Датчик плотности полусферического излучения

Номер патента: 437927

Авторы: Агеев, Арабянц, Рудаков

ZIP архив

Текст

(32) Приоритет 51) М. Кл. 6 011 5/52 осударственный камит Совета Министров ССС па делам изобретений и открытий,74. Бюллетень М бликова Дата опубликования описания 30.12.74 72) Авторы изобретени(71 Заявитель ЕСКОГО ОТНОСТИ ПОЛУС ИЗЛУЧЕНИЯ(54) ДАТЧ Изобретение относится к области теплофизических измерений и может быть использовано, например, для измерения плотности излучения в покоящейся или движущейся среде.По авт. св. 254829 известен датчик плотности полусферического излучения, в котором внутренние спаи звездообразной термобатареи заделаны в лучеприемную поверхность датчика, имеющую плохую теплопроводность,Однако в таком датчике из-за низкой теплопроводности приемной поверхности наблюдается неравномерность в распределении температур на ней, что обусловливает появление дополнительной погрешности при измерении плотности излучения.В предлагаемом датчике лучеприемная поверхность выполнена в виде тонких теплопроводящих электроизолированных друг от друга лепестков, в середине которых заподлицо с их наружными поверхностями заделаны рабочие спаи звездообразной термобатареи.Благодаря этому повышается точность измерений датчика,На чертеже показан датчик плотности полусферического излучения,На наружной торцовой поверхности корпуса датчика 1 укреплены электроизолированные друг от друга секторообразные лепестки 2 из листовой меди, имеющей толщину, равную диаметру термоэлектродных проволок 3, 4 или немного превышающую его В секторном лепестке со стороны края, ограниченного дугой окружности, сделан паз шириной, равной удвоенному диаметру термоэлектродной проволоки 4 и глубиной, доходя щей до середины длины лепестка, Внутри этого паза укреплена термоэлектродная проволока из материала с меньшей теплопроводностью, чем материал лепестка, например из константана. Эта проволока заделана запод лицо с верхней и нижней поверхностями лепестка 2, электроизолирована от боковых стенок внутри паза и припаяна (приварена) к передней стенке, паза внутри так, что в месте электрического контакта нет выступающих 5 частей над верхней и нижней поверхностямилепестка. Термоэлектродная проволока 3 из меди припаяна или приварена к торцу лепестка 2. Разнородные термоэлектродные проволоки смежных лепестков соединены последовательно между собой, образуя звездообразную термобатарею, внутренние спаи которой находятся в пазах секторных лепестков, образующих лучеприемную поверхность, а наружные - в окружающей среде и защищены от воздействия измеряемой тепловой радиации. Соединительные провода (медные), связанные с измерительным прибором, включают в разрыв одного медного термоэлектрода.Зазор между лепестками, обеспечивающий437927 4 Предмет изобретения Составитель Б. Голубь Редактор Т, Рыбалова Техред Т, Курилко Корректор Т, ХвороваИзд.1881 ПИ Государственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, РаушскаяТираж 760овета Министоткрытийаб., д. 4/5 ПодписноСССР графня, пр. Сапунова,их электроизоляцию друг от друга, делаютминимальным (10- - 10 -мм и менее). Датчик плотности полусферического излучения по авт. св. 254829, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений, его лучеприемная поверхность выполнена в виде тонких теплопроводящих электро- изолированных друг от друга лепеспков, в се редине которых заподлицо с их наружнымиповерхностями заделаны рабочие спаи звездообразной термобатареи.

Смотреть

Заявка

1811393, 19.07.1972

Ю. М. Агеев, Я. Д. Рудаков, А. Араб

АГЕЕВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ, РУДАКОВ ЯКОВ ДМИТРИЕВИЧ, АРАБЯНЦ ЗАВЕН АМАЯКОВИЧ

МПК / Метки

МПК: G01J 5/52

Метки: датчик, излучения, плотности, полусферического

Опубликовано: 30.07.1974

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-437927-datchik-plotnosti-polusfericheskogo-izlucheniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик плотности полусферического излучения</a>

Похожие патенты