Быстродействующий мультивибратор

39 7 2 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 28,Х 11,1970 ( 1615784/26-9)с присоединением заявки. Кл. Н 031 с 3/30 осударстеенный комитеСовета Миннстроа СССРпо делам изооретеннйи открытий Пр тет Опубликовано 25,И 1.1973. БюллетеньДата опубликования описания 6.Х 11.1973 621,373.52 (088.8 Авторизобретени С. Д. Шпотаинский радиотехнический инсти Заявит 1 СТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ М ИВИБРАТОР Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора прямоугольных импульсов в устройствах вычислительной техники и автоматики,Известен быстродействующий мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми связями, содержащий один времязадающий резистор, подсоединенный одним выводом к базам транзисторов посредством двух полупроводниковых диодов, и два дополнительных полупроводниковых диода.Цель изобретения - повышение надежности и сокращение схемных элементов, Для этого другой вывод времязадающего резистора подсоединен через дополнительные полупроводниковые диоды к коллекторам транзисторов мультивибратора.На чертеже изображена принципиальная электрическая схема предлагаемого быстродействующего мультивибратора.Он содержит транзисторы 1 и 2, времязадающий резистор 3, один вывод которого через диоды 4 и 5 подсоединен к базам транзисторов. Второй вывод резистора 3 подключен к коллекторам транзисторов через диоды б и 7. Диод 4 и база транзистора 2 через конденсатор 8 соединены с коллектором транзистора 1. Диод 5 и база транзистора 1 через конденсатор 9 соединены с коллектором транзистора 2. В коллекторные цепи транзисторов 1 и 2 включены резисторы 10 и 11. В одном из квазиустойчивых состояний транзистор 1 находится в режиме насыщения, транзистор 2 - в режиме отсечки, конденсатор 8 разряжается через диод 4, резистор 3, диод 7, 5 резистор 11, источник питания и эмиттер-коллекторный переход насыщенного транзистора 1. В течение времени разряда конденсатора 8 диоды 5 и б находятся в закрытом состоянии, так как их р - п-переходы смещены в обратном 10 направлении. Транзистор 1 находится в насыщении под действием тока заряда конденсатора 9, который протекает через резистор 11, источник питания, переход эмиттер в ба насыщенного транзистора 1.15 По мере разряда конденсатора 8 потенциалбаза - эмиттер транзистора 2 понижается и как только станет равным потенциалу отпирания транзистор 2 открывается, К этому времени заряжается конденсатор 9, ток в базе транзисто ра 1 прекращается, и транзистор 1 закрывается.Транзистор 2 открывается под действием тока заряда конденсатора 8, который протекает по цепи резистор 10, источник питания, пере ход эмиттер в ба транзистора 2. Конденсатор 9 разряжается по цепи диод 5, резистор 3, диод б, резистор 10, источник питания, эмиттер-коллекторный переход насыщенного транзистора 2. Далее процессы повторяются.30 Схема предлагаемого быстродействующегомультивибратора позволяет значительно умень391712 Предмет изобретения Составитель Ю. ЕркинТехред Л. Грачева Корректор Е. Хмелева Редактор Т. Фадеева Заказ 3254/11 Изд.813 Тираж 780 Подпи"пое ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, К, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова, 2 шить величину резистора 3 1 до 6 - 7 ком при величине сопротивления резисторов 10 и 11 1 ком), оставив сравнительно большими величины емкостей конденсаторов 8 и 9 (до 500 аф).При этом сохраняется достаточно большая крутизна переднего фронта импульса и обеспечивается высокая частота автоколебаний в режиме мягкого самовозбуждения 1 до 250 кгц па транзисторах МП 16 Б).Амплитуда выходного импульса мультивибратора близка к величине напряжения питания при соотношении величин резисторов 3, 10 и 11 Рз=З,ЗРо=З,ЗЖ (Йз, Во и Ры - величины сопротивлений резисторов 3, 10 и 11). Быстродействующий мультивибратор натранзисторах с коллекторно-базовыми связями, содержащий один времязадающий резистор, подсоединенный одним выводом к базам транзисторов посредством двух полупроводниковых диодов, и два дополнительных полупроводниковых диода, отличающийся тем, что, с 10 целью повышения надежности и сокращениясхемных элементов, другой вывод времязадающего резистора подсоединен через дополнительные полупроводниковые диоды к коллекторам транзисторов мультивибратора.15