413446
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 413446
Текст
С Й И С А Й И Е 413446ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Реслублик972 (Ло 1787 с присоединением заявкириоритет сударственныи комитетоввта Министров СССРво делам изобретенийи открытий Опубликовано 1.327.22:532,783.7.063 (088.8) 1.1974, Вюлл ен 1 .е 428 Т.1974 та опубликования опнса 1 шя Авторизобретен. Трофимов Заявит ИЯ ИНФОРМАЦИИ СТРОИСТ Я ОТО становлсн псматрицы оптических вснтточнпк 14 света.Предлагаемое устройстщим образом,5 Матрицу оптических воптическим селектором,света от источнпка светабранные ортогональные э3, 6, поступают сигналы ает след ра ей, служащую чают потокомэтом на выоды, например ВЛЕНИ 51,ентил облу . Пр 1 ектр упра Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в качестве устройства для отображения информации в вычислительных комплексах различного назначения.Известны устройства для отображения информации, содержащие жидкокристаллическую ячейку и источник света.Предлагаемое устройство отличается от изавестных тем, что в цем между источником света и жидкокристаллической ячейкой расположена матрица оптических вецтилен.Это позволяет устранить перекрестные искажения и повысить контраст воспроизводимого изобракения.Предлагаемое устройство схематически изображено на чертеже.Оно содержит матрицу оптических вентилей, которая состоит из пластины 1, изготовленной из материала с нелинейными свойствами, например на основе С 4 (МОО.1) и ортогональных электродов 2 - 7. Матрица оптических вентилей смонтирована вместе с жидкокристаллической ячейкой, выполненной в виде двух прозрачных пластин 8 и 9 с цацесеншями ца пих сплошными прозрачн 1 в 1 п электродами 10 и 11, между которыми расположены слой 12 фоторезистора и слой 13 жидкого кристалла. Электроды 10 и 11 подключены к источнику напряжения. Напротив Воздействие управляющего напряженияприводит к открывашпо оптического вентиля,находящегося в перекрестии между электродами 3, 6 матрицы. Часть светового потока,5 пропущешцзя открытым вентилем, через прозрачную пластину 8 и прозрачньш электрод10 попадает ца слой фоторезпстора. В результате этого под действием света в локализованной области омпческое сопротивление слояО фоторсзпстора резко падает до величины,много меньшей сопротивления слоя жидкогокристалла.Слой фоторезцстора в упомянутой локалцзойанноп ООласти раоотает 1,ак элементарный5 ключ, который подводит напряжение от источника напряжения к соответствующемуучастку сло 51 жидкого кристалла.Возбужденный локальный ужидкого кристалла и является,0 элементом воспроизводимого рУУ Составитель А. ЕлкинТсхрсТ, Курилко Корректор Т. Хворова Редактор И. Грузова Заказ 116917 Из Ф 1 "09 Тирик оЗ Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Мивистров СССРТкпография, пр. Сапунова, 2 Для создания требуемого изобра;кения осуществляют выборку соответствующих оптических вентилей матрицы в онрсдслс 1 шой послсдовател.Иос ги,В зависимости от оптических свойств слоя фоторсзистора, предлагаемое устройство работает либо на просвет, либо на отрауксние. Матрица оптически:; вентилей, в зависимости от материала оптических вентилей н состава с.1 Оя укнд 1 еого крусталл в соогвсствии с 1 рсбованп 1 ын, п 1)сд явленными кстр 01 ству, работает либо и режиме с памятИо, либо в обратимом режиме (т. с. с рсгснсра 11 исй).Предлагаемое устройство позволяет устран 1 гь перекрестные искаукения. Высокое темюьое сопротивление фоторезпстора дает воз"17 ф 1можность повысить уровень сигнала возбуждения жидкого кристалла с целью повышения контраста воспроизводимого изображения без опасности появления перекрестных иска жений. 10 Устройство для отображения информации,содсржапсс жидкОкристалличсску 1 О ячейку и источник света, отличающееся тем, что, с целью устранения перекрестных искажений, в нем между источником света и жидкокри сталли 1 еской ячейкой расположена матрицаоптических вентилей. ГА У 1уу, р9фю
СмотретьЗаявка
1787962, 16.05.1972
МПК / Метки
МПК: G02F 1/133, G06K 15/22
Метки: 413446
Опубликовано: 30.01.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-413446-413446.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">413446</a>
Машина для непрерывной укладки слоя песка между земляным полотном и слоем щебня железнодорожного пути
Номер патента: 1237088
Опубликовано: 07.06.1986
МПК: E01B 27/02
Метки: железнодорожного, земляным, между, непрерывной, песка, полотном, пути, слоем, слоя, укладки, щебня
...или в транспортное средство. На раме 2 перед устройством 3 установлено устройство 7 для разрыхления балласта, состоящее иэ органов 8 рыхления, соединенных с приводом 9 вибрации и приводом 10 перестановки их по высоте. В передней части уст ройства 3 установлены вертикальные направляющие пластины 11 для балласта, На раме 2 также смонтированы до-, полнительный ленточный транспортер 12 для подачи песка и расположенный 40 под ним дополнительный ленточный транспортер 13 для подачи щебня, На примыкающей к машине платформе 14 установлены бункер 5 для песка и размещенный за ним ло направлению ра боты машины бункер 16 для щебня. Бункеры 15 и 16 расположены соответственно над приемными концами дополнительного ленточного транспортера 12 для йодачи...
Способ проведения химических реакций между несмешивающимися жидкими реагентами
Номер патента: 1683809
Опубликовано: 15.10.1991
Авторы: Белевцев, Бердическая, Казакевич, Кострова, Мочалов, Рождественская, Симаков, Федорова, Царев, Юдин
МПК: B01J 19/00
Метки: жидкими, между, несмешивающимися, проведения, реагентами, реакций, химических
...реакции в режиме противотока с общим направлением движения жидких реагентов в колонне, Расход и скорость газообразного продукта будут максимальны на верхних тарелках, где только начинается химическая реакция между исходными жидкими реагентами, и за счет этого наиболее интенсивное взаимодействие и перемешивание этих реагентов будет иметь место именно в верху колонны, где и наиболее целесообразно интенсифицировать протекание реакции.Целевым продуктом, получаемым при реализации способа, может быть как газообразный продукт реакции, который стводитсл вверху колонны, так и жидкий, который отводится снизу.1683809 торый является целевым продуктом, Чистота продукта - 99,5, выход - 97. Составитель Ю. ВолковТехред М.Моргентал Корректор Н. Король...
Спо об записи и считывания оптической информации в активированных щелочных щелочно-галлоидных кристаллах
Номер патента: 655233
Опубликовано: 05.12.1979
МПК: G11C 13/04
Метки: активированных, записи, информации, кристаллах, оптической, спо, считывания, щелочно-галлоидных, щелочных
...элементарныхвозбуждений активной среды.Кроме этого возможна лишь одна одноканальная запись из-зв построчного последовательного прохождении электронноголуча нв поверхности кристалла а такженеобходимо размещение кристалла в вакуумной системе,Цель изобретения- повышение надежности способа записи и считывания информадиие 1Это достигается тем, что при записиоблучают активную среду кристалла ионизируюшей радиацией с длиной волны ультрафиолетового света из спектрвльйой области длинноволнового спада экситонно го поглощения активной среды и оптическим излучением с длиной волны из области спонтанного излучения активнойсреды кристалла.Запись информации осуществляетсяультрафиолетовым излучением в областидлинноволнового спада экситонного...
Оптический управляемый вентиль
Номер патента: 1764022
Опубликовано: 23.09.1992
Метки: вентиль, оптический, управляемый
...с взаимно противоположными направлениями преимущественного светопропускания вентиля и два состояния, обеспечивающие полную блокировку светового пучка и его пропускание в любом направлении.На чертеже представлено поперечное сечение оптического управляемого вентиля с управляемыми светорассеивателями на жидком кристалле с динамическим рассеянием,аз 345 ВНИИ Тираж арственного комитет 113035, Москва, Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагари 7, снабженных прозрачными электродами 8, 9 и 10, 11, между которыми заключены слои жидкого кристалла 12 и 13 с эффектом динамического рассеяния. К электродам 9, 10 и 11 через ключи 14 и 15 подключены источники 16 и 17 возбуждающего напряжения соответственно, Фильтр 3...
Оптический способ контроля качества кристаллов
Номер патента: 1783394
Опубликовано: 23.12.1992
Авторы: Занадворов, Лебедева, Норматов, Пирозерский, Серебряков
МПК: G01N 21/88
Метки: качества, кристаллов, оптический
...лазерного излучения. сталлом. Измерение сигнала разности поЭОДиФГЭеозникаютвследствиеквад- тенциалов на обкладках конденсатора приратичной нелинейности, допускаемой 20 воздействии светом в различных кристаллокристаллическими классами, в которых от10 20 результаты конкретных примеров контроля, 25 30 на вход стробЬскопического осциллографа 357; на другой его вход поступает сигнал от днюю грань кристал а (у-срез) устанавлива определяется для разных кристаллографи ческих направлений, 0 качественных характеристиках кристаллов судят по.эталонным зависимостям в сравнении с полученными кривыми, форма зарегистрированного сигграфических направлениях дает возможность определить все компоненты тензора нелинейной восприимчивости, что позволяет судить...