Способ дефектоскопии тонких пленок
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 43760
Автор: Бибергаль
Текст
юМ ласс ТОРСНОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО НА ИЗОБРЕТЕНИЕ способа дефектоскопии тонк торскому свидетельству А. В, Бибергаль,1934 года (спр, о перв.1 О еьцаче авторского свидетельства олуоликов х пленок аявленному 15 ноября7167).о 31 июля 1935 года рования 1 - лучау нких объектов б 11 зг Широко известныи метод просвечивания рентгеновскими лучами очень малой жесткости, применяемый для исследования тонких объектов, требует специальных трубок и довольно сложной аппаратуры, Исследование тонких объектов (с помощью просвечивания) возможно тогда, когда применяется радиация, спо. собная очень сигьно поглощаться в небольших толщинах.Предлагаемый метод дефектоскопии тонких объектов заключается в применении для этой цели -лучей (сущеществующий же анализ преследует цель изучения только структуры исследуемого вещества на основе рассмотрения дифракционных картин). р - лучи следуют закону поглощения: 1, = 1, е , где 1 - интенсивность прошедшей через толщину х радиации, 1, - интенсивность пацающей радиации и а - коэфициент поглощения исследуемого вещества.Обладая с точки зрения дефектоскопии тонких образцов такими же преимуществами, как и мягкие рентгеновские лучи, т, е. способностью сильно поглощаться, что дает возможность обнаруживать малейшие изменения толщины образца, и способностью экспонировать фотопленку, что позволяет фиксировать (как при рентгеновских лучах) обнаруживаемые дефекты, р-лучи могут быть получены значительно легче, чем мягкие рентгеновы лучи,) Источником р - лучей может служитькак ленардовская трубка, так и радиоактивный препарат. В отношении первойнужно подчеркнуть, что потребная мощ ность не велика, в отношении же радио, активных препаратов надо указать сле.дующее. Радиоактивные препараты,в частности эманация радия, употребляются сравнительно давно и лишькак источники т - лучей для просвечивания очень больших толщин, причемв этом случае можно пренебрегать действием р - лучей,В иных же условиях постановки опытавозможно, как раз наоборот, пренебречь действием т-лучей по сравнениюс р.лучами. В самом деле, вследствиеочень большой жесткости ",-излученияпоследнее оказывает незначительноевоздействие на фотопленку (воздействие,которое будет пропорционально числуквант лучей или числу электронов, поглощенных в фотослое) по сравнениюс р - лучами. Поэтому время для экспонирования фотопленки при просвечивании тонких образцов при-лучах неизмеримо меньше (при том же числеиспускаемых частиц), чем при просвечивании толстых объектов т- лучами; последнее длится от 20 до 100 часов в зависимости от толщины объекта применяемого препарата.Время для экспониипри просвечивании то Удет приблизительно во столько разменьше времени экспонирования т - лучами того же радиоактивного источника,- а х - а хво сколько раз 2 е 1 меньше е- а хДвойка при е 1 поставлена в тоипредположении, что половина интенсивности р-лучей будет поглощена исследуеиой пленкой, в то время как длят - лучей поглощением в этой пленкеможно пренебречь и вести расчет поглощения в фотослое так, как будто до негодошла вся интенсивность- лучей.а и а - коэфициенты поглощения соответственно для р - и 7 - лучей, и х - 1толщина фотослоя, При это а; во многораз больше ат,Таким образом вследствие незна-чительности времени экспозиции для- лучей Т - лучи не будут успевать значительно ваулировать фотопленку. Кроме того возможно вообще избавиться от -лучей обычным способом, отклонив 7-лучи в магнитном поле. и пропустив их через щель в свинцовой ширме.Относительно мощности радиоактивного препарата как источника р - лучей нужно указать, что при рациональном устройстве ампулы для создания усло- вий наименьшего поглощения электронов в самом препарате и в стенках ампулы) можно считать число электронов приблизительно равным числу квант "-лучей. Предмет изоб ретени я.Способ дефектоскопии тонких пленок, Отличающийся применением при просвечивании и фотографировании быстрых электронов и в частности 3-лучей, Эксперт и редактор К Б. Васильев Т;,о.,пеааткь:й Труд". Згк. 427,; - 400
СмотретьЗаявка
157167, 15.11.1934
Бибергаль А. В
МПК / Метки
МПК: G01N 23/02
Метки: дефектоскопии, пленок, тонких
Опубликовано: 31.07.1935
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-43760-sposob-defektoskopii-tonkikh-plenok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ дефектоскопии тонких пленок</a>
Устройство для нагрева объектов в электронном микроскопе
Номер патента: 237291
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Жданов
МПК: H01J 37/26
Метки: микроскопе, нагрева, объектов, электронном
...10 а также относительно большой массы и поверхности патрона такие устройства инерционны и не позволяют нагревать объект до высоких температур.Предлагаемое устройство отличается тем, 15 что, с целью повышения максимальной температуры объекта и уменьшения инерционности нагрева, между патроном и сеткой расположен теплоизолирующий слой, например тонкая пленка кварца. 20На чертеже схематически изображено предлагаемое устройство.Оно состоит из металлического патрона 1, укрепляемого на стандартной втулке объектоеШастс атрона держателя 2. В патроне раз с объектом, отделенная от п теплоизолирующим слоем 4.Электронный луч 5, создав тельной системой микроскопа сетку, нагревает ее, а следова ленный на ней объект. Вслед масса сетки мала и...
Способ получения цветных позитивов изображения объекта, исследуемого при помощи электронного микроскопа
Номер патента: 150010
Опубликовано: 01.01.1962
Автор: Бахтин
МПК: G01N 23/00, G03B 33/02
Метки: изображения, исследуемого, микроскопа, объекта, позитивов, помощи, цветных, электронного
...производится либо непосредственным введением красителя в препарат объекта, либо при помощи оттенения деталей металлом. При таких способах окрашивания краситель или оттеняющий металл трудно отличить от исследуемого объекта. При более интенсивном окрашивании искажается собственная структура объекта,Предлагаемый способ окраски позитива изображения объекта состо в том, что при одном и том же увеличении элеронного кроскопа получают несколько негативов, причем первый получают с натив- ного препарата, а один или два последующих с того же участка препарата, окрашенного или оттененного металом. Полученные негативы отпечатывают через разные светофильтры на цветную фотобумагу.Применение этого способа окраски позитива изображения объекта...
Способ электронно-лучевого экспони-рования диэлектрических обектов
Номер патента: 803044
Опубликовано: 07.02.1981
Авторы: Ванников, Гришина, Заумыслов, Иванов, Смоляницкий
МПК: H01J 37/02
Метки: диэлектрических, объектов, экспони-рования, электронно-лучевого
...электронным лучом,Цель изобретения - упрощение технологического процесса и обеспечение сохранностиобъекта,Укаэанная цель достигается тем, что в кчестве проводящего слоя используют органические полупроводники,Э 1 Слой нан ойСоставитель В. ГаврюшинТехред А. Бабинец Корректор Г. Назарова Редактор М. Стрельникова Тираж 795 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5(полимер) выбирают нз условий, при которыхнанесенный слой сообщает диэлектрическомуобьекту поверхностную проводимость на уровне 10сим/см, а растворитель полимеране растворяет вещество объекта, После сушкиобъект на несколько часов помещают в рабочую камеру электроннолучевой установки,проводящую...
Способ электромагнитной дефектоскопии ферромагнитных объектов
Номер патента: 1293620
Опубликовано: 28.02.1987
Авторы: Домашевский, Колыхалов, Шкатов
МПК: G01N 27/82
Метки: дефектоскопии, объектов, ферромагнитных, электромагнитной
...1 переменного тока, поддерживая неизменным величину магнитного потока Фк. Изменения Ф к определяют по показаниям индикатора 11В процессе изменения часто ты Г регистрируют максимальное воз 1293620действие Б магнитных потоков рассеяния на.измерительный преобразователь 4 и по частотомеру 12 определяют соответствующую максимальному воздействию Цдчастоту Г . Затем 5 (при тех же условиях контроля) изменяют частоту Г,в 1 раз и измеряют новое воздействие Б, Полученная величина Г, позволяет определить возможные сочетания глубины залега ния и глубины трещины, а вычисленное отношение У/Удополнительно определяют из этого множества единственное значение глубины залегания и глубины трещины, 15Достигаемый результат можно .объяснить следующим...
Столик объектов электронного микроскопа
Номер патента: 399935
Опубликовано: 01.01.1973
Автор: Сто
МПК: H01J 37/26
Метки: микроскопа, объектов, столик, электронного
...кареткой 1 расположены пьезоэлементы 6 и 7, закрепленные на каретке или на толкателях 4 и 5, Пьезоэлементы 6 и 7 могут быть расположены и в других местах, например между толкателями 4 и 5 и роликами 8 и 9,Зазор между кареткой и толкателем регулируют винтом 10. К обкладкам пьезоэлементов6 и 7 подается напряжение от источников 15 и 12. Каретка при помощи гибкой связи 13(шарниров, нити, цепочки и т, д.) связана сподвижным сердечником 14, который втягивается в соленоид 15 магнитным полем, создаваемым током, протекающим по обмотке 1610 соленоида.Для усиления п еноиде может бытьзакреплен неподв ердечник 17. Питание соленоида пр я от источника 18.Величину тока р от нуля до нско 15 торого максималь ения, Источники 11,12, 18 входят в...
Предыдущий патент: Способ и устройство для определения твердости тонких пластин посредством склероскопического маятника типа д. и. менделеева
Следующий патент: Способ и прибор для взятия проб газовой смеси
Случайный патент: Способ испытания изделий навоздействие ускорения