414594

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспубпик висимое от авт. свидетельства-явлено 24.1 Ъ.1972 ( 1777297/18-24) 6 06 с присоединением заявкисударственный комитетсвета Министров СССРоо делам иэооретенийи открытий иорите Опубликовано 051974. Бюллетень5 Дата опубликования описания 20.И.1974 ДК 681 335 4(088 8 Автор забретения окофь Заявитель а политехническии инститИ. Ленина ЛИНЕЙНАЯ УПРАВЛЯЕЛ области автоматиправляемым коэф жащие транзистордифференциаль чь и резисторы. потенистока,Харьковский ордена Ле им.Изобретение относится к ки и вычислительной техниИзвестны устройства с у фициентом передачи, содер например, МОП-структурь ьый операционный усилите Предложенное устройство отличается от известных тем, что в нем выход операционного усилителя соединен с затвором транзистора, который через первый резистор соединен с вычитающим входом операционного усилите. ля, подключенного через второй и третий резисторы соответственно к управляюцему и питающему входам устройства, а суммирующий вход операционного усилителя через четвертый и пятый резисторы соединен соответствешьо с истоком и стоком тразистора и через шестой резистор подключен к шине нулевого потенциала. Причем подложка транзистора через седьмой и восьмой резисторы соединена соответственно с истоком и стоком транзистора.Это позволило упростить устройство и повысить его точность.Блок-схема устройства приведена на чертеже,Устройство содержит транзистор 1, дифференциальный операционный усилитель 2 и резисторы 3 - 10,Переход сток - исток транзистора 1 используется в качестве управляемой проводимости, велпчьша которои изменяется в зависимости от потенциала затвора (Аь поступающего с выхода усилителя 2.Резисторы 10, 9 используются в качестведелььтеля ььап 1)яжеьья, к среднеи точье ьсоторого подключена подлаькка транзистора 1.Это позволяет использовать проводимость вцепях со знакоперсмеььнььм напряжением.Вольт-амперные характеристики МОП 1 ранзистора 1 при работе в омической области описываются уравнением.-=-К - С 7)С 05 игде Г= С, - С 1 - напряжение между затворам и истоком;ь 1 = У - С 1 - ььапряжение между стоком ь 1 истоком;з и- соответственноциала затвора,стока;К, - пороговое напряжениена затворе, при которомпоявляется так стока (К - коэффициент пропорциональности, имеющийразмерность проводимости и зависящий отсвойств транзистора," си 11 ю - г -: ( 0,5 У,; У5, О. 1 у Ьг Сотагпггель 36. Козлов Техред Т. Ускова Карре:.тор Г. Филатова Редактор Л. Утехина Заказ 136818 1 за485 Тираж 624 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж.35, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 Причех 1 Вольт-а."перпые характеристикиг Гсп, Уап) ЯВЛЯ 10 ТСЯ аСИММЕТРИП 1 ЫМИ И пс.пцсйцыми. Проводимость имеет симметричную линейную вольт-амперцую характерис:цку, Величина которой пе зависит от потеп- ППаЛОВ Ьс, Г.гп П ПРОПОРЦИОНаЛЬНа ВЕЛИЧИНЕ ггап 1 гижепиЯ УпРавлениЯ - ,гу.Потенциал затвора с,с. действуоший на выходе усилителя 2, равен, . - .: - (у+ ,) + О,5 (с+ и), (2) где Ьу - напряжение управления;К= - (гп - опорное напряжение.Выражение (2) выполняется в том случае, когда резисторы 3 - 7 одинаковы по величине номинала Р) 1 мгома, а резистор 8 имеет величину 0,25 гх.С учетом выражения (2) выраукецие (1) запишется так Таким образом, если управление величиной ПРОВОДИМОСтн ОСУЩЕСТВЛ 5 гт Ь ОТРПгатЕЛЬ 11 ЫМ Нап 1 ЭЯ 5 КЕППЕ - (/х, ВЕУгИЧИН;1 П 1 ЗОВОДПМОСТ 1 линейно зависит от Ь и нс загпсит от потенциалов .гс и .1-; Выражения (3), (4) имеют место при вг:гголцеции условий: Если подложка транзистора 1 изолирована,то приведенная схема управляемой проводимости может работать в цепях со знакопереМсцггыв ПЯП 11 ЯЖЕПИЕМ lсп. ОДцаКО ПРП ЭТОМ 5 транзистор 1 чрезвычайно чувствителен квнешним помехам, что вызывает необходимость экранировать его. С целью исключения этого, подложка транзистора 1 подключена к средней точке делителя, составленного из ре зисторов 9, 10, в качестве которых должныбыть использованы сопротивления очень большой величины, чтобы исключить шунтирование сопротивления сток в ист транзистора 1. 15 Предмет изобретения Линейная управляемая проводимость, содержащая транзистор, например, МОП-структуры, дифференциальный операционный уси 20 лизель и резисторы, отличающаяся тем,гто, с целью повышения точности и упрощеЦИЯ УСтРОйетва, В ПЕй ВЫХОД ОПЕРаЦИОННОГОусилителя соединен с затвором транзистора,который через первый резистор соединен с25 вычигающим входом операционного усилителя, подключенного через второй и третий резисторы соответственно к управляющему ипитающему входам устройства, а суммируюгций вход операционного усилителя через30 чствертыгг и пятый резисторы соединец соответственно с истоком и стоком транзистораи через шестой резистор подклгочец к шиненулевого потенциала; причем подложка транзггстора через седьмой и восьмой резисторы35 соединена соответственно с истоком и стокомтранзистора,