий нагрев до температуры 1 д 2 =(0,3 - 0,45) Тпл, зон С, перемещая горелку в направлении, противоположном направлению предыдущего нагрева (где тдн 2 - температура второго этапа нагрева зон С шва,...

Номер патента: 1791738

Опубликовано: 30.01.1993

Автор: Уткин

МПК: G01L 27/00

Метки: абсолютного, давления, датчика, мембранного, низкие, поверки, пределы

...я ся повышение точности поверки дат абсолютно1791738 Составитель И.СумцовТехред М,Моргентал Корректор М.Ткач Редактор Т.Иванова Заказ 148 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул.Гагарина, 101го давления на низкие пределы измерения при отсутствии задэтчиков абсолютного давления необходимого класса точности,Цель достигается тем, что в способе поверки мембранного датчика абсолютного давления на низкие пределы измерения, включающем создание разрежения в рабочей полости датчика и определение зависимости его выходного сигнала от величины рабочего хода мембранного блока, в рабочей полости...

Номер патента: 1812459

Опубликовано: 30.04.1993

Автор: Белозубов

МПК: G01L 9/12

Метки: градуировки, давления, датчик, емкостный

...например электрода, расположенного на опорном основании. Мембрана, опор- . ное основание и диск выполнены из сплава 70 НХБМЮ. На поверхности мембраны с опорным основанием и диска нанесена диэлектрическая пленка в виде композиции А 120 з-Я 02, Электроды выполнены в виде композиции Мо-Й (ТКС=+3,8 10 зС),Способ реализуется следующим обра. зом. Методами тонкопленочной технологии Формируют электроды на мембране, опорном основании и диске, Присоединяют выводные проводники 12 косновным и дополнительным контактным площадкам электродов, Закрепляют диск на опорном основании, например, при помощи лазерной сварки, Присоединяют выводные проводники к гермоконтактам 13. Вэкуумируют и герметизируют корпус. Измеряют электрическое сопротивление каждого...

Номер патента: 263230

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ведюшкин, Литвинчук, Польский, Саланский

МПК: G01H 13/00, G01L 11/00, G01L 7/08

Метки: давлений, перемещений

...закрепленным на его конце магнитным шунтом 4, с помощью которого изменяется поле подмагничивания, создаваемое постоянным 5 магнитом 5. В центре зазора этого магнитаразмещена тонкая магнитная пленка 6, охваченная двумя катушками индуктивности 1., и /.г 7 и 8, скрещенными под углом 90 и образующими вместе с конденсаторами С, и С, 10 9 и 10 два резонансных контура 1.,С, и 1.гСг,причем один из контуров 1С, соединен с источником питания контуров 11 непосредственно, а второй - 1.вСг через фазовращатель 12 на 90, Магнитная пленка размещается в по ле постоянного магнита 5 так, что поле магнита действует в плоскости пленки, а выход обмотки съема 13, также охватывающий пленку б, соединен с измерителем частоты 14 через детектор 15 и...