Йсесоюзная flltsit-l, tfy”m4: ui а ил i va i, . u (i a4tntiirtagt; amp;

ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕН ИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетоких Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства-Ло 16,38650/26-9) Заявлено 09,111.1 1. Кл. Н с присоединением заявки Ю оритет Комитет по делан аобретений н открытий лри Совете Министров СССРДК 621.373.43(088.8) Опубликовано 13.Х 11,1972. Бюллетень Х за 1973 Дата опубликования описания 29.1,193второбретения В. М, Гребенюк бъединенный институт ядерных исследованийявите УСТРОЙСТВО ВЫДЕЛЕНИЯ НУЛЕВОГО УРСИГНАЛА ОДНОГ 2 етецие относится к области импульсики и может быть использовано в устформирования импульсов от детектоного излучения,тно устройство выделения нулевоговходного сигнала, содержащее двухый дифференциальный транзисторныйь входного сигнала,Изобрцой техройствахров ядерИзвесуровнякаскаднусилител ение 1 енин тем, тора д, а ска первляется повыш ва при сохран Это достигается второго транзис туннельный дио тора второго ка го транзистора на принципиальная 2Оно содержит двухкаскадный дифференциальный транзисторный усилитель входного сигнала, первый каскад которого выполнен на транзисторах 1 и 2, а второй каскад - на транзисторах 3 и 4, переменные резисторы б и 2 б, и туннельный диод 7, Вход транзисторного усилителя входного сигнала соединен с базой транзистора 1, коллектор транзистора 2 подключен к базе транзистора 3. Туннельный диод 7 включен в коллекторную цепь транзисто Целью изобретения я точности работы устройс высокого быстродействия, что в коллекторную цепь первого каскада включен коллектор второго транзи да подключен к базе втор вого каскада.На чертеже изображе схема устройства. ра 2 первого каскада, а коллектор транзистора 4 второго каскада подключен к базе транзистора 2 первого каскада. Порог срабатывания туннельного диода 7 регулируется переменным резистором 5, порог сброса - переменным резистором б. В исходном состоянии транзисторы 1, 2 ц 3 открыты, транзистор 4 - закрыт. Рабочая то 1 ка тунцельного диода 7 смещена на диффузионную ветвь вольтамперной характеристики. При поступлении входного сигнала и нарастании амплитуды его отрицательной части, часть тока, протекающего через транзистор 2, ответвляется в транзистор 1, а рабочая точка туннельного диода спускается по диффузионной ветви характеристики. Прц достижении током через туццельцый диод значения 1 м 1 последний переключается на туннельную ветвь вольтамперной характеристики. Состояние второго каскада изменяется: транзистор 3 закрывается, транзистор 4 открывается и на его коллекторе возникает отрицательный сигнал, амплитуда которого зависит от величины сопрогивления резистора б и тока, протекающего через эмиттерное сопротивление второго каскада. При приложении отрицательного сигнала к базе транзистора 2, часть тока из транзистора 1 ответвляется в транзистор 2, изменяя порог сброса туццельцого диода.362442 Пред м ет изобретения Составигель Г. Челей Редактор Л, Струве Корректор Е, Усова Техред Т. Миронова Заказ 67(18 Изд. Мо 1065 Тираж 403 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Я, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 При уменьшении амплитуды отрицательной части входного сигнала ток, протекающий через транзистор 1, ответвляется в транзистор 2, увеличивая ток, протекающий через туннель- НЫЙ ДИОД, И С ДОСТИЖЕНИЕМ ВЕЛИЧИНЫ 1 макс, последний переключается на диффузионную ветвь вольтамперной характеристики, При этом второй каскад возвращается в исходное состояние, и момент возвращения в это состояние несет информацию о достижении входным сигналом нулевого уровня. Соответствие момента переключения туннельного диода на диффузионную ветвь характеристики моменту прохождения входным сигналом нулевого уровня обеспечивается регулировкой сопротивления переменного резистора б. Устройство выделения нулевого уровнявходного сигнала, содержащее двухкаскадный 5 дифференциальный транзисторный усилительвходного сигнала, вход которого соединен с базой одного из транзисторов первого каскада, а коллектор второго транзистора первого каскада подключен к базе транзистора второ го каскада, отличающееся тем, что, с цельюповышения точности работы при сохранении высокого быстродействия, в коллекторную цепь второго транзистора первого каскада включен туннельный диод, а коллектор второго тран зистора второго каскада подключен к базевторого транзистора первого каскада.