Патенты с меткой «вч-в»

Номер патента: 354481

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Петров

МПК: H01G 7/06

Метки: вч-в

...слукащнй вторым выводом вариконда.Фланец 8 аналогичен фланцам СВЧ-полупроводнисовых диодов, На верхнюю плоскую площадку фланца 8 устанавливают нижним электродом б кристалл 5 параэлестриса (например, пи помощи пайки), Толщина кристалла параэлектрика определяется заданным модулирующим напряжением вариконда, а диаметр его рабочей области - величиной требуемой емкости,5 Одна сторона кристалла параэлектрика,полностью посрыта нижним электродом б,нанесенным методом вжигания, а на другуюсторону нанесен точечный верхний электрод4, площадь которого определяет емкость ва 10 рпконда. Объем параэлектрика, расположенного вокруг верхнего электрода, снятдляуменыпения паразитной емкости, Оставшийся тонкий слой нараэлектрика над нижнимэлестродом б вокруг...