420062

Номер патента: 610030

Опубликовано: 05.06.1978

Авторы: Алиева, Расулов, Решетняк

МПК: G01R 25/00

Метки: между, напряжением, сдвига, током, угла, фазового

...4 открывается с опережением, а тризпстор 11,с отставанием на 90 эд.грлд, от дцплйно онапряжения сети (системы), Есдц тепеи, птранзисторы 3 и 10 подучат сцгцод с трлцсформатора тока 19, на резисторах 15 ц 16сформируются прямоугодьпые импудьсы.Элемент сравнения 1, вход которого подключен к дцнейпому напряжению погрузи 25через токоогрлнцчиваошй резистор 1 Ь, с олнивает по фл;ю сигнады на резцсторлх 15 и16 с напряжетшем сети шуптцровлнем элементов И. Бцрцнл импульса, полученного врезультате сравнения, дает венчну слитофаз. При этом через резистор 20, подключен к точкам 21 и 22, протекает 1 ок, нлправденце которого меняется прц змепонцхарактера нагрузки (знака фазового сдвгл),Есдц, например, пагрузкл емкостцля, ток З 5протекает от пдюсл...

Номер патента: 144324

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Райцын

МПК: G09B 23/18

Метки: демонстрации, зависимости, кольцевом, магнитного, между, направлением, поля, проводнике, создаваемого, током

...транспаранта, который устанавливается таким образом, чтобы нанесенная на нем стрелка 10 направления кругового тока совпала с направлением указателя 4. Расположенная в фи. гурном вырезе 11 транспаранта магнитная стрелка 12 при прохождении по катушке 3 тока поворачивается из положения вдоль магнитного меридиана Земли, которое она занимала при обесточенной катушке 3, в положение, перпендикулярное плоскости катушки 3, магнитная полярность которой определяется по полюсам стрелки 12 в соответствии с иллюстрацией транспаранта 5. Для включения тока используется выключатель 1.Если при помощи переключателя 14 изменяется направление тока в катушке 3, то оно изменяется также и в обмотке двигателя 2, благодаря чему транспарант 5 совершает...

Номер патента: 1061061

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Бердичевский, Гантимуров

МПК: G01R 25/00

Метки: между, напряжением, сдвига, током, фаз, цепях, энергетических

...2 тока, а выход через интеграторы 3 и 4 и компаратор 5 - с первымвходом элемента б ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ,выход которого соединен черезфильтр 7 и усилитель 8 с индикатором 9, Входная клемма 10 напряжениячерез интегратор 11 и компаратор 12соединена с вторым входом элемента б ИСКЛЮЧАЮЩЕЕ ИЛИ.Устройство работает следующимобразом.В энергетических цепях, для которых предназначено устройство, в входных сигналах могут присутствовать2-я, 3-я и 5-я гармонические составляющие, Измерение угла сдвига фазмежду током и напряжением заключается в измерении угла сдвига фаэ между первыми гармониками сигналов,Токовый сигнал через клемму 2 Устройства.поступает на трансформатор 1,который осуществляет развязку последдовательной и параллельной цепейпо постоянному...

Номер патента: 434395

Опубликовано: 30.06.1974

Автор: Темрезов

МПК: G05F 1/56

Метки: импульсные, импульсный, постоянного, проводимости,уз, различного, регулирующий, содержащие, составной, стабилизатор, стабилизаторы, типа, тока1из1вестны, транзистор, транзисторах

...делителем в цепи коллектора и резпстивцый делитель смещения составного транзистора, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежности и упрощения, в стабилизатор до полнительно введены два конденсатора, одиниз которых включен между отводом рсзцстив ного делителя смещения и эмпттером состав ного транзистора, другой - ,между базой составного транзистора и отводом резистпвцого 0 делителя в цепи коллектора коммутирующеготранзистора. Известны импульсные стабилизаторы напряжения постоянного тока, содержащие составной регулирующиц транзистор па транзисторах различного типа проводимости, узел управления, коммутирующий транзистор с резистивньом делителем в цепи коллектора и резистивный делитель смещения составного...

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...