Способ формирования электростатического изображения

389486 О П И С А Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ьйа Саоеетеиил Социалистических РеспубликР т. свидетельства К ависимое от аявлено 15,1 М. Кл. 6 030 13/22 13/28-12) 968 ( 123 Приорите Комитет по деламобретений и открытий ДК 772,93(088.8) Опубликовано 05,Ч 11.1973. Бю етею и Совете Министров СССР,Х.1973 ания описан а опублик Авторы изобретения Г. Винокуров и П, М. Подвигалкин аявипге ПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОСТАТИЗОБРАЖЕН ИЯ ОГО 1ся к области электро пособу формирования присоединением заявкиИзобретение относитграфии, а именно к сизображения на диэлектрике.Известен способ формирования электростатического изображения на диэлектрическом носителе с использованием фотополупровод. ника, заключающийся в том, что диэлектри ческий цоситсль и фотополупроводник приво. дят в контакт, создают электрическое поле между ними и экспонируют фотополупроводник, после чего их разделяют.Однако в таком способе необходимо наличие либо прозрачного носителя записи, либо прозрачной проводящей основы фотополупроводника, что усложняет их технолопию изготовления.С целгпо использования непрозрачных материалов для изготовления носителя записи и проводящей основы фотополупроводцика экспонирование фотополупроводника проводят до приведения его в контакт с диэлектрическим носителем.Предлагаемыи способ поясняется чертежом, на котором дана схема формирования электростатического изображения.Светочувствительный элемент представляет собой слой фотополупроводцика 1 с большим временем спада фотовозбуждения, например селецовый слой, нанесенный ца проводящую основу 2. На этот слой проецируют изображение орипицала (см. положение а), при этом в освещенных участках фотополупроводникового слоя возникает состояние фотовозбужде. ния, интенсивность которого пропорциональна количеству освещения.Слои с медленным спадом состояния фото возбуждения изготавливаются из хорошо из. вестцых полупроводниковых материалов; селец, селенистый кадмий, сернисгый кадмцй, окись цинка, трехсернистая сурьма и другие,После экспонирования светочувствительный слой приводят в контакт со слоем диэлектрика 3, например с полистироловым слоем, на проводящей основе 4, их проводящие основы соединяют с источником постоянного напряжения 5 (см, положение б).При величине напряжения в несколько сот вольт (обычно не менее 300 в 4 в) происходит перенос заряда между поверхностями фотополупроводцика и диэлектрика,Электрический контраст изображения определяется также промежутком времени от окончания экспонирования до приведения слоев в контакт, временем контакта и величиной приложенного напряжения,Полярность сформированного изображения определяется полярностью приложенного напряжения.По окончании переноса изображения слои фотополупроводника и диэлектрика разделя389486 з 4 Предмет изобретения Составитель Б. Гурочйин Редактор Л. Гончарова Техред Т. Курилко Корректоры: А. Николаевй и Л. КорогодИзд.757 Тираж 523 Подписпопо делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Заказ 2630/16 ЦНИИПИ Комите5 пография, пр, Сапунова, 2 ют (см. Положение в), причем это разделение может осуществляться как при приложенном напряжении, так и после его отключения, В дальнейшем электростатическое изображение на диэлектрике считывают или визуализируют 5 либо электрофотографическим проявителем, либо, если диэлектрик обладает термопластическими свойствами, методом матирующей деформации.При применении этого способа в электро фотографических аппаратах непрерывного действия процесс восстановления светочувствительного элемента из состояния фотовозбуждения в исходное (,невозбуакдегн 1 ое) ускоряют подсветкой от источника инфракрасного 15 излучения соответствующей длины 1 золны,Способ формирования электростатического изображения на диэлектрическом носителе с испол 1 зованием фотополупроВОдни 1(а, закл 10- чающийся в том, что диэлектрический носитель и фотополупровод(ник приводят в контакт, создают электрическое поле между ними и экспопир ют фотополупроводнпк, чего их разделяют, отлг 1 чаюи,цгкя тем, что, с целью ооеспечения возможности использования непрозрачных материалов для изготовления носителя записи и проводящей основь 1 фотополупроводника, экспонирование фотополупроводника прОВОцят 10 приВсчени 51 его КОНТаКТ С ДИЭЛЕКТРИЧЕС 1 Н 1 М НООПТЕЛЕМ,