Переменный аттенюатор

Номер патента: 329608

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Минин

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатор, переменный, поглощающего, типа

...заземленным контактом, содержащий поглощающую пластину, а поверхносги которой расположены не;Одвиж пыс контакты и ползунок, соедшеншш с корпусом дттенюатора.Цель изобретения - повышение верхнего предела затухания атгенюатора. Достигается опа тем, что ползунок предлагаемого устрой О ства выполнен в виде многоконтактной плоской пружины.Ид фиг, 1 покЗдн схебд дттенОдторд; нЯ фпг. 2 - вариант СВЧ аттешоатора с многоконтдктпым ползунком: а) в аксонометрии; б) сечеише ю центру и;дстины.Иа поглощающую пластину 1 нанесены контакты 2, 3, 4 в виде пленки из высокопроводящего материала. Контакты 2 и 3 используют для подключения к схеме, контакт 1 подключен к земле, контакт б, также подключенный к земле, перемещается в направлении, близком к...

Номер патента: 572751

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Анфилов, Роженко

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрической, изображения, пленкой, слоях, фотополупроводниковых, электрофотографического

...О вследствие резкого уменьшения их сопротивления переходит ца границу раздела слоя и11 пленки, где создается плотность заряда О + + о, равная по абсолютной величине заряду ца поверхности пленки о + а . На темных участках слоя распределение зарядов остается прежним.В следующей 1 Ч стадии процесса поверхность пленки закорачивается с проводящей подложкой при отсутствии света, например, с помощью вала с покрытием из токопроводящей резины.Таким образом, что исходя из соотношениясл 1 сл + "пп - Огде е и еп - напряженность электрического поля соответственно в слое и пленке; дсп и П - толщины слоя и пленки,уравнивание потенциалов поверхности пленки и проводящей подложки приведет к таму, что на экспонированных участках слоя плотность заряда на...

Номер патента: 601773

Опубликовано: 05.04.1978

Авторы: Евдокимов, Кобозева, Смирнов, Устьянцев

МПК: H01J 17/48

Метки: газоразрядного, диэлектрических, защиты, индикаторного, материал, переменного, прибора, слоев, электродах

...участках диэлектрических словв прибора, что уменьшает его долговечность. Увеличения прозраччости стабилизи601773 Формула изобретения 25 Составитель Т. Лакомкина Техред И. Рыбкина Редактор Б, Федотов 1(орректор В. Гутман Заказ 174/347 Изд. лГв 131 Тираж 964 Подписное НПО Государственного колитета Совета Министров СССР по дслагн изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская набд. 4(5Тип, Харьк, фил. пред. Патент рующего покрытия окиси магния можно добиться при его меньшей толщине (0,3 - О,б л 1 к.ц), однако в этом случае окисная пленка обладает малой плотностью, и электрические параметры прибора из-за низкой устойчивости пленки в газовом разряде нестабильны,Цель цзооретения - повышение устойчивости диэлектрического покрытия к воздействию...

Номер патента: 445952

Опубликовано: 05.10.1974

Автор: Маклаков

МПК: H01P 11/00

Метки: аттенюаторов, пластин, поглощающих, разбраковки

...в предлагаемом у полось воловода введен диэ с терже ць,ос тояцц й из двух коорых ца торцах, 1 асцоложе вшоцп; цо линии прорезей, 11-р;.ня коба, фиксцрукашДУЕЯ РВЗдШЕНРГ ЭТОЙ 11 ао-;Ь "ОЛ Гтс =Л,Ои ДИЭДЕК ГРРтЕСКОГО Д,ЕСКса В ОКНЕ РаСПО=ло)КЕ Па ДРОКДВДК ; ПОЕдоГВРатаОШВЯ В -1ада 11 а,. ГЕ 11.Ес ГОГХ СГЛЕ 2)КПЕй. )ГГ)спетО)ГЕПГЕггт г Па Пт);1 Е) тт)1 ИтЕЕЕдт 1 фт ссТОВ И ХО)1)гт . СГ)ЕП РЕНЕц. -й С ПРИВОДИ),т ):ДЕ К т Р ОРИЕХВЕЕИ ЗРИ г)ВК ГЦОЕЕ) НН Едт Вд )ХЕггу тт С р ОИГ ув а тд,) Р) 3 Ст 1 РХ) 0 ттсЗЕР"11)ШИР .,:З;,с))т - Е;Валс Гав Е 1, ОПОГ, "сКа ттС" - .Ойс -,гв д тд ттттГ )гдГл.-од)Гас 1 ГУЬ УС Гlройсуй, с пдасуиной В гнезде диска .Вид соСто)О;Ь,птца)а: НфиГ Э - ВОДНОВОДНаисНотд )ГСГ.0,".:С т)г С тт Иной, ПОДНЯуой ИЗГНс ЗД П...

Номер патента: 1350705

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Кириленко, Чекрыгина

МПК: H01P 1/22

Метки: аттенюатор, переменный

...аттенюатора.Переменный аттенюатор содержит отрезок 1 прямоугольного волновода и диэлектрическую пластину 2, на которую нанесен поглощающий слой 3, Диэлектрическая пластина 2 расположена параллельно узким стенкам 4 отрезка 1 прямоугольного волновода и установлена с возможностью перемещения в направлении, перпендикулярном им. На поглощающем слое 3 размещена дифракционная решетка, выполненная в виде нескольких полосковых проводников 5, перпендикулярных широким стенкам 6 отрезка 1 прямоугольного волновода. Переменный аттенюатор работает следующим образом.СВЧ-мощность, поступающая в отрезок 1 прямоугольного волновода, поглощается в поглощающем слое 3 тем сильнее, чем ближе к плоскости продольной симметрии отрезка 1 прямоугольного...