Устройство для измерения расхода

Номер патента: 210432

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Кузьмин, Лажинцев

МПК: G01L 19/00, G01L 7/08

Метки: манометрических, мембранного, приборов, типа, упругий, чувствительный, элемент

...предлагаемый элемент мембранного типа для манометрических приборов в разрезе. Чувствительныи элемент содержит инерционную шайбу 1, выполненную из материала с большой плотностью и высокой твердостью поверхности, С помощью неразъемного соединения (пайки или сварки) шайба закреплена к центру колоколообразной мембраны 2, состоящей из расходящихся в радиальном направлении упругих лепестков. Мембрана (демпфер) надета на центр 3 и опирается упругими лепестками на краевой гофр чувствительного элемента 4. С помощью гайки 5 и контргайки 6 упругой мембране дан предварительный натяг. Если при воздействии вибрации виброперегрузки достаточно малы, усилие предварительного сжатия мембраны 2 обеспечивает контакт инерционной шайбы 1 с поверхностью 7 в...

Номер патента: 734517

Опубликовано: 15.05.1980

Авторы: Головицын, Донская, Романов, Фельдман

МПК: G01L 7/08

Метки: мембранного, типа, чувствительный, элемент

...формулам.В тех случаях, когда требуется получить чувствительный элемент с наименьшим числом мембран в пакете, между мембранами могут быть проложены тонкие прокладки из пластичного малосжимаемого материала с коэффициентом температурного расширения близким к материалу мембран. Расчет показывает, что для давления Р=2000 кг/см и перемещенииа-=1 мм, пакет стальных мембран может быть выполнен с радиусом Й20 мм.Таким образом, изобретение позволяетзначительно уменьшить габариты устройств, содержащих мембраны, уменьшить площадь их герметичного сопряжения и, следовательно, повысить их надежность.Формула изобретения1. Чувствительный элемент мембранного типа, выполненный в виде пакета мембран, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью...

Номер патента: 972280

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Косичкин, Кузнецов, Лепорский, Парфенов, Худышев, Цывин

МПК: G01L 9/04

Метки: давления, датчика, мембранного, чувствительный, элемент

...проводимости, а переход меж972280 Формула изобретения ВНИИПИ филиал П аказ 7669/29 Тира Патент, г. Ужгор Подписно Проектна ду ними зашунтирован введенными в устройство омическими контактами.На фиг. 1 изображен чувствительный элемент мембранного датчика давления; на фиг. 2 - увеличенное изображение контактных площадок.Чувствительный элемент мембранного датчика давления содержит центральные тензорезисторы 1, прилегающие к ним части контактных площадок 2, например из р-типа проводимости и крайние тензорезисторы 3 и прилегающие к ним части контактных площадок 2 и-типа проводимости, изготовленные из одного кристалла полупроводника, например, кремния, в форме вытянутой рамки, лежащей, например в плоскости изотропии, и омические контакты 4,...

Номер патента: 787927

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Буйвол, Сребнюк, Черный

МПК: G01M 10/00

Метки: дискретной, дисперсного, массы, потока, присоединенной, фазы, элемента

...в зеркальном отображении относительно стенкиПри движении теламежду двумя параллельными стенкамивлияние их эквивалентно влиянию бесконечного числа таких же тел, зерстенок и т.д.сами элементы (частицы) 2 представляются в виде сферических тел, связанных стержнями. Это весьма близко соответствует форме частиц в двухфазном потоке (пузырьков). Расстояние 5 и б (см,фиг, 1 и 2) в экспериментах дисперсных потоков задают различными, моделируя тем самым объемные концентрации, Определение присоединенной массы элемента дискретной фазы дисперсного потока производится в следующем порядке.Набирают линейную цепочку моделей элементов 2 одной из фаз потока, затем возбуждают ее колебания в воздухе и измеряют собственную частоту колебаний. Далее эту...

Номер патента: 524263

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Арушанов, Пругло, Радауцан

МПК: H01L 27/16

Метки: датчика, интегрального, нернста-эттингсгаузен, потока, теплового, чувствительный, элемент

...ч ду большой прсарачност мия в инфракрасном диа но покрыть чернением л к-, способов, обеспечив диэл 25, вязку между кристаллом:монокристаллов и пленок Сйа Ава, эь,тектики 1 тт 5 Ь МАЗЬ.Во всех указанных материалах при неб ших магнитных полях наблюдается экстремум зависимости отношения коэффициента Нернста-Эттингсхауэена к теплопроводност от магнитного поля И, что определяет опт ;мальную величину магнитного поля, при к торой чувствительность датчика применением монокрибкадмия в качестве чувт., а датчика интегральностаЭатингстхаузена, евт представляет с елегированного монмия, вырезанную его выходного сигфического направле асть пластины, вви- и сурьмянистого ка пазоие, целеоообраэ 1- юбым иэ известныхектрическую рвз- .и чернью при...