Компаратор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 440647
Авторы: Дик, Карась, Могилевский, Райнин
Текст
(1 ц 440647 Союа Советскин Социалистицескин Республик(32) ПриоритетОпубликовано 25.08.74, Бюллетень3 Дата опубликования описания 29.01.75 асударственныи камитетСовета Министров СССРпв делам иэасретвниРи вткрытий 3) УДК. В. Могилевский Райнин, В рась и Л. И,) Заявител АРАТОР 54) о- нИзобретение относится к импульсной технике, а именно к пороговым устройствам.Известен компаратор, содержащий пуск вой узел и регенеративный усилитель на тра зисторах,Однако известный компаратор имеет малую надежность,Целью изобретения является повьппение надежности.Для этого в компаратор введена ЯС-цень, подключенная между эмиттером транзисторов регенеративного усилителя, причем база транзистора р - и - р-типа проводимости усилителя подключена к коллектору транзистора и - р - гг-типа проводимости, база которого подсоединена через диод пускового узла к коллектору транзистора р - и - р-типа проводимости,На чертеже приведена принципиальная схема компаратора.Компаратор содержит пусковой орган, выполненный в виде диодного емкостного моста: диоды 1, 2, конденсатор 3, подключенный к источнику опорного напряжения 4 через резистор 5, и конденсатор 6, подключенный к источнику входного напряжения 7 через резистор 8, и регенеративный усилитель, выполненный на транзисторах 9, 10 разного типа проводимости, имеющий ЯС-цепь, собранную на резисторе 11 и конденсаторе 12,2Кбмпаратор работает следующим образом.В исходном состоянии, когда отрицательноенапряжение источника входного напряжения 7 по абсолютной величине меньше напряже ния источника 4 опорного напряжения, диод1 пускового органа закрыт, При этом генера.ция не возникает, поскольку ток коллектора транзистора 9, определяемый сопротивлением резистора 13, течет от источника питания 14, 10 минуя переход эмиттер в ба транзистора 10.Ток коллектора транзистора 10, определяемьш сопротивлением резистора 15, протекает по резистору 16, и при надлежащем выборе соотношения сопротивлений резисторов 15 и 15 16 на катоде диода 2 цепи положительной обратной связи усилителя обеспечивается положительный по отношениго к его аноду запирающий потенциал.При увеличении входного напряжения до 20 величины, превышающей напряжение опорного источника, открывается диод 1 и возникает контур положительной обратной связи через конденсаторы 3, 6, диод 1 с коллектора транзистора 10 на базу транзистора 9, Причем 25 конденсаторы 3, 6 выбраны с достаточно малыми емкостями и контур обеспечивает толь ко лишь формирование фронта импульса. В дальнейшем, вследствие открывания обоих транзисторов 9 и 10, обеспечивается снятие зо запирающего потенциала с диода 2 и замы440647 Составитель О. Радоминов Техред А. Камышников едактор А. Зиньковскнй орректор Т, Гревцов Заказ 65/15 д,195 ираж 760 дписно ипография, пр. Сапунова, 2 кание по нему контура положительной обратной связи. При открывании транзисторов конденсатор 12 разряжается через переходы эмиттер - база и коллектор ные переходы, обеспечивая насыщение транзисторов. В этом случае на коллекторе триода 10 и базе триода 9 возникает отрицательный потенциал, почти равный напряжению источника 14. Таким образом, резистор 17, подключенный между базой триода 9 и общей точкой схемы, можно использовать в качестве нагрузки. Длительность импульса определяется временем, в течение которого разрядный ток конденсатора 12 не уменьшится до величины, при которой триоды выходят из насыщения, в результате чего они регенеративно запираются. Длительность паузы между двумя последующими импульсами определяется временем восстановления напряжения на конденсаторе 12, заряжающемся через резистор 13. 5 П р ед м ет изобретенияКомпаратор, содержащий пусковой узел ирегенеративный усилитель на транзисторах, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, в него введена ЯС-цепь, 10 подключенная между эмиттерами транзисторов регенеративного усилителя, причем база транзистора р - п - р-типа проводимости усилителя подключена к коллектору транзистора и - р - п-типа проводимости, база которого 15 подсоединена через диод пускового узла кколлектору транзистора р - а - р-типа проводимости.
СмотретьЗаявка
1769570, 10.04.1972
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-7147
МОГИЛЕВСКИЙ ГЕННАДИЙ ВИКТОРОВИЧ, РАЙНИН ВАЛЕРИЙ ЕФИМОВИЧ, КАРАСЬ ВАЛЕНТИН ЛЕОНИДОВИЧ, ДИК ЛЕОНИД ИВАНОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G05B 1/01
Метки: компаратор
Опубликовано: 25.08.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-440647-komparator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Компаратор</a>
Компаратор на транзисторах разного типа проводимости
Номер патента: 725220
Опубликовано: 30.03.1980
МПК: H03K 5/20
Метки: компаратор, проводимости, разного, типа, транзисторах
...помехоустбйчивость к воздействию разнообразных помех. В процессе работы сравниваемое напряжение П изменяется в направлении сближения. с опорным уровнем Бор . На конденсаторе 6 напряжение П возрастает, достигая в мо 15 20 25 мент 1 опорного уровня ППри этом траиэистор 1 переходит в активный режим работы и отпирается диод 3; транзистор 2 и диод 4 все еще остаются в запертом состоянии, При выборе .достаточно малым сопротивления резистора 7 и большим сопротивления 5 источник . смещения Е в принципе может и отсутствовать. После отпирания транзистора 1 и диода 3 помехоустойчивость компаратора к изменениям электрического режима работы транзисторов остается на достаточно высоком уровне. Так изменения напряжения источника 40 питания Еп меняют...
Триггер с эмиттерной связью на транзисторах разного типа проводимости
Номер патента: 748812
Опубликовано: 15.07.1980
МПК: H03K 3/2893
Метки: проводимости, разного, связью, типа, транзисторах, триггер, эмиттерной
...в пряго транзистора, ре- мом направлении, то цепь положительной обгрузки, включенный ратной связи замкнута, и при выходе транпитания и коллекто зистора 1 из насыщения в схеме развиваетсястора, резистор свя 25 лавинообразный процесс обратного опрокиго подюцоченк ами дывания. Этот процесс продолжается доистора, введеньс до- момента запирания диода 4, после чегор и разделительный цепь положительной обратной связи окадополннгельного зывается разорванной, и схема возврак шине источника 50 щается в исходное состояние.ектору выходного Поскольку эмиттер транзистора 3 соетор - к точке сое- динен с шиной источника питания непосреда резистора связи с ственно, а рабочая точка атого транзисторазделительного диода перемещается в процессе работы...
Устройство для защиты от перегрузок по току силового транзистора регулирующего элемента
Номер патента: 752602
Опубликовано: 30.07.1980
Автор: Реморов
МПК: H02H 7/10
Метки: защиты, перегрузок, регулирующего, силового, току, транзистора, элемента
...элемента и один из выводов резисторного датчика 7 тока, аколлектор через резистор 10 соединенкатодом стабилитрона 11, анод которого соединен с выходной клеммой2 устройства, и анодом первого развязывающего диода 12, катод которого через ограничивающий резистор 13соединен с базой транзистора 14 второго каскада защиты, переход коллектор-эмиттер которого подключенсоответственно между управляющей 3и ныходной 2 клеммами устройства, ачерез последовательно соединенныеконденсатор 15 и резистор 16 - к базе дополнительного транзистора 17,положительной обратной связи, коллектор которого через резистор 18 подключен к базе входного транзистора8 каскада защиты, а нторой раэвязывающий диод 19 катодом подключен кточке соединения конденсатора...
Одноразрядный компаратор на мдп транзисторах
Номер патента: 1287267
Опубликовано: 30.01.1987
Авторы: Быков, Гусаков, Корягин
МПК: H03K 5/24
Метки: компаратор, мдп, одноразрядный, транзисторах
...4, 7 соответственно, третья .выходная шина 17 подключена к затворам шестого, восьмого транзисторов 6, 8, истокам первого, девятого транзисторов 1, 15, четвертая выходная шина 18 у подключена к затворам второго, третьего транзисторов 2, 3 и стокам пятого, десятого транзисторов 5, 16.Устройство работает следующим образом. 55На шины 9, 10 подключаются "плюс" и ,минус источников питания соответственно. Потенциалы плюса" и минуса источника питания принимаются соответственно за "1" и "О".Входные сигналы подаются на шины 13 и 14. На транзисторах 1, 15 и 5, 16 образованы инверторы для этих сигналов а выходными шинами 17, 18, Одновременно транзисторы 1 и 5 являются транзисторами, входящими в схемы элементов ИЛИ-НЕ с выходными шинами 11, 12....
Способ определения электрофизических параметров неосновных носителей заряда в базе транзистора
Номер патента: 1818981
Опубликовано: 20.10.1996
Авторы: Варданян, Гуюмджян, Рштуни
МПК: G01R 31/26
Метки: базе, заряда, неосновных, носителей, параметров, транзистора, электрофизических
...в зависимости от магнитного поля, а 1, поддерживаетсяпостоянным):в 21. 1гг фВсоя (и В),ст г К(Г)(4)Из отношения выражений (1) и (3)получают подвижность ННЗ1 ви = - агссоя(В В ).гВ ст ст(5)а из выражений (2) и (4) - время жизниННЗ в базе транзисторав вВ В И - Уст ст т ттв вВ -В ы ыст ст т т(6)Имея значения,и и г, рассчитывают диффузионную длину ННЗ по формуле-- итгде 1. - диффузионная длина ННЗ.На чертеже представлена структура контролируемого транзистора в магнитном поле.П р и м е р, Измерения времени жизни, подвижности и диффузионной длины ННЗ в базе проводились для мощных транзисторов ТК-63, ТК-100 и ТК-63, Результаты измерений сведены в таблице. Там же приведены значения ти и Е, рассчитанные по формулам (6),(5) и (7)...
Предыдущий патент: Измеритель времени запаздывания видеоимпульсов
Следующий патент: Устройство сравнения напряжений
Случайный патент: Тестоокруглительная машина