413627

Номер патента: 1248053

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Иткин, Попов, Сосульников, Тул

МПК: H03K 17/60

Метки: ключ, электронный

...часть тока управления, протекающая через переход база-эмиттер транзистора 11, поступает на токовый вход блока 6 сравнения. Блок 6 срав нения в зависимости от величины разности потенциалов между .базой и коллектором транзистора 2, которая приложена между его первым и вторым входом, меняет соотношение токов 30 на своих первом и втором выходах.В пусковом режиме работы электронного ключа падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер транзистора 2 превышает падение напряжения на его база-эмиттерном переходе.35 При этом в блоке 6 сравнения транзистор 12 запирается, а транзистор 13 открывается и ток, поступающий на токовый вход блока 6 сравнения, уси"ливается транзисторами 1 и 3, так как транзистор 16 отражателя 7 тока закрыт, тем самым...

Номер патента: 765955

Опубликовано: 23.09.1980

Автор: Проценко

МПК: H02M 7/537

Метки: инвертор, транзисторный

...указана на чертеже,Под действием напряжения на обмотке 7транзистор 4 поддерживается в насыщенномсостоянии за счет тока, протекающего поцепи-обмотка 7, база-эмиттерный переходтранзистора 4, диод 12, резистор 6, обмотка 7. Величина этого тока устанавливаетсявыбором величины сопротивления резистора б из условия обеспечения надежного насыщения транзистора 4 при максимальномтоке нагрузки интвертора.Под действием напряжения на обмотке10 по цепи-обмотка 10, диод 12, база-эмиттерный переход транзистора 4, резистор 8,коммутирующий дроссель 9 протекает ток.Направление этого тока - через диод 12,база-эмиттерный переход транзистора 4встречно направлению тока от обмотки 7.Однако величина этого тока очень малавследствие наличия в цепи дросселя 9,...

Номер патента: 1424656

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Захаров, Левицкий, Левкович, Синкевич, Шелчков, Шибанов, Щиголь

МПК: H01L 29/73

Метки: высокочастотный, мощный, транзистор

Мощный высокочастотный транзистор, сформированный в корпусе с выводами эмиттера, базы и коллектора и содержащий ряд параллельно включенных транзисторных структур с электродами эмиттера, базы и коллектора и балластными резисторами в эмиттерной цепи, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических параметров транзистора путем обеспечения равномерного распределения тока между отдельными структурами, в корпусе транзистора на его эмиттерном выводе напротив каждой транзисторной структуры установлены полупроводниковые кристаллы, на каждом из которых сформированы RC-цепочки, представляющие собой параллельно соединенные балластный резистор и конденсатор, при этом один конец каждой RC-цепочки соединен проводником с эмиттерным электродом, а...

Номер патента: 1039413

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Афонин, Мазель, Стесин

МПК: H01L 29/72

Метки: биполярный, высоковольтный, транзистор

...При этом в двух образовавшихся зазорах будет падать напряжение примерно по 500 В, а на поверхности, расположенной за второй кольцевой областью, пространственный заряд будет расширяться, но поверхностного пробоя не наступит, так как до этого произойдет объемный пробой при напряжении порядка 1200 3. При снижении поверхностного удельного сопротивления в 5 раз, т.е. до 10 Ом, ширина пространственного заряда,при которой произойдет паверхностньй пробой, снизится до,примерно, 30 мкм,. а напряжение поверхностного пробоя :упадет до 400 В. В соответствии с этим для обеспечения поверхностного пробивного напряжения свьппе объемно" го, т.е. свьппе 1200 В, необходимо вокруг основного перехода создавать не менее 3 кольцевых областей на расстоянии не...

Номер патента: 1251297

Опубликовано: 15.08.1986

Автор: Лебедев

МПК: H03K 3/335

Метки: генератор, импульсов

...через переменный резистор 8 - к шине 4 питания, а эмиттером - к аноду диода 6 и обкладке времязадающего конденсатора 9, вторая обкладка которого соединена с шиной 3 питания.При подключении источника питания начинается заряд конденсатора 9 по цепи: положительная шина 4 - резистор 5 - переход база-эмиттер транзистора 7 - конденсатор 9 - отрицательная шина 3, Базовый ток транзистора 7 вызывает появление коллекторного тока и дальнейший заряд конденсатора 9 идет эмиттерным током транзистора 7, равным сумме коллекторного и базового токов, При этом соотношение величин сопротивлений резисторов 5 и 8 подбирается таким образом, что транзистор 7 во все время заряда конденсатора 9 находится в насыщенном состоянии. По мере заряда конденсатора 9...