Патенты с меткой «дырочных»

Номер патента: 432797

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Арефьев, Воробьев

МПК: G01N 23/02

Метки: генерации, диэлектрике, дырочных, окраски, центров

...2Цель. изобретения - разработка бесконтактного способа генерации дырок в диэлектриках любого тина и состава, позволяющегополучить равномерную концентрацию устойчивых чисто дырочных центров окраски,Поставленная цель достигается облучением диэлектрика потоком позитронов, чтоприводит к созданию избыточной концентра- ция дырок, и последующим отжигом облу-ченного диэлектрика, позволяющим выделить чисто дырочные устойчивые центры 1 окраски,Прн прохождении потока позитронов через вещество происходит термалнзация позитронов и ионизирующих столкновениях с атомами вещества я образование равновесной концентрации как свободных электронов, . так и эффективных дырок в валентной зоне. Образовавшиеся таким образом электроннодырочные пары...

Номер патента: 584626

Опубликовано: 30.04.1980

Авторы: Арефьев, Воробьев

МПК: G01N 23/02

Метки: генерации, диэлектрике, дырочных, окраски, центров

...изобретения Составитель В. Макаров Техред В. Серякова Редактор Л, Письман Корректор В. Петрова Заказ 752/1 Изд, Мо 289 Тираж 1033 Подписное НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5пр. Сапунова, 2 Типография,йроцесс радиационного отжига электрон. ных центров окраски.При этом процесс радиационного отжига окрашенных образцов при облучении позитронами происходит как в облучаемой, так и в необлучаемой позитронами части образца. До недавнего времени, фиксируя по оптическим спектрам поглощения разрушение электронных центров, окраски при позитронном отжиге, не следили за поведением дырочной полосы оптического поглощения. Оказалось, что при позитронном отжиге...