416147

Номер патента: 806653

Опубликовано: 23.02.1981

Авторы: Метелкин, Чепюк, Яковлев

МПК: C04B 37/02

Метки: металлической, пластиной, соединениядиэлектрика, торцового

...э 5между соединяемыми поверхностямипористой металлической прокладки ипропитку последней легкоплавким припоем, на диэлектрическую пластинупредварительно наносят медь-хромовоепокрытие, после чего отжигают. в среде водорода при 700-900 С в течение5-15 мин.Нанесение покрытия хром-медь обеспечивает хорошее смачивание диэлектрической пластины легкоплавким припоем. Отжиг при 700-900 С, то естьпри температурах значительно превышающих температуру пайки (200-400 оС),повышает адгезию покрытия хром-медьк диэлектрику, уменьшает химическую 40активность напыленного слоя меди,а следовательно, и эрозию медногослоя покрытия в жидком припое припрочих равных условиях. В результатеэтого возрастает качество паяных соединений диэлектрик-металл,П р и м е р...

Номер патента: 1597671

Опубликовано: 07.10.1990

Автор: Дерюгин

МПК: G01N 3/00

Метки: металлической, образца, пластины

...прокатку средней части заготовки путем продольного перемещения образца между вращающимися роликами, уменьшая при этом расстояние между валками до тр ся снижение расхода материала и трудоемкости изготовления образца для испытания материала, подвергаемого пластической деформации. Заготовку устанавливают между валками прокатного устройства и прокатывают,оставляя нетронутыми концы ее на расстояниях от края, равных длине захватной части образца. Длину Ь заготов" ки выбирают из соотнощения Ьр6 + б 3Ь - длина образца; 1 - длин бочей части; Б. - радиус валков; Н - толщина заготовки; Ьр - толщина рабочей части образца. 1 ил. Ь образца. Возвоое перемещение засоответственно иние вращения,осущательного формироометрии образца.товки, необходимуюной...

Номер патента: 1671412

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Замах, Шумейко, Щебров

МПК: B22F 3/11

Метки: высокопористых, металлических, пластин, структуры, ячеистой

...очистки при фильтрации. 25В то же время, при заданном диапазонедавления слои материала с большей толщиной покрытия деформируются незначительно, а поверхностные слои противоположнойграни, у которых й - Ьмакс, не деформируются, что обеспечивает сохранение высокойпористости материала, а следовательно, иего высокой проницаемости, Таким образом,в результате осуществления операцийпредлагаемого способа получают пластинывысокопористого ячеистого материала с неравномерным порораспределением по толщине, обладающие одновременно прималой толщине пластин высокой проницаемостью и высокой тонкостью очистки (благодаря малым размерам пор в одном изграничных слоев материала), что способствует повышению эффективности изделий,П р и м е р 1. В...

Номер патента: 1767522

Опубликовано: 07.10.1992

Автор: Кабарухин

МПК: G10K 11/00

Метки: жидкости, звукопоглощения, металлической, пластиной, создания

...мгновенно на всей озвученной поверхности металлической пластины-границы тончайший слой из монорадиусных пузырьков, резонансных " частоте распространяющегося через него акустического излучения, с огромной концентрацией в пределах толщины слоя (для излучения с частотой 260 кГц, слой из резонансных этой частоте монорадиусных пузырьков толщиной з 25 микрон формируется в течение долей секунды), Поскольку поперечное сечение рассеяния пузырька, резонансного частоте облучающего его акустического излучения, в 2,16 10 раз боль 4ше его геометрического сечения, то при включении электролизного тока поверхность металлической пластины покрывается сплошным и непрерывным тонким резонансным слоем газа, на котором в силу существенного различия в...

Номер патента: 1824648

Опубликовано: 30.06.1993

Автор: Кабарухин

МПК: G10K 11/00

Метки: жидкости, звукопоглощения, металлической, пластиной, создания

...При выключении электролиэного напряжения, этим моментам времени соогветствуют задние фронты подаваемых на злектролизные пластины импульсных напряжений, сформировавшиеся слои резонансных частот распространяющегося через них сигнала приграничных пузырьков мгновенно исчезнуть не могут. Сформировавшаяся оптимальная для частоты распространяющегося сигнала структура слоя в течение нескольких секунд сохраняется, а затем начинает постепенно разрушаться в результате диффузии газа иэ пузырьков в жидкость, коагуляции пузырьков и их всплытия и т.п. Соответственно, вначале средний уровень сигнала, претерпевшего поглощение на сформировавшейся системе слоев, в течение нескольких секунд остается практически постоянным, а затем начинает возрастать в...