Патенты с меткой «loatehtho-texijechai»

Номер патента: 387458

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гинзбург, Зильберман

МПК: H01J 19/32

Метки: loatehtho-texijechai, всесоюзная

...в виде ряда штырей с высотой порядка расстояния между штырями. Это позволяет повысить эффективность подавления вторичной эмиссии.На чертеже изображена конструкция предлагаемого анода. Анод содержит сплошную стенку 1, примыкающую к поверхности анода 2 и штырь 3.Каждое ребро выполняется в виде сплошной стенки с высотой, не меньшей расстояния между ребрами, а продолжением стенки служат штыри с высотой приблизительно равной расстоянию между штырями, которое равно в свою очередь расстоянию между ребрами. Высота сплошной стенки ребра не должна быть меньше расстояния между ребрами, ибо, в противном случае, возможен выход из коллектора отраженных вторичных электронов подавление ионов будет недостаточно эффек тивным. Высота штыря...