Способ генерации дырочных центров окраски в диэлектрике

Номер патента: 803738

Опубликовано: 23.11.1983

Автор: Якунин

МПК: H01J 47/02

Метки: ионизационная, камера, спектрометрическая

...источника с поворотным механизмом, анода, сеточных и корректирующих электродов, а также подключенных к электродам спектрометрических усилителей, и схем управления, отделенных от высоковольтного электрода переходным конденса тором, катод выполнен в виде нескольких электрически .изолированных друг от друга секций, имеющих самостоятельные выводы из камеры для подключения их к усилителям и к схемам управления. Для удобства крепления препаратовк секциям катода их подложки выполнены из ферромагнитного материала,а секции катода соединены с держателями, выполненными из ферромагнитного материала, анод выполнен ввиде единой совокупности с переходным конденсатором, общим изолятороми общими охранными кольцами, а вкачестве диэлектрика...

Номер патента: 584626

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Арефьев, Воробьев

МПК: G01N 23/02

Метки: генерации, диэлектрике, дырочных, окраски, центров

...изобретения Составитель В. Макаров Техред В. Серякова Редактор Л, Письман Корректор В. Петрова Заказ 752/1 Изд, Мо 289 Тираж 1033 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5пр. Сапунова, 2 Типография,йроцесс радиационного отжига электрон. ных центров окраски.При этом процесс радиационного отжига окрашенных образцов при облучении позитронами происходит как в облучаемой, так и в необлучаемой позитронами части образца. До недавнего времени, фиксируя по оптическим спектрам поглощения разрушение электронных центров, окраски при позитронном отжиге, не следили за поведением дырочной полосы оптического поглощения. Оказалось, что при позитронном отжиге...

Номер патента: 927036

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Андрющенко, Гурьев, Денисов, Осипов, Панова, Стадник

МПК: G01N 27/22

Метки: дефектов, диэлектриках, обнаружения, радиационных

...на Фиг. 5 и б - результаты испытаний.Сущность предлагаемого способа заключается в следующем, Облученяый диэлектрический образец 1 (см.фиг. 1) с нанесенными электродами 2 и 3 помещают в нагревательную камеру, закрепляют между двумя металлическими пластинами 4 и 5, изолированными от образца слоями б и 7 диэлектрика. Затем осуществляют нагрев образца по линейному или гиперболическому законам ( см. Фиг. 2) со"скоростьюи таким образом, чтобы в процессе всего нагрева разность температур ЬТ между пластинами 4 и 5 была постоянной. Наличие разности температур между этими пластинами в процессе нагрева приводит к возникновению градиента температуры, который в свою очередь определяет постоянный тепловой поток в образце. Малая величина...

Номер патента: 1098466

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Пономарев, Приходько

МПК: H01L 21/66

Метки: вырождения, глубоких, квантомеханического, полупроводнике, фактора, центров

...разделаполупроводник в диэлектр с учетомтемпературного размытия, функции Ферми и по взаимному сдвигу полученныхспектров определяют квантомеханичес- З 5кий фактор вырождения глубоких центров,Способ осуществляют следующим образом.На поверхности исследуемого полупроводника, содержащего мелкую легирующую примесь, формируют слой туннельно непрозрачного диэлектрика,т,е. слой с толщиной, превышающейо100 А. При формировании этого слоя 45создают условия, обеспечивающие получение пассивированной границы разделаполупроводник-диэлектрик, в случаеиспользования в качестве исследуемогополупроводника кремния слой диэлектрика формируют окислением поверхности кремния в сухом кислороде с последующим отжигом в азоте, что дает плотность поверхностных...

Номер патента: 141907

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Каштанов, Крыжановский, Кузнецов

МПК: H01B 5/12

Метки: диэлектриков, поверхности, слоя, электропроводящего

...этих слоев находится в пределах 10 - 7070, Покрытый слоем меди диэлектрик подвергают воздействию паров серы при температуре 70 - 90 в закрытом сосуде в течение 0,5 - 5 час в результате чего на поверхности диэлектрика образуется электропроводящий слой, состоящий из сернистых соединений меди, В зависимости от толщины (светопропускания) слоя металлической меди получают электропроводящий слой сернистой меди с удельным поверхностным сопротивлением порядка 10 - 10 ом и светопропусканием в видимой и инфракрасной областях спектра порядка 30 - 90/О, С увеличением сопротивления прозрачность токопроводящего слоя возрастает,Описанный способ дает возможность получать слои, сохраняющие свои электрические и оптические свойства при длительном...