Запоминающий элемент реверсивного трехтактного
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 364963
Автор: Буденный
Текст
О П И С А Н И Е 364963ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистичесних РеспублинЗависимое от авт. свидетельстваЧ Кл. О 11 с 19/00 Заявлено 29.Ч 1.1967 ( 1170213/18-24) присоединением заявкириоритет Комитет иобретенийри Совете МССС елам ткрытий ДК 681.327.66(088.8) Опубликовано 28,Х 11,1972, Бюллетень5 за 1973 Дата опубликования описания 23.П.1973, Буденный Заявит й ЭЛЕМЕНТ РЕВЕРСИВНОГО ТРЕХТАКТНО РЕГИСТРА СДВИГА ПОМИ напряжения элем сать единицу сл подает импульс, пряжепие элемент бивается, и по тв фузия носителей та 5, на котором ляющая напряже дов к элементу 5 Частота и амплитуда напряжения и емкость конденсаторов выбраны так, чтобы элемент находился в пробивном состоянии неограниченно долго. Для продвижения записанного числа вправо напряжение генератора 4 снимается, и одновременно подается напряжение генератора 7 на шину 2. Затем это напряжение снимается, и подается напряжение с генератора 8 и, наконец, снимается напряжение с генератора 8, и подается снова напряжение с генератора 4. Проводящий элемент сдвигается на три номера вправо. После этого снова может быть записан импульс в первый рабочий элемент 5. Запись с правой стороны регистра проис ходит аналогично, но последовательность ра боты генераторов 4, 7 и 8 должна быть заме Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике.Известен запоминающий элемент памятитрехтактного регистра сдвига, выполненного на полупроводниковой структуре с 5-образной вольтамперной характеристикой,Предложенный запоминающий элемент отличается тем, что в него вместо полупроводникового прибора введен конденсатор, последовательно подключенный к полупроводниковой структуре с 5-образной вольтамперной характеристикой.Это позволяет упростить технологию изготовления реверсивного трехтактного регистра сдвига. На фиг, 1 дана принципиальная схема предложенного устройства; на фиг. 2 - вольтамперная характеристика полупроводниковой структуры; на фиг. 3 - вариант конструктив п ного выполнения регистра сдвига.Регистр содержит три шины 1 - 3. При подаче на шину 1 от генератора 4 высокочастотного питания, те из активных элементов 5, которые связаны конденсаторами б с шиной 1, 25 детектируют высокую частоту, и на них образуется положительная составляющая напряжения (при вольтамперных характеристиках, изображенных на фиг. 2). Напряжение генераторов 4, 7 и 8 выбрано меньше пробивного 30 ентов. Если требуется запиева, то генератор 9 записи больший чем пробивное наа 10, элемент записи 10 прордому телу происходит дифдо первого рабочсго элеменимеется постоянная составшя. Подход носителей заря- вызывает его пробой.364963 Запоминающий элемент реверсивного трехтактного регистра сдвига, выполненный на 5 полупроводниковой структуре с 5-образнойвольтамперной характеристикой в одном направлении напряжения и малым сопротивлением в другом, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, к 10 полупроводниковой структуре последовательно подключен конденсатор, связанный с источником питания, который выполнен в виде генератора пачек импульсов с высокочастотным заполнением. Составитель Л. Мартьяноактор Л, Утехина Техред Л. Богданова Корректоры: ЛКорогод и М. КоробоваИзд.110 Тираж 576 Подписнота по делам изобретений и открытий при Совете Министров ССС Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 аказ 321/4 ЦНИИПИ Комбиография, пр. Сапунова,3иена на последовательность 4, 8, 7, что приводит к сдвигу чисел влево,Считывание чисел слева производится по величине постоянной составляющей напряжения на первом рабочем элементе б в момент, когда подано напряжение с генератора 4, и аналогично справна.На фиг. 3 показано конструктивное выполнение регистра. На контактные площадки активных элементов нанесен изолятор, а затем металлические шины 1 - 8, образующие конденсаторы с контактными площадками, и изолированные между собой. Выводы для записи и считывания нанесены аналогично,4 Предмет изобретения
СмотретьЗаявка
1170213
П. Буденный
МПК / Метки
МПК: G11C 19/36
Метки: запоминающий, реверсивного, трехтактного, элемент
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-364963-zapominayushhijj-ehlement-reversivnogo-trekhtaktnogo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающий элемент реверсивного трехтактного</a>
Элемент памяти для регистра сдвига
Номер патента: 832600
Опубликовано: 23.05.1981
Авторы: Золотаревский, Некрасов
МПК: G11C 19/28
Метки: памяти, регистра, сдвига, элемент
...приходом управляющих сигналовна первую и вторую шины 10 и 11 управления: (на первую шину 10 поступает импульс отрицательной полярности,а на вторую шину 11 - нулевой сигнал), согласующий элемент 4 закрывается и отключает вход третьего инвертора 5 от выхода первого инверто-ра 1 , ключи б и 7 также закрываются и отключают соответственно управляющий и нагрузочный транзисторывторого инвертора 2 от входа первого инвертора 1, а согласующий эле-мент 3 включается, При этом черезоткрытый согласукщий элемент 3 входное напряжение поступает на входпервого инвертора 1 и переводит егов новое логическое состояние илиподтверждает его предыдущее состояние. Так как управляющий и нагрузочный транзисторы второго инвертора 2отключены, то напряжение на...
Функциональный генератор напряжения
Номер патента: 610129
Опубликовано: 05.06.1978
Авторы: Голованов, Нестеров, Орлов
МПК: G06G 7/26
Метки: генератор, функциональный
...сигналы (одиночный импульс и серию иэ Ф импульсов, под действием которых код в регистре 9 удваивается и иэ получившегося числа вычитается числозаписанное в регистре 8, Изменение кода врегистре 9 приводит к тому, что при воздействии каждой следующей последо" вательности из Ч тактовых импульсов изменяется скорость накопления кода сумматором 2 и соответственно скорость нарастания. выходного напряжения преобразователя 3.Для удвоения кода в регистре 9 с первого управляющего выхода Формирователя команд 11 на вход сдвига вправо регистра 9 поступает одинечный импульс. При этом информация в регистре 9 сдвигается на один разряд в сторону старших разрядов, а в младший освобождающийся разряд записывается нуль, для чего на последовательный...
Элемент памяти для регистра сдвига
Номер патента: 706880
Опубликовано: 30.12.1979
МПК: G11C 19/28
Метки: памяти, регистра, сдвига, элемент
...дей- ьр ствия высокого потенциала тактового сигнала на шине 4 открываются транзисторы 1 и 2 и происходит заряд узловых емкостей в точках 6 и 7. По достижении в точке 8 нап ряжения логической 1 открывается транзистор 3 и начинается разряд узловой емкости входа на шину 5, которая в это время находится под потенциалом шины нулевого потенциала. Транзистор 1 закрывается, а на узловой емкости в точке 8 сохраняется напряжение логической 1. По окончании действия высокого потенциала тактового сигнала на шине 4 закрывается транзистор 2, а на выходе элемента памяти (первого) запоминается логическая 1. да первого элемента передается дополнительное напряжение, достаточное для отпирания транзистора 1. При этом происходит разряд емкости точки 8 на...
Элемент памяти для регистра сдвига
Номер патента: 841053
Опубликовано: 23.06.1981
Авторы: Березенко, Вдовиченко, Векшина, Голубев, Фурсин
МПК: G11C 19/28
Метки: памяти, регистра, сдвига, элемент
...двига, содержащий два р-п-р транзистора, эмиттеры которых соединены с шиной питания, коллектор первого р-и-р-транзистора подключен ко входу элемента памяти и к базе и-р-пфгранзистора, эмиттер которого соединен с шийой841053вого регистра, его температурный диапазон работы (от минус 60 до + 125 С).В отличие от известного в предлагаемомэлементе памяти для сдвигового регистра с могут использоваться шунтирующие диодыШоттки, что повышает его частотный диапазон до 20 - 100 мГц. формула изобретения нулевого потенциала, введен диод Шоттки анод которого подключен к базе п-р-и-тран зистора, а катод - к базам р-и-р транзисто ров и к коллектору п-р-п транзистора, коллек тор второго р-п.р транзистора соединен выходом элемента памяти.На чертеже...
Элемент памяти для регистра сдвига
Номер патента: 847373
Опубликовано: 15.07.1981
Авторы: Бычков, Попов, Рыбальченко
МПК: G11C 19/28
Метки: памяти, регистра, сдвига, элемент
...эмиттеры которых подключены к шине тактовых импульсов, коллекторы р-и-р-транзис-торов соединены с первыми коллекторами п-р-и-транзисторов и с информационными входами элемента памяти, вторые коллекторы и-р-п-транзисторовсоединены с выходами элемента памяти, введен диод, анод которого соединен с базами р-п-р-транзисторов,а катод - с шиной нулевого потенциала.На чертеже представлена электрическая схема элемента памяти,Схема содержит два и-р-и-транзистора 1 и 2, два р-и-р-транзистора 7373 Ф 3 и 4, шину 5 нулевого потенциала,шину 6 тактовых импульсов, информационные входы 7 и 8, выходы 9 и 1 О элемента памяти и диод 11.Элемент памяти функционирует сле" дующим образом,При подаче тактового импульса ТИ на эмиттеры...
Предыдущий патент: Запоминающее устройство
Следующий патент: Всесоюзная пат111110-1шяп
Случайный патент: Способ протезирования и формирования клапана желчных путей