Стробируемый формирователь

ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ п 1) 622199 Союз Советских Социалистических Реслублик(51) М,1 вки М с присоединени Государственнын комитет Совета Министров СССР ло делам изобретенийи открытий(45) Дата опубликования описания 27.07.78 3) УДК 621,374,3(088.8) 72) Авторы изобретения В атавкин, Г. И. Егоров, А. В. Никоненко, Т. И. Кутузова и С, С. фоменко витель 4) СТРОЬИРУЕМЫй ф О ВАТЕЛЬ уемый формироваисторные управляте усилители, коледственно подклтоключевых транзисв стробир жащий транз еренциальнь орых непоср м выходныхДля этог тель, содер ющие дифф лекторы ко чены к база Изобретение относится к импульсной технике и может использоваться в быстродействующих компараторах напряжения,Известен стробируемый формирователь, содержащий выходные ключевые транзисторы, выходные дифференциальные каскады, триггер, защелку, имеет недостаточную точность вследствие неопределенности состояния триггера в момент подачи команды на его срабатывание 11.Наиболее близким техническим решением к изобретению является стробируемый формирователь, содержащий транзисторные управляющие дифференциальные усилители, коллекторы которых непосредственно подключены к базам выходных ключевых транзисторов 2.Однако этот формирователь имеет недостаточное точное быстродействие и не имеет автономных выходов компаратора при подаче строб-сигнала.Целью изобретения является обеспечение автономных выходов компаратора при подаче строб-сигнала и повышение быстродействия,торов, введены вентильные элементы стробирования, каждый из которых дополнительно содержит двухэмиттерный повторитель стробирующего импульса и шунтирующий транзистор, причем база двухэмиттерного повторителя подключена к коллектору инвертирующего транзистора вентиля, один из эмиттеров подключен к базе выходного ключевого транзистора, формирующего уровень логической единицы, второй эмиттер повторителя через резистор подклочен к базе шунтирующего транзистора, эмиттер которого заземлен, а коллектор подключен к базе выходного ключевого транзистора, формирующего уровень логического нуля.На чертеже приведена схема формирователя, на которой показан один из двух аналогичных автономных выходов.Стробируемый формирователь содержитдва управляющих дифференциальных усилителя па транзисторах 1, 2 и 3, 4 выходные ключевые транзисторы 5 и б формирования уровня логической единицы, на первом выходе 7 формирователя выходной ключевой транзистор 8 формирования уровня логического нуля на выходе 7, вентильный элемент стробирования, включающий транзистор 9, инвертирующий транзистор 10, двухэмиттерный транзистор 11, шунти- ЗО рующий транзистор 12, резисторы5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 313 - 18, диоды 19 - 21 и шину 22 стробсигнала. Причем коллекторы транзисторов 1 и 4 подключены к базам соответственно транзисторов 5 и 8, коллектор транзистора 11 непосредственно, а базы транзисторов 9 и 11 и коллектор транзистора 5 соответственно через резисторы 13 - 15 соединены с шиной питания. Шина 22 через диод 19 соединена с общей шиной, а через эмиттер коллекторный переход транзистора 9 - с базой транзистора 10, эмиттер которого через последовательно включенные резистор 16 и диод 20 соединен с общей шиной, а коллектор подключен к базе транзистора 11, первый эмиттер которого через резистор 17 соединен с базой транзистора 12, связанной через диод 21 с общей шинной, а второй эмиттер соединен с базой транзистора 6 и эмиттером транзистора 5, связанным через резистор 18 с общей шиной, соединенной с эмиттерами транзисторов 8 и 12. Коллектор транзистора 12 соединен с базой транзистора 8, соединенного коллектором с выходом 7 и эмиттером транзистора 6, коллектор которого соединен с коллектором транзистора 5.Формирователь работает следующим образом.При отсутствии стробирующего импульса или подаче на шину 22 высокого потенциала, соответствующего уровню логической единицы, выходные транзисторы 5, 6 и 8 коммутируются усиленным дифференциальным сигналом компаратора, снимаемым с коллекторов транзисторов 1 и 4, При подаче на шину 22 низкого потенциала, соответствующего уровню логического нуля, инвертированный и усиленный транзистором 10 стробирующий импульс подается на базу двухэмиттерного транзистора 11, Снимаемый с его эмиттерной нагрузки - транзистора 12 положительный стробирующий сигнал чодается на базу транзистора 6, который, открываясь, формирует уровень логической,единицы независимо от потенциала на коллекторе транзистора 1, подключенного к базе транзистора 5. Резистор 15 ограничивает ток логической единицы. Одновременно положительный стробирующий импульс, снимаемый с резистивно-диодного делителя на резисторе 17 и диоде 21, воздействует на базу шунтирующего транзистора 12, насыщая последний, так что в его коллекторной цепи устанавливается низкий потенциал, отсекающий выходной транзистор 8. На выходе 7 установится уровень логической единицы независимо от уровней потенциалов коллекторных цепей управляющих дифференциальных усилителей.Предлагаемая схема выходного формирователя компаратора исключает прохождение усиленного дифференциального сигнала через транзисторы 9 и 10, что сводит к минимуму задержку переключения при заданном коэффициенте разветвления по выходу; реализует автономное стробирование каждого выхода компаратора, т, е, логический нуль, поданный на шину 22, реализует функцию запрета только по одному выходу 7, не оказывая отрицательного воздействия на комплементный выход компаратора. Формула изобретения Стробируемый формирователь, содержащий транзисторные управляющие дифференциальные усилители, коллекторы которых непосредственно подключены к базам выходных ключевых транзисторов, отлич а ю щ и й с я тем, что, с целью обеспечения автономности выходов компаратора при подаче строб-сигнала и повышения быстродействия, в него введены вентильные элементы стробирования, каждый из которых дополнительно содержит двухэмиттерный повторитель стробирующего импульса и шунтирующий транзистор, причем база двухэмиттерного повторителя подключена к коллектору ипвертирующего транзистора вентиля, один из эмиттеров подключен к базе выходного ключевого транзистора, формирующего уровень логической единицы, второй эмиттер повторителя через резистор подключен к базе шунтирующего транзистора, эмиттер которого заземлен, а коллектор подключен к базе выходного ключевого транзистора, формирующего уровень логического нуля.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Патент США3843934, кл. 330 - 308, 22.10.74.2. Алексеенко А. Г. Основы микросхемотехники. М., Сов. радио, 1976, с. 304.622199 Составитель А. Степан хред О. Тюрина Корректор Е. Хмеле прякова Тираж 1087а Совета Министроий и открытийаушская наб., д. 4 дпнснос Типография, пр. Сапуно едактор А. Куаказ 1511/12НП Изд,605 осударственного компте по делам нзобрете 113035, Москва Ж, Р