413607

-"О П И С А Н И ЕР 607 РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ авт. свидетельства111.1970 ( 146842526-9) исимое от Заявлено 05 К 031(60 1с присоедцне ем заявкиасударственный камитетСаеета Министрав СССРаа делам изобретенийи аткрытий иоритет УДК 621.373.43(088,8 публцковано 30.1.1974. Бюллетень4 убликовацця описания 17 Х 1,1974 а Авторы зобретсцц М. А. Ацанян, Е. Б. Алексеев и Ю, Д. Якушев 1 осковский ордена Ленина энергетический цнстцтуаявител ОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСО ульсов работает следуступлении зэпускающелитуды и длительности сходившийся в устойчиельной ветви вольт-ам, переключается в друие, и на его аноде возжения, который передаФормирователь импющим образом. При по 25 го сигнала малой эмптуннельный диод 4, нвом состоянии на тунн перной характеристики гое устойчивое состоян 30 никает перепад напря Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано вустройствах наносекундного диапазона, устройствах вычислительной и радиоизмерительцой техники.Известен формирователь импульсов, содержащий диод с накоплением заряда, катод которого подключен к точке соединения двухзмиттеров транзисторов различного типа проводимости, и туннельцый диод.Известный формирователь импульсов чрезвычайно критичен к длительности заднегофрона импульса прямого смещения и переднегс фронта запирающего сигнала, требует,жесткой синхронизации импульсов и обладает низкой чувствительностью. Это приводит кплохой стабильности формируемых импульсов.Целью изобретения является увеличениестабильности параметров сформированных импульсов,Это достигается тем, что анод туннельногодиода подключен к базам транзисторов различного типа проводимости, коллекторы которых через резисторы соединены с разноименными клеммами двух источников питания постоянного тока, а катод туннельного диода ианод диода с накоплением заряда подключены к общей клемме источников питания.Изобретение поясняется принципиальнойсхемой. Формирователь импульсов содержит диод 1 с накоплением заряда, транзисторы 2, 3 различного типа проводимости, например транзистор 2 и-р-п типа проводимости, а трэнзистор 3 р-п-р типа проводимости, туннель ный диод 4, разцсторы 5 - 11 и разноименныеклеммы 12, 13 двух источников питания постоянного тока, объединенных между собой общей клеммой 14. Анод туннельного диода 4 через резистор 6 подключен к базам тран зисторов 2, 3 различного типа проводимости,коллекторы которых соответственно через резисторы 5 и 9 соединены с разноименными клеммами 12 и 13 двух источников питания постоянного тока, Катод туннельного диода 4, 15 анод диода 1 с накоплением заряда подключены к общей клемме 14 источников питания.Катод диода 1 с накоплением заряда подключен к точке соединения змцттеров транзисторов 2, 3 различного типа проводимости, За пускающий сигнал через резистор 8 поступаетна анод туннельного диода 4,413607 Формирователь импульсов, содержащий диодс накоплением заряда, катод которого подклю чец и точке соединения;1 вух эмиттеров транзисторов различного типа проводимости, разноименные клеммы двух источци 1 сов питания постоянного тока, обьедицецпые между сооой общей клеммой, и туннельный диод, о т л и ч а 1 о 1 ц и й с я тем, что, с целью увеличениястабильности параметров сформпрованцых импульсов, анод туннельного диода через резистор подк,почен к базам транзисторов различного типа проводимости, коллекторы кото рых через резисторы соединены с разноименными клеммами двух источников питания постоянного тока, а катод туннельного диода и анод диода с накоплением заряда подключены к общец клемме источников питания.7 Составитель Г. ЧелейТехред Г. Васильева Коррекгор Л, Дзесова едакгор Т. Ларина Подписи1. Тираж 811Совета Мииистроь Соткрытийаб., д. 415 Изд. М 1244 ИПИ Государственного комитета по делам изобретений 5 Москва, Ж, 1 аушскаяЗаказ 1315/15 Ц 1 Типография, пр. Сапунова,ется ня базы транзисторов 2 и 3. Транзистор 2 переходит в состоянпе насыщения, транзистор ,3 -- в состояние отсечки; поэтому фчерез диод 1 с накоплением заряда перестает протекать постоянный прямой ток, а протекает рассасывающий обратный ток, величина которого определяется напряхкением источника питания и величиной сопротивления резистора 5.На коллекторе тргвнзисторя 2 имеет место перепад напряжения от знячсция, по:1 ти ряь- ИОГО напряжению источника пит 11 ния, до цул 51, По окончании фазы высокой обратной проводимости диода 1 с накоплением зарядя сопротивление последнего резко восстанавлцвяетс 51, транзистор 2 выходит из состояния насыщения, и на его коллекторе в 11 овь восстанавливается потенциал, равный напряжению цсто 1- ника питания. Предмет изобретения