Г4; _: ьсоюзная

Номер патента: 492933

Опубликовано: 25.11.1975

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: динамическая, запоминающего, памяти, постоянного, устройства, ячейка

...промежутке свободных электронов нет. При поступлении импульса напряжения питания ток в газе не течет, так как нет первичных электро нов, порождающих начальные лавины.Благодаря токам утечки конденсатора газоразрядного злел 1 ента и затвора, затвор приобретает потенциал, близкий к на пряжению 0 с, которое, в свою очередь, близко по зеличине к верхнему уровнюимпульса опроса. Затвор и исток будут под ОдинаЯвым потенциалом.Передаточная характеристика д МДП- транзистора (см. фиг. 3) выбрана такой, что транзистор при равных потенциалах затвора и истока закрыт, но находится на границе открывания. Импульс опроса 3 с числовой шины передается через конденсатор на затвор транзистора без потери амплитуды, поскольку сопротивление межд узлом...

Номер патента: 546870

Опубликовано: 15.02.1977

Авторы: Грабовщинер, Недошивин

МПК: G05F 1/58

Метки: защиты, силового, транзистора

...8, превышает по абсолютной величине сумму СИГНаЛОВ У+Си, ПРИЛОЖЕННУЮ К ИНВЕРТПРУ- ющему входу. В этом случае усилитель находится в состоянии отсечки и его выход не оказывает шунтирующего действия прохождению на базу силового транзистора 1 сигнала с клеммы 14 основной схемы управления, Если же коллекторный ток или напряжение, либо то и другое одновременно возрастают на столько, что пороговое напряжение еп оказывается меньше суммы У,+(7 и, то вознпкшсе разностное напряжение=Еп (С 1+Ьи)выводит усилитель 8 из состояния отсечки, и будучи усиленным, воздействует на базу транзистора 1 так, чтобы уменьшить протекающий через него ток до значения, при котором вновь устанавливается балансЕп= У.+ сиТаким образом, устройство защиты осуществляет...

Номер патента: 959098

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Антонов, Васильев, Смык

МПК: G06G 7/02

Метки: выделения, максимального, сигнала

...) 11 вна выходе ОУ 1 устанавливается положительное напряжение, меньшее чем на выходе ОУ 3 и большее, чем на выходе ОУ 2, что обеспечивается равенством коэффициентов передачи ОУ 1 и ОУ 2 и тем, что коэффициент передачи ОУ 3 больше, чем ОУ 1 и ОУ 2.Это доетигается соответствующим выбором величин сопротивлении резисторовж,8 - 14 делителей напряжения. Глубина отрицательной обратной связи для ОУ 1 - 3 выбирается одинаковой. Положительное напряжение с выхода ОУ 3 через верхний 40 диод 4 выборки по максимуму 1,8 и нижний диод 23 выборки по максимуму 17 посту-;.пает на катоды этих диодов, запирая При этом нижний диод 21 выборки и верхний диод 22 выборки 17, поскольку на аноды диодов поступают меньшие по величине 45положительные напряжения, На...

Номер патента: 1249582

Опубликовано: 07.08.1986

Авторы: Азарян, Аревян, Асламазян, Ваганян, Крмоян, Момджян

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающего, памяти, постоянного, типа, трансформаторного, устройства, ячейка

...металлические каркасы 5П-образной формы, выступы 6 каркасов 5, конические концы 7 выступов 6,кодовый жгут 8, разрядные обмотки 9,проводящий слой 10, паз 11,окно 12 и 2 Оокно 13 на выступах 6, перемычки14 и паз 15.Ячейка памяти Функционирует следующим образом.В отверстия 2 основания 1, изготовленного иэ изоляционного материала, устанавливают склеенные клеем немагнитные металлические каркасы 5.Для фиксации установленного в каркасе 5 сердечника 3 с разрядной обмот- уОкой 9 в пазы 11 и 14 и в отверстия2 заливают компаунд, который призамене сердечника 3 легко разрушается и не препятствует установке нового сердечника 3. Таким образом,в предлагаемой ячейке памяти осуществляют быструю замену кодового 82 2жгута на каркасы 5, что...

Номер патента: 1531163

Опубликовано: 23.12.1989

Авторы: Корниенко, Костюк, Кролевец, Невядомский, Омельченко, Сидоренко, Смирнов, Третьяк

МПК: G11C 11/40

Метки: запоминающего, информации, оперативного, памяти, устройства, хранением, энергонезависимым, ячейка

...1 оперативной памяти хранит логический "0", т.е. близкий к нулю потенциал, то ключевые транзисторы 3 и 5 закрыты, и практически все напряжение, приложенное к затвору МНОП- транзистора 4, падает в подложке на области пространственного заряда, и МНОП-транзистор 4 сохраняет свое исходное логическое состояние с низким, например 0,5 В, уровнем порогового напряжения.Ячейка осуществляет обратный пере- .вод информации из энергонезависимойпамяти в оперативную, т.е. производить обратную запись, Для этоговначале через адресный транзистор 2заряжают узел 7 хранения потенциаладо уровня, соответствующего хранениюлогической "1" ( - 5 В), и устанавливают на затворе МНОП-транзистора 4напряжение, величина которого находится внутри его межпороговой...