Номер патента: 372586

Авторы: Горбань, Литовченко, Пейков

ZIP архив

Текст

ОЙИСАЙИЕ 372586ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических РеспубликК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ гваЗависимое от авт, свидет о 21 Х.1971 ( 1660792/26-25) 1. Кл. И ая инением заявк Приорите омитет по делам изобретеиий и открытипри Совете МинистровСССР13 71,3 82 (088.8 овано О 1.111.1973. пуб ллет икования описания 22.7.1973 Авторыизобретен товченко и П. Х, Пейк П. Горбань, В Украинской СС явитель ститут полуп оводнико ПОЛУПРОВОДНИКОВЫИ ВАРИКАП ции состоит капа резко полярностипроходяая цепь), и го сигнала. Кроме т возможно вязку упр пользуется ющееся п ние) и упр сокочастот пей, Посл вен в слчч известной конструкции нествить гальваническую разщей (в которой обычно исянное или медленно изменя- деленному закону напряжеой (обычно используется выгнал) радиотехнических ценедостаток особенно сущестгда управляющий сигнал снигоосу авляю посто о опре авляем ный си едний ае, коИзобретение относится к полупроводниковой электронике и микроэлектронике.Известен полупроводниковый варикап, в котором используется эффект изменения емкости изолированной области приповерхностного пространственного заряда (ОПЗ) под воздействием приложенного напряжения, Варикап имеет следующую структуру: металлический электрод - расположенный под ним диэлектрический слой - полупроводник - второй металлический электрод, нанесенный на противоположную, поверхность полупроводниковой пластины и образующий с ней омический контакт,Недостаток известной конструкв том, что характеристики вариасимметричны по отношению ксигнала значительной амплитудьщего через варикап (управляющсильно зависят от амплитуды это мается с высокоомного источника напряжения (например, ионизационной камеры).В предложенном варикапе осуществленаоимметризация характеристик по отношению к величине и полярности управляемого переменного напряжения и обеспечена гальваьическая развязка управляемого и управляющего электрических сигналов.Достигнуто это благодаря тому, что на 10 внешнюю поверхность диэлектрического слоя,содержащего большой (2 10 -к/см) заряд того же знака, что и основные носители тока в полупроводнике, нанесены дополнительно два рабочих металлических электрода, напри мер, одинаковой площади симметрично по отношению к поверхности полупроводниковой пластины и одному из управляющих электродов, который по периметру (например, кольцом) охватывает каждый рабочий электрод.20 Второй управляющий электрод нанесен напротивоположную поверхность полупроводниковой пластины и обеспечивает с ней омический контакт. Геометрические размеры каждого электрода, особенно управляющего, 25 должны превышать длину экранированияэлектрического поля в полупроводнике.На чертеже показан предложенный полупроводниковый варикап, содержащий полупроводниковую пластину 1, диэлектрический 30 слой 2, нижний управляющий металлический372586 электрод 3, верхний управляющий металлический электрод 4, управляемые (рабочие) металлические электроды б и б.На верхнюю поверхность полупроводниковой,пластины 1, например, из высокоомного кремния р-типа нанесен термически выращенный слой 2, Затем на обе поверхности нанесены металлические слои (например, алюминиевые), причем на внешней поверхности диэлектрика методами фотогравировки изготовлены три электрода: управляющий 4 и управляемые б и б. Каждый управляемый электрод полностью охватывается соответствующей частью управляющего электрода, геометрические размеры которого превышают глубину экранирования электрического поля в полупроводнике. Нижний управляющий электрод 3 нанесен на всю поверхность полупроводниковой пластины и обеспечивает с ней омический контакт.Как известно, в результате термичеокого окисления пластинки кремния р-типа вблизи ее поверхности существует хорошо проводящий инверсионный канал, обусловленный положительным зазором в окисле, проводимость которого может значительно превышать проводимость однородного объема. Этот канал играет роль внутренней обкладии, так что при отсутствии внешнего напряжения между управляющими электродами 3 и 4 проходная емкость между электродами б и б максимальна и представляет собой последовательное соединение емкостей диэлектрических слоев, площади которых приблизительно равны площадям электродов б и б. Если к электродам 3 и 4 приложить управляющее напряжение (плюс на электрод 3), достаточное для устранения (перекрытия) инверсионного канала, то в формировании проходной емкости будут тель А. Кот Е. Борисова Корректор А Дзесов 80 Подписно Совете Министров СССР Изд. М 287 итета по делам изобретен Москва, Ж, РЗаказ 1369/4 ЦНИИПИ К Тирай и открытийаушская наб., д пография, пр. Сапунов Состав дактор Т. Орловская Техрепринимать участие два последовательно соединенных слоя истощения Шоттки, локализованных под инверсионными слоями. В результате емкость варикапа сильно уменьшится.Регулируя величину управляющего напряжения, можно значительно изменять проходную емкость варикапа. Очевидно, что симметрия конструкции варикапа обеспечивает оимметризацию его характеристик по отношению к 10 полярности управляемого электрическогосигнала, а гальваническая развязка управляющей и управляемой цепей достигается нанесением четырех изолированных друг от друга электродов,15 Предлагаемый варикап особенно перспективен в качестве емкостного ключа, поскольку в области максимальной и минимальной емкости его параметры практически не зависят от величины управляющего напря женки я. Предмет изобретения Полупроводниковый варикап, выполненньй 25 на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник с управляющим электродом к диэлектрику, площадью меньшей чем тыльный электрод к полупроводнику, отличающийся тем, что, с целью обеспечения гальванической 30 развязки между управляющим и управляемымэлектрическими сигналами, а также симметризации характеристик прибора по отношению к полярности сигнала, на поверхность диэлектрика, содержащего заряд)2 35 10 - к/см) того же знака, что и основные носители полупроводника, дополнительно нанесены два металлических электрода, причем управляющий электрод охватывает каждый из дополнительных электродов.

Смотреть

Заявка

1660792

А. П. Горбань, В. Г. Литовченко, П. Пейков Институт полупроводников Украинской ССР

МПК / Метки

МПК: H01G 7/00

Метки: всесоюзная

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-372586-vsesoyuznaya-i.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Всесоюзная i</a>

Похожие патенты