Полупроводниковый модулятор

Номер патента: 399040

Автор: Авторы

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 39 УО 4 О Сооз Советских Социалистических Р 6 сщбпиГьс присоединенсм зяявк асударствееый камитеСаввта Министрав СССРва делам изааретеикйи аткрытнй Приор ит ДК 621.376.223 (088.8) Опубликовано 27 ЛХ.1973. Бюллетец Ло 38Дата опубликования оии ания 27.111.974 Авторыизооретег Н. Е, Скворцова, Б. Г. Степанов и В. В. Кр Институт радиотехники и 31 и 13 ТСЛ ктроники АН ССС ОЛУПРО И КОВЫЙ УЛЯ Изобретение относ 1 тс 5 к обля;1. ряд:,от(,.ники и мо 5 кет быть использовано В цеп 51 х 31 спрострацеиия электромагнитных сигналов.11 зв сстеп и Олуп 13 Оводн ико ВВ 1 и 310 дмг 1 51 т 0 13СВЧ-мощности, содери(ащий полупроводниковый элемент, вк,иоченпый в л;п(10 передачи, элементы иастройкц и цсточник управля 1 ощего напряжения.НСДОСТЯ 11(ОХ 1 ИЗВССТ 1 ЮГО МО Дт 1 с;,ТО 3 Я 5 т 13 15 те 1с 51 узкий динамически диапазон моду;Ирмсмых мощност 8 Й,С целью расширения динамического диапазона моду;и;русмых мощностей в гтрсдлягасмом модуляторе полупроводниковый элементвыполнен в вде бруска из одиород 11 ого материала с иапссецными па его торцы ясимметричныд 1 и аигизапорными контактам,11 а чертеже показана схема ИЗСД 3 лягасмогополупроводникового модулятора.Модулятор содержит полупроводниковыйэлемент 1, выполненный в виде бру,ка из однородного материала с нанесен 1.,1 И ця еготорцы асиммстрпчнымц апт 11 зяпорцымц кон -тактами 2 ц 3, помещенный в лин 1 ио псрсдя:4 . элементами настроцки 5, и и;точик 6 управляющего напряжения,ПОступа 10 щяя В лини 10 передачи .( элскт 30 магнитная волна в отсутствие управляющегонапряжения полностью поглощается в полупроводииковом элементе 1; отраженная элек 1303 Я Г 11 т 111 130:1111 В л111 11 пеРсда ч 11 4 Отстствует.1 олиое(,1 ощсцце достигается согласование:,1 л:ии передачи 4 с имиедансом полупровод: ОВ 010 элемента с помощью элемс 13 гов ц(1 стро 1 ки 5. Электрическое поле, созляваемос ц;точ 13 цко. 6 управляющего цапряТкеии 51, 331 еп 51 сГ цолиос сопроти 13 лс 13.с полуроводникового элемента, что пр: Водт к нарушеню согласован;1 я; в лцнц церсдячц 4111;ОЯВГ 151 СТС 51 О Г 3 ЯЖСННЯ 51 ЭЛССТРОЛ 11 ГИИТЦЯЯ ВО;131 Я.В ряде 1(олупзоиодиико 13, цапри 3 ср в арсси 1 Де гяллп 51. в сгьных электрГчсскх поляхВозикаст о гр 1.ц гсльняя дпфференциалыи 151-,:1 роводмо ть, ч 10 приводт к сбрязо 33 ацикдвцж щ:хс 51 д 03;СНОВ си;1 ьцОГО НОля ц СООтвегс т ь е и и О к О л с О 1 и и й то к я В 0 131. с и10 .э 31 е к т р и 1 еской цсии 1 эф30 ОТ Ганца),Р 1 змс 13 сп 1 с ПОлной гровод:1 мос г 11 НОлуп 13091 ВОДНИКОВОО ЭЛСМЕ 1 ТЯСПОЛ.ЗМСГСЯ ДЛ 51 МОДМляции СВС 1-мошности. Однако, колсоация тока создают дополнительные шумы в устройстве, которые ограничвяют (1 шзу дицямическ.111диапазон модулятора.; РасиПрение дцн 11 мичсс(ОГО диапазоналупроводцикового модулятора Обусловленотем, что при цаличии асимметричных (разныхпо площади) контактов движущиеся домены13 посупрОВодникОВОм элементе не Возникают,,",О поскольку первоначально неоднорсдцое расР, иктор Т. Морозова 1(орреитор Н. Стельмах Заказ 7054 Изц. Л 1) 954 Тири 780 1 о ппОпт Ц 111)111Осе ЯрствсппогоО)пТс 1 Го" тИистров (Р по цепам из 1)орстеипй п откр),Тш 51 осква, Ж, аушсиав п)о., ц. 415,)вл. типо, раи 1 и (Остр Омсио О 1 п )ЯВ,)с)иЯ изцЯте;ьств. 110)иГрИ 1)ип 1 иии)ииоп 10 р),):)пи пределение электрического поля в элементе, вызванное асимметрией контактов, приводит к тому, что в определенном интервале напряжений, приложенных к элементу, в части элемента электрическое поле достагочно для образования домена, а в оставшейся части недостаточно для движения возникшего домена. Интервал напряжений, в котором движущиеся домены не возникают, определяется степенью асимметрии контактов и отношением характерного размера меньшего по площади контакта, например его диаметра к толщине полупроводникового элемента. Полупроводниковый модулятор СВЧ-мощности, содержащий полупроводниковый элемент, включенный в линию передачи, элементы настройки и источник управляющего напряжения, отлисаюа 1 аася тем, чго, с целью расширения динамического диапазона модулируемых мощностей, полупроводниковый элемент выполнен в виде бруска из однородного материала с нанесенными на его торцы асимметричными антизапорными контактами.

Смотреть

Заявка

1775661

Н. Е. Скворцова, Б. Г. Степанов, В. В. Круглое Институт радиотехники, электроннкн СССР

Авторы нзо ретени

МПК / Метки

МПК: H03C 7/02

Метки: модулятор, полупроводниковый

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-399040-poluprovodnikovyjj-modulyator.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый модулятор</a>

Похожие патенты