Всесоюзная loatehtho-texijechai
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 387458
Авторы: Гинзбург, Зильберман
Текст
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУСоюз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт, свидетельстваЗаявлено 02.Х 1.1970 ( 1603781/26-25) Кл 1 19/32 исоединением заявкиПриоритет осударственный комитетСовета Министров СССРпо делам изобретенийн открытий убликовано 21 Х.1973. Бюллетень27та опубликования описания 25.1 Х.1973 621.385(08 Авторы зобретения. Гинзбу М, Зильберма явите НОД ЭЛЕКТРОВАКУУМНОГО ПРИБО бр етени едм Изобретение относится к конструированию электровакуумных приборов, в частности к конструкции камерных анодов электровакуумных приборов.Известны конструкции камерных анодов электровакуумных приборов, камеры которых образованы пластинчатыми ребрами, из которых удалена внутренняя часть ребра.Однако, такая конструкция анода не обеспечивает достаточной электрической прочности при сохранении эффекта подавления вторичной эмиссии. Предлагаемая конструкция анода отличается от известной тем, что часть ребра, примыкающая к поверхности анода, выполнена в виде сплошной стенки с высотой порядка расстояния между ребрами, а продолжение стенки выполнено в виде ряда штырей с высотой порядка расстояния между штырями. Это позволяет повысить эффективность подавления вторичной эмиссии.На чертеже изображена конструкция предлагаемого анода. Анод содержит сплошную стенку 1, примыкающую к поверхности анода 2 и штырь 3.Каждое ребро выполняется в виде сплошной стенки с высотой, не меньшей расстояния между ребрами, а продолжением стенки служат штыри с высотой приблизительно равной расстоянию между штырями, которое равно в свою очередь расстоянию между ребрами. Высота сплошной стенки ребра не должна быть меньше расстояния между ребрами, ибо, в противном случае, возможен выход из коллектора отраженных вторичных электронов подавление ионов будет недостаточно эффек тивным. Высота штыря определяется тем, чтовнешнее электрическое поле провисает вглубь камеры на расстояние порядка размера входного отверстия. Увеличение высоты штыря за счет уменьшения высоты сплошной 10 стенки нежелательно, поскольку отраженныевторичные электроны или ионы, которые попадали бы на стенку в отсутствие внешних полей, выйдут из коллектора, пройдя междуштырями.15 В этой конструкции камера экранированаот внешних электрических полей, а непосредственно на экранирующие штыри попадает лишь незначительная часть электронов. Анод электровакуумного прибора камерного типа, камеры которого образованы пластинчатыми ребрами, причем часть ребра удалена, отличающийся тем, что, с целью 25 повышения эффективности подавления вторичной эмиссии, часть ребра, примыкающая к поверхности анода, выполнена в виде сплошной стенки с высотой порядка расстояния между ребрами, а продолжение стенки выпол нено в виде ряда штырей с высотой порядкарасстояния между штырями.:1 аказ 2639,9 Изд.704 Тираж 78011 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при СоветеМосква, Ж, Раушская наб., д. 4(5 Подписное 1 истров СССР
СмотретьЗаявка
1603781
В. Е. Гинзбург, М. М. Зильберман
МПК / Метки
МПК: H01J 19/32
Метки: loatehtho-texijechai, всесоюзная
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-387458-vsesoyuznaya-loatehtho-texijechai.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Всесоюзная loatehtho-texijechai</a>
Предыдущий патент: Способ ориентации люминесцентных ламп на горизонтальном конвейере пайки штырьков
Следующий патент: 387459
Случайный патент: Система регулирования температуры термофиксационных камер нагрева нити