С вч-в ар и ко ид

Номер патента: 549287

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Белеменко, Зубов, Ладыжанский, Панибратцев, Шейнкин

МПК: B23K 9/16

Метки: газов, дуговой, защитных, колебаниями, круговыми, мундштук, плавящимся, сварки, среде, токопроводящий, устройству, электрода, электродом

...с наконечником, последние интенсивно изнашиваются и подлежат частой замене,Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство для дуговой сварки, содержащее сварочную головку с вращающимсятокоподводящим мундштуком, имеющим корпус и канал для направления электроднойпроволоки. Сварочная головка имеет выносное газозащитное сопло, выходной каналкоторого направлен на вьшет электрода 3,Такое устройство обеспечивает качественнуюзащиту сварочной ванны и плавящегося электрода. Однако такое устройство не можетобеспечить высокое качество сварных соединений с узкой глубокой разделкой присварке способом фуглом назадф неповоротныхстыков,Целью изобретения является обеспечениевысокого качества сварных соединений...

Номер патента: 167546

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Петров

МПК: H01G 7/06

Метки: свч-вариконд

...в углубление на поверхности кристалла, как показано на чертеже.В качестве параэлектрических материалов предлагается использовать сегнетоэлектрики с фазовым переходом 1 рода при температурах выше точки Кюри (в параэлектрической фа167546 оставитель В. С. Бой актор Н ехред Т, П. Курилко Корректор А, А. Березу ога каз 520,8 Тираж 500 Формат бум. 60 Х 90/8 Объем 0,21 изд. л. Цена 5 копЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 ипография, пр. Сапунова, 2 зе), аптисегетоэлектрики при температурах выше точки Кюри (в параэлектрической фазе), а также вещества, не имеющие перехода в сегнето- или. атисегнетоэлектрическую фазу и при всех температурах, являющиеся пара. электриками (типа...

Номер патента: 463053

Опубликовано: 05.03.1975

Авторы: Кабанов, Придатко

МПК: G01N 25/30

Метки: иглообразных, кристаллов, термо-э, хрупких

...электрический контакт кристаллов с электродами обеспечивается графитовыми вкладышами.На чертеже показано предложенное устройство для измерения термо-э,д.с. кристаллов.Иглообразный кристалл 1 закрепляют в углублениях графитовых стержней 2, установленных в электродах: верхнем алюминиевом 3 и нижнем латунном 4. Электроды имеют трубчатые отводы 5 для крепления и подведения термопар к торцам кристалла. Нижний массивный сборный электрод имеет внутреннюю полость н трубчатые вводы 6 и 7 для подачи воды или другой жидкости с целью изменения перепада температур контактов. Электроды разделены цилиндрическим диэлектриком 8 нз тефлона, который является корпусом устройства и обеспечивает электро- изоляцию в любой атмосфере, даже при высокой...

Номер патента: 1290092

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Мкртчян, Рашкович, Шустин

МПК: G01J 9/02

Метки: кристаллов, растворе, роста, характеристик

...на экран телевизора 11 вточке с наименьшим порядком изображения интерференционной картины. 2Сигнал с фотоприемника усиливают усилителем 13,и регистрируют самописцем 14. Сначала по сигналу с фотоприемника регистрируют период Т изменения порядка освещенности во времени и определяют нормальную скорость роста грани кристалла В из о м лы: фруВгде 9 - длина в олны св ета;- показатель преломления раствора.Затем перемещают фотоприемник с областью постоянной освещенности пер пендикулярно интерференционным полосам и регистрируют скорость Ч движения полосы, а по измерениям расстояния между полосами Й определяют наклон вицинальных холмов Р иэ формулы:Р2 пй Предлагаемый способ позволяет одновременно измерять характеристики роста кристалла твид...

Номер патента: 1624356

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Беккауер, Васев, Крючков

МПК: G01R 27/26

Метки: кристаллов, одноосном, параметров, поле, сжатии, электрическом

...соответственно.Начальная емкость С и сопротивлениеВо кристалла определяют по формулам(7)Из (6) и(7) по известным формулам можноопределить начальную проводимость( оф ) и диэлектричес к, ю и рани цаемость ( г ) образца до начала активного сжатия.".61) 11(эи дэбе л,11 "г 11н Г 1 сэСто:(1 НОл 1 Э,; Ос З С . ",ОЛЕ ( 2 ;9 От ВЕЛИ" И,. (."НС о3ЕН(;11 ПЕ,"ЕЛ 1 Е 11 ного напгя ен 1(я.; Ппс 1 оя(11(ел у( п= 30 . 5 10 1)Тк 11; о -.,.пог.,бз изМЕРЕНИЯ С ПС"1 ОШ О Л 11 П О УС РО( Сгна ПО В О Л Я Е П 1 ,; Р,г С Л;1 т, 01 О Л Н 111 Е Л Ь Н О д 1,лекг и,ес :кэ .1 ро 1111 асл 1 .с 1 нс 11 и те 1 ь 11 ость(- 1, е 1(ср 35;/. и,эо(од(1 мость м гс р 1 а 1 а обрз эцов с чунствительн;1 сть( эп крайней мере до 0,1; НаРЯДУ С В Л 1(И(1 Г й МЕ...