Номер патента: 377915

Авторы: Норкин, Скворцов, Хавкин

ZIP архив

Текст

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ е от авт. свидетельства М авис М, Кл. Н ОЦ 1/18 аявлено 28.Ч 1,1970 ( 1472191/18 исоединением заявкиПриоритет Комитет по деламобретений и открытри Совете МинистреСССР ДК 681.325.63:681.327 (088,8) 7.1 Ч,1973, Бюллете 18 публиков Дата опубликования описания 5.Ч Авторыизобретен. Хавкин, Л. М. Норкин и А, М. Скворцов Заявите ОДН ЛОК Аноды (катоды) 9 первой группы диодов 2с общим катодом (анодом) 3 соединены попарно между собой направленными перемычками 10 и с площадками б, напримерпутем точечной сварки золотых проводников 11. Аноды (катоды) пар диодов 8 также соединены попарно между собой напыленными перемычками 12 и с внешними анодными (катодными) выводами 13 блока, выполненными, например, 10 из объемных проводников. Общий катод(анод) 3 соединен с площадкой 4 и с внешним катодным (анодным) выводом 14. Крепление выводов и герметизация блока производятся заливкой компаундом, например эпоксидным.15 ние относится к области электронслительной техники и может быть но в запоминающих устройсввах тных вычислительных машин.диодные блоки, содержащие поковые кристаллы с диодами, разна теплопроводящей электроизолядложке, и металлизированные плоие блоки недостаточно надежны в РВ целях повышения надежности в предлагаемом блоке диоды, выполненные на общем кристалле и на отдельных полупроводниковых кристаллах, попарно соединены между собой и через металлизированные площадками - с выводами блока.На чертеже показан предлагаемый блок.Полупроводниковые кристаллы 1, например кремниевые, содержат группу диодов 2 с общим катодом (анодом) 3 и,расположены на металлизированных площадках 4, которые нанесены на теплопроводящую электроизоляционную подложку 5, например, из бериллиевой керамики. На той же подложке расположены металлизированные площадки б с отдельными кристаллами 7 полупроводника, например, кремния, в которых сформированы пары диодов 8. Диодный блок, содержащий полупроводниковые кристаллы с диодами, размещенные на теплопроводящей электроизоляционной подложке, и металлизированные площадки, отличаюитийся тем, что, с целью повышения надежности, диоды, выполненные на общем кристалле и на отдельных полупроводниковых кристаллах, попарно соединены между собой и через металлизированные площадки - с выводами блока. Изобрете ной и,вычи использова малогабари Известнь лупроводни мещенные ционной по щадки. Так аботе.Сапунова, 2 Типограф аказ 184 НИИПИ Изд.1500 Тираж 780ета по делам изобретений и открытий при С Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 Подписно те Министров ССС

Смотреть

Заявка

1472191

В. Б. Хавкин, Л. М. Норкин, А. М. Скворцов

МПК / Метки

МПК: H01J 1/18

Метки: блок, диодный

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-377915-diodnyjj-blok.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Диодный блок</a>

Похожие патенты