420100

Союз Советских Социалистических Республик(32) ПриоритетОпубликовано 15.03,74. Бюллетень1 1) М. Кл. Н 031 с 3/28 Государственныи комитет Совета Министров СССР ва делам изобретений и открытий(088,8) Дат бликования описания 15,08.74 2) Автор изобретения Н, Ерофеев(71) Заявитель ЛЬТИВИБРА овышсние 15длительтем, что ов и кон- ЛС-связей20 вклюов 3, 30 Изобретение относится к области импульсной техники. Мультивибратор может быть использован, например, в качестве генератора тактовых импульсов, синхронизирующего устройства, задающего генератора импульсов, 5Известен мультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости с коллекторно-базовыми РС-связями. Такой мультивибратор имеет высокое значение скважности выходных импульсов, однако требует нали чия двух разнополярных источников питания и отличается значительным разбросом длительности импульсов и нестабильностью частоты их повторения.Целью изобретения является пстабильности частоты повторения иности импульсов. Это достигаетсямежду точками соединения резисторденсаторов коллекторно-базовыхвключен диод.На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого мультивибратора.Мультивибратор выполнен на транзисторах 1 и 2 разного типа проводимости с коллекторно-базовыми ЯС-связями, одна из которых 2 образована резистором 3 и конденсатором 4, а другая - резистором 5 и конденсатором 6, и содержит коллекторные нагрузки 7 и 8 (резисторы), резистор 9 и диод 10. Диодчен между точками соединения резистор 5 и конденсаторов 4, 6, Мультивибратор выполнен симметричным.После включения источника питания эмиттерные переходы транзисторов смещаются в прямом направлении. Выбором величины сопротивления резистора 9 добиваются того, что оба транзистора начинают работать в активном режиме, что обеспечивает мягкий режим возбуждения. При наличии достаточно большого (большего 1) коэффициента усиления в петле обратной связи процесс включения транзисторов развивается лавинообразно и заканчивается насыщением транзисторов. После насыщения транзисторов тока базы Уо каждого транзистора складывается из тока Ую, протекающего через резистор 9, и тока У, заряда конденсатора коллекторно-базовой РСсвязи, т, е. Уб = УО+УсЦепь заряда конденсаторов представляет собой импульсный мостовой элемент, образованный резисторами и конденсаторами коллекторно-базовых ЯС-цепей с диодом в одной диагонали и источником питания в другой. Конденсаторы 4 и 6 заряжаются независимо, каждый с постоянной времени О=С(г+га), где С - емкость конденсатора, г - сопротивление резистора коллекторно-базовой ЯС- связи, го - входное сопротивление насыщенного транзистора, Обычно гог и 61=Сг.Когда каждый из конденсаторов зарядится420100 Предмет изобретения Составитель Г, ЧелейРедактор Т. Юрчикова Техред Л. Богданова Корректор И. Позняковская Заказ 1910/14 Изд.1389 Тираж 811 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушскач наб., д. 4/5Типография, пр, Сапунова, 2 до напряжения, равного половине напряжения источника питания, отпирается диод 10 и ток заряда конденсаторов практически скачком падает до нуля, поэтому через время т=0,70 импульсная составляющая базового тока У, скачком уменьшается до нуля и остается только составляющая Ув, Составляющая коллекторного тока при этом равна Е/2 г. При выполнении условия Рд)2 Вмг, где Рв - сопротивление резистора 9, Вм - коэффициент усиления транзисторов по току, тока базы Уо недостаточно для насыщения транзисторов. Тогда при любом значении В(Вм через время т транзисторы выходят из режима насыщения, происходит лавинный процесс запирания и формирование импульса заканчивается. Транзисторы закрываются и далее транзистор 1 удерживается в запертом состоянии напряжением, накопленным на конденсаторе 6, а транзистор 2 - напряжением, накопленным на конденсаторе 4. Запирающее напряжение уменьшается от Е/2 до нуля за время /р, гдер 21 п 2 =. 0,3, С о Период колебаний определяется выражениемТ=/р+т - 1 р, скваяность -Так как)Вм, то д)Вм+12 гПериод генерируемых колебаний можно изменять величиной сопротивления резистора 9 5 путем его увеличения относительно минимального значения Яв =2 Вмг. Таким образом, зависимость длительностиимпульсов от разброса значений коэффициен та усиления транзисторов по току исключается. Исключается также зависимость периода колебаний, поскольку начальное напряжение на конденсаторах всегда фиксируется на уровне половины напряжения источника пи тания. 20 Чультивибратор на двух транзисторах разного типа проводимости с коллекторно-базовыми РС-связями, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения стабильности частоты повторения и длительности импульсов, между 25 точками соединения резисторов и конденсаторов коллекторно-базовых РС-связей включен диод.