414700

Номер патента: 673086

Опубликовано: 15.08.1987

Авторы: Лаупмаа, Тийкмаа

МПК: H01L 27/04

Метки: генератора, интегральная, стабильного, схема

...металлизации 10;4 дорожки металлизации 11, 12, 13,14, 1 б, 17, 18, 19 полупроводниковыхэлементов;цорожка металлизации 15 начального источника к отрицательной шиненапряжения питания,На фиг.2 представлен полупроводниковый элемент генератора стабильного тока, где изображены:изолирующий окисел 20,и подконтактная область 21 к базе латерального транзистора (нижнийзатвор полевого тетрода);изолирующий окисел "карман" 22;пф скрытый слой 8;30 35 40 45 50 55 монокристалл полупроводника и-типа, база латерального транзистора 23;и+ верхний затвор полевого тетрода 3;р - канал полевого тетрода 24; р+(р) сток полевого тетрода 5; р+(р) исток полевого тетрода и коллектор латерального транзистора 2,р+(р) эмиттер 7 р-и-р латерального...

Номер патента: 565401

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Морозов, Осипов

МПК: H04L 7/04

Метки: генератора, колебаний, компенсации, местного, относительно, принимаемых, связи, сигналов, системах, тоактового, фазы, цифровых

...импульсов считывания.Изменение времени прохождения принимаемых сигналов в олок 5 буферной памяти осуществляется при фиксируемом дополнительном элементе И 13 совпадении импульсов управления записью с сигналом первой временной зоны, получаемым с выхода первого дополнительного формирователя 9 вспомогательных последовательностей импульсов, при условии, что триггер 17 в момент совпадения определяет выбор первой последовательности импульсов считывания, Кроме того, изменение времени прохождения производится при фиксируемом с помощью второго дополнительного элемента И 16 совпадении импульсов управления записью с сигналом четвертой вреслекной зоны, получае.лым с выхода второго дополнительного формирователя 12, вспомогательных...

Номер патента: 1193791

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Лужаев, Матавкин

МПК: G05B 1/01, H03K 5/24

Метки: каскад, стробирования, схемой

...исключения влияния стробирования,на характеристики схемы каскада.На .чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого каскадасо схемой стробирования,Каскад со схемой стробированиясостоит иэ дифференциального усилителя, построенного на первом 1 ивтором 2 транзисторах, в коллектор-.ные цепи которых подключены соответственно третий 3 и четвертый 4 транзисторы, а в эмиттеры цепи транзисторов.1 и 2 - источник 5 тока, коллекторы транзисторов 3 и 4 соединеныс резисторами 6 и 7 нагрузки, цеписмещения, построенной на.первом стабилитроне 8; первом 9, втором 10 итретьем 1 1 диодах, первом резисторе12, а также втором 13 и третьем 14резисторах, пятом 15 и шестом 16транзисторах и четвертом 17 резисторе, переключающихся седьмого 18...

Номер патента: 560188

Опубликовано: 30.05.1977

Автор: Минцерис

МПК: G01R 23/20

Метки: анализатор, колебаний, металлорежущих, спектра, станков, фаз

...14 и 15, выходной прибор 16, делитель кратных частот 17, фазометр 18.Анализатор работает следующим образом.Сигнал с генератора 1 фиксированной частоты 1 о смешивается с сигналом генератора 2 частоты со на смесителе 3. Фильтром 4 выделяется составляющая частоты 1 о - со и делится по частоте в делителе кратных частот 5 на число п, равное номеру кратности гармоники, подлежащей исследованию. Напряжение на выходе делителя 5, имеющее частотуХ -1иусиливается по мощности усилителем 6 и подается на вход вибратора 7 возбуждающегоусилия, регистрируемого измерительным преобразователем 8 на входе упругой системыстанка 9. Сигнал вибрационного перемещенияна выходе станка 9 регистрируется измерительным преобразователем 10. Вследствие нелинейности...

Номер патента: 1164856

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Василенко, Колесник, Коропец, Костенко, Сорокопут

МПК: H03B 5/32

Метки: акустических, волнах, генератор, задержки, линией, поверхностных

...получения незатухающих колебаний необходимо выполнить условие баланса амплитуд и у - . ловие баланса фаз.Суммарный фазовый набег в замкнутой петле, образованной уселительным каскадом на транзисторе 1 и инвертором 2 равен2 Зс ине40 где У - суммарный фазовый набег;1,с - фазовый сДвиг, вносимыйусилителем на транзисторе 1,Ун - фазовый сдвиг, вносимый инвертором 2.Если выбрать величину.индуктивности первой катушки индуктивности 3 так, чтобы параллельный колебательный контур, образованный первой ка; тушкой индуктивности 3 и статической 50 емкостью первого ВШП 6 был бы настроен на частоту генерации, тогда Ч =я, Поскольку Чн, =я, то М =Т(+я=2 Г, т.е. выполняется условие баланса фазВ эмиттерной цепи транзистора 1 образуется колебательный...