Транзисторный инвертор

О П И С А Н И Е (111765955ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(51) М. Кл.з Н 02 М 7/537 Государстеенный комитет Опубликовано 2.09.80. Бюллетень35Дата опубликования описания 28.09.80по делам изобретений и открытий(54) ТРАНЗИСТОРНЫЙ ИНВЕРТОР 1Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано в устройствах электропитания систем автоматики и вычислительной техники.Известны транзисторные и иве рторы, в которых в качестве времязадающего элемента используется коммутирующий дроссель (дроссель насыщения) с сердечником из материала с прямоугольной петлей гистерезиса.В инверторе, содержащем выходной трансформатор с обмотками положительной об 1 атной связи и переключающие транзисторы, коммутирующий дроссель включен между базами транзисторов через другую обмотку отрицательной обратной связи, расположенную на выходном трансформаторе 1.Недостатком этого инвертора являются большие динамические потери в транзисторах, особенно при повышении частоты преобразования.Это объясняется тем, что после насыщения коммутирующего дросселя одновременно с запиранием одного транзистора происходит отпирание другого, что приводит к развитию сквозных токов, во много раз превышающих величину рабочего тока. вызы 2вающих большие потери в транзисторах, причем с ростом частоты эти потери возрастают.Известен инвертор, в котором обмоткиобратной связи через ограничительнь 1 е резисторы и диоды подключены к базам транзисторов; между базами этих транзисторов вк,пючен коммутирующий дроссель 2.При работе такого инвертора на повышенных частотах, когда требование к симметрии приложенного к коммутирующему дрос селю напряжения особенно велики, приходится дополнительно увеличивать напряжение на обмотках обратной связи, чтобы уменьшить влияние разброса характеристик диодов и база-эмиттерных переходов транзисторов на симметрию напряжения. При этом напряжение на обмотках обратной связи может достигать величины 5 - 10 В, что превышает допустимое значение для высокочастотных транзисторов. Защита эмиттерных переходов транзисторов от пробоя с по мощью диодов в этом инверторе невозможна, так как нарушает его работоспособность.При использовании в таком известноминверторе сплавных транзисторов, допускающих большое обратное напряжение эмиттерного перехода, но имеющих низкую граничную частоту, нельзя повысить частотупреобразования свыше 3 - 5 кГц из-за больших потерь в транзисторах. Это ограничивает область применения известного инвертора.Наиболее близким к предлагаемому потехнической сущности является транзисторный инвертор, содержащий выходной трансформатор и переключающие транзисторы,между базами которых включена через двапоследовательно соединенных резистора обмотка положительной обратной связи. Параллельно цепи из обмотки обратной связи иодного из указанных резисторов включен однообмоточный коммутирующий дроссель.Входные цепи транзисторов зашунтированывстречно включенными диодами. Устройство снабжено также вспомогательным выпрямителем с фильтром, подключенным к отдельной обмотке выходного трансформатора. Выход этого выпрямителя через резисторы подключен к базам транзисторов 131.Недостатком такого инветора являетсяограниченный частотный диапазон, так какпосле насыщения сердечника коммутирующего дросселя управляющее напряжениеуменьшается до нуля и ранее открытый транзистор запирается током, протекаюшим отвспомогательного выпрямителя, величинакоторого выбирается в два-три раза большей, чем обратный ток коллектора транзистора. При такой малой величине запираюшего тока транзистор запирается практически пассивно, что увеличивает время рассасывания заряда в базе и ограничивает рабочую частоту.Для быстрого рассасывания заряда величина запирающего тока должна быть одного порядка с током базы открытого транзистора. Однако увеличение запирающего тока требует соответствующего увеличения иоткрывающего тока, так как запирающийток втекает и в базу открытого транзистора,что приводит к увеличению потерь в цепяхуправления в два-четыре раза.Цель изобретения - повышение частотыпреобразования инвертора,Поставленная цель достигается тем, что в устройстве, содержащем выходной трансформатор, переключающие транзисторы, переходы база- эмиттер которых зашунтированы диодами, включенными в непроводящем направлении, между базами которых включены через ограничительный резистор обмотка положительной обратной связи и через другой ограничительный резистор и коммутирующий дроссель обмотка отрицательной обратной связи, выходной трансформатор снабжен дополнительной обмоткой отрицательной обратной связи, крайние выходы которой через другие диоды соединены с базами транзисторов, а ее средний вывод через 3 19 15 26 И 30 зз 40 43 56 М третий ограничительный резистор соединенс эмиттерами обоих транзисторов. На чертеже изображена принципиальнаяэлектрическая схема инвертора.Инвертор содержит выходной трансформатор 1 с коллекторными полуобмотками 2,3, переключающие транзисторы 4, 5, между базами которых включены через ограничительный резистор 6 обмотка положительной обратной связи 7 и через другой ограничительный резистор 8 и коммутирующийдроссель 9 обмотка отрицательной обратной связи 10, а базо-эмиттерные переходызашунтированы диодами 11, 12, причем крайние выводы дополнительной обмотки 13 через диоды 14, 15 соединены с базами транзисторов, а средний вывод через ограничительный резистор 16 - с эмиттерами обоихтранзисторов.Инвертор работает следующим образом.После подачи питания, вследствие наличия глубокой положительной обратной связи, один из транзисторов окажется насыщенным, а другой - запертым, При насыщенном транзисторе 4 все напряжение источника питания оказывается приложеннымк коллекторной полуобмотке 2 трансформатора 1, а на всех остальных обмотках этого трансформатора наводится напряжение,полярность которого указана на чертеже,Под действием напряжения на обмотке 7транзистор 4 поддерживается в насыщенномсостоянии за счет тока, протекающего поцепи-обмотка 7, база-эмиттерный переходтранзистора 4, диод 12, резистор 6, обмотка 7. Величина этого тока устанавливаетсявыбором величины сопротивления резистора б из условия обеспечения надежного насыщения транзистора 4 при максимальномтоке нагрузки интвертора.Под действием напряжения на обмотке10 по цепи-обмотка 10, диод 12, база-эмиттерный переход транзистора 4, резистор 8,коммутирующий дроссель 9 протекает ток.Направление этого тока - через диод 12,база-эмиттерный переход транзистора 4встречно направлению тока от обмотки 7.Однако величина этого тока очень малавследствие наличия в цепи дросселя 9, выполненного на сердечнике из материала спрямоугольной петлей гистерезиса, и поэтому на результирующую величину и направление тока через диод 12 и база-эмиттерный переход транзистора 4 практическине влияет.Г 1 од действием напряжения левой (посхеме) половины обмотки 13 по цепи - обмотка 13, резистор 16, диод 12, диод 14 -протекает ток. Направление этого тока через диод 12 совпадает с направлением тока через этот диод от обмотки 7,Прямое падение напряжения на диоде12 от протекающего через него тока приложено в запирающем направлении к база 765955эмиттерному переходу транзистора 5 и поэтому поддерживает его в запертом состоянии. Диод 15 при этом заперт напряжением правой (по схеме) половины обмотки 13 и ток через него не протекает,Через время, определяемое напряжением обмотки 10 и параметрами коммутирующего дросселя 9, последний переходит в насыщенное состояние и вследствие этого ток через обмотку 10 скачком возрастает до величины, ограниченной, в основном, значением сопротивления резистора 8. Величина этого тока выбирается большей, чем ток обмотки 7. Поэтому результирующее направление тока через база- эмиттерный переход транзистора 4 изменяется на противоположное. Транзистор 4 при этом продолжаег оставаться в насыщенном состоянии на время рассасывания заряда в его базе. Выбором величины тока обмотки 10 ток, рассасывающий заряд в базе транзистора 4, можно сделать достаточно большим, что обеспечивает форсированное запирание этого транзистора.Так как возросший по величине ток обмотки 1 О протекает и через диод 12 встречно токам обмотки 7 и 13, то результирующее направление тока через этот диод может измениться на противоположное. При этом диод 12 запрется, а транзистор 5 откроется, и через него, а также через транзистор 4, будут протекать сквозные токи, вызывающие большие динамические потери в транзисторах. Чтобы этого не произошло, величину тока обмотки 13 необходимо выбирать большей, чем разность токов обмоток 10 и 7. При этом направление тока через диод 12 после насыщения коммутирующего дросселя 9 не изменится, и транзистор 5 останется запертым на все время рассасывания заряда в базе транзистора 4.После рассасывания избыточных носителей в базе транзистора 4 он переходит в активный режим работы и быстро запирается. Напряжение, приложенное к коллекторной полуобмотке 2 трансформатора 1, при этом быстро исчезает, что приводит к пропаданию напряжения и на всех других обмотках. Однако вслед за этим, за счет реактивной энергии, Накопленной в трансформаторе, на обмотках появляется напряжение противоположной полярности. При этом сердечник коммутирующего дросселя 9 выходит из режима насыщения и начинает перемагничиваться в обратном направлении, индуктивное сопротивление дросселя 9 резко возрастает, а ток через него уменьшается до малого по величине тока намагничивания. В цепи обмотка 7, резистор 6, база- эмиттерный переход транзистора 5, диод 11, обмотка 7 возникает ток, вызывающий открывание транзистора 5, поэтому напряжение питания Прикладывается к другой коллекторной полу Формула изобретения 4 О 45 50 3 10 1 29 3 обмотке 3 трансформатора 1, и все процессы в устройстве повторяются. При этом транзистор 4 оказывается запертым, а токи обмотки 10 и правой (по схеме) половины обмотки 13 протекают через диод 1.Введение дополнительной обмотки, крайние выводы которой через другие диоды соединены с базами транзисторов, а ее средний вывод через резистор соединен с эмиттерами обоих транзисторов, форсирует запирание транзисторов и тем самым повышает рабочую частоту.Распределение функций обеспечивания величины отпирающего тока и напряжения перемагничивания коммутирующего дросселя между различными обмотками позволяет выбирать напряжение положительной обратной связи достаточно низким, исходя только из стабильности величины базового тока открытого транзистора, а напряжение обмотки отрицательной обратной связи, через которую протекает на этапе перемагничивания коммутирующего дросселя малый по величине ток намагничивания, - высоким, обеспечивающим заданную симметрию напряжения на коммутирующем дросселе. Это позволяет, учитывая малое напряжение дополнительной обмотки, уменьшить потери в базовых цепях инвертора. Отпирание ранее запертого транзистора в предложенном устройстве происходит только после полного рассасывания носителей в базе ранее открытого транзистора, при этом отсутствуют сквозные токи, что обеспечивает малые динамические потери в транзисторах интвертора и высокую его экономичность при высоких частотах преобразования. Транзисторный инвертор, содержащий выходной трансформатор с обмотками положительной и отрицательной обратной связи, которые подсоединены между базами силовых транзисторов, соответственно через первый ограничительный резистор и через второй ограничительный резистор и коммутирующий дроссель, а их базо-эмиттерные переходы зашунтированы диодами, включенными в обратном направлении, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты преобразования, выходной трансформатор снабжен дополнительной обмоткой, крайние выводы которой через дополнительные диоды подсоединены к базам силовых транзисторов а средний вывод через дополнительный ограничительный резистор, - к их эм,:,ттерам. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Ргосеейпо. о 1 МЕС, 1958, ч. 14, Рц 1- соисИ К. Р Соггу Т. М. Лрр 11 са 1 опз о 1 за 1 цгаЫе согез 1 п 1 гапэ 1 йог ровег сопчес 1 огз.. Вигу 1130 илиа 2. Узберг Н. П. и др. Преобразователь постоянной напряжения с облегченной коммутацией, М., Радиотехника, 1968, т. 23,8, рис. 4. ИИПИ Государстве по делам изобре5, Москва, Ж - 35 ППП Патент, г. 3. Гальс Б. К. Ультразвуковой преобразователь постоянного напряжения с облегченной коммутацией, М., Радиотехника, т. 31,7, рис. 3. ин Корректор ПодписноСССР й д. 4/5роектная, 4 ого комитетаний и открытРаушская набжгород, ул. П