Способ получения силикатных люминофоров

Номер патента: 526651

Опубликовано: 30.08.1976

Авторы: Боев, Глаголева, Минаева

МПК: C09K 11/40

Метки: иттрия, люминофора, основе, фосфат-ванадата

...процессе их работы.Целью изобретения ся повышение термостойкости люмино Это достигается тем, что охлаждение продукта ведут со скоростью 2 - 20 С/мин.Экспериментально было установлено, чтоскорость охлаждения люминофора после вто рого прокаливания влияет на его термостойкость, при этом с уменьшением скорости охлаждения термостойкость люминофора монотонно возрастает. Оптимальная величина скорости охлаждения составляет примерно 0 5 С/мин, так как снижение скорости до 2 -3 С/мин существенно увеличивает время синтеза люминофора.П р и м е р, 7,76 г окиси иттрия, 3,6 г окисиванадия, 3,8 г фосфата лития, 0,7 г окиси ев ропия и 0,5 г азотнокислого натрия смешивают в шаровой мельнице, и полученную шихту прокаливают в печи при 1200 С в течение 2...

Номер патента: 121521

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Кириллова, Колпакова, Пекерман, Шойхет

МПК: C09K 11/73

Метки: кальция, люминофора-галофосфата, приготовления

...прн прокаливании, происходит понижение яркости люминофора.В результате проведенных в лаборатории исследований, проверенных в заводских условиях, найден способ приготовления люминофора - галофосфата кальция, при котором с целью получения мелкодисперсного порошка люминофора к шихте галофосфата кальция перед прокаливанием добавляют 1 - бао крахмала или сахара,Измельчение полученного после прокаливання продукта облегчено и позволяет получать яркий люминофор кондиционного гранулометрнческого состава.П р и м е р. К шихте, состоящей из 1630 г СаНРО 500 г СаСОз, 134 г СаРе 76 г ЯгС 1., 88 г ЯвзОз, 64 г МпСОз добавляют 25 г крахмала. Перед прокаливанием шихту размельчают в течение 6 час. в шаровой мельнице. Прокаливание происходит...

Номер патента: 911106

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Буровой, Веденин, Денисов, Дразе, Ельцин, Крапухина, Лившиц, Янчевский

МПК: F27B 15/18

Метки: кипящем, обжига, процессом, слое

...реагента;Т и Т - соответственно текущееи заданное значения 10температуры кипящегослоя;ЗОВС о - заданное значение содержания продуктов реакциив обжиговых газах; 15К 1 и КО- настроечные коэффициенты.После этого изменяют управляющеевоздействие на величину вычисленнойкоррекции,На чертеже изображена схема, реалиэующая способ.Способ осуществляется следующимобразом.Иэ бункера 1 шихта, а из бункера2 пыли, выносимые иэ печи 3 кипящего слоя, улавливаемые в стояках 4и циклонах 5 и накапливаемые в сборнике 6, иэ которого они направляются н бункер 2, поступают в печь кипящего слоя, Обжиговые газы после 30предварительной очистки направляются при помощи дымососа 7 в электрофильтры. 8, При осуществлении процес-.са обжига непрерывно измеряют...

Номер патента: 1310443

Опубликовано: 15.05.1987

Авторы: Авакян, Копылов, Лазарев, Петросян, Салихов

МПК: C22B 1/10

Метки: кипящем, обжига, остановки, печи, слое, шихты

...пространство печи до полного прекращения подачи дутьевого воздуха осаждают тонкий материал, нагретый до высоких температур. Одновременно прекращают подачу шихты и дутьевого воздуха в форкамеру,Для исключения настылеобраэованиясначала осаждают на подину инертныйниэкотемпературный материал, а затем 50после образования защитного слояосаждают высокотемпературный сульфидный материал, предохраняявоздухораспределительные сопла от сгоранияи исключая настыпеобразование.55 При необходимости остановки печи при отсутствии шихты или профилактике печи сначала снижают температуру 3 2кипящего слоя путем увеличения загрузки шихты в печь или впрыскивания воды в слой до 600-750 С, конкретно определяемой технологическим регламентом. Например, для...

Номер патента: 1057413

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Горбатова, Желнина, Пономарев, Прон, Рыжкин, Шапошникова

МПК: C01B 19/00

Метки: кадмия, селенидов, синтеза, теллуридов, цинка, шихта

...теллурида цинкаОКСИд цЛНКаТеллурНгаг ЕЛЕ Ваткислота ОстальноеДля теллурида кадмияОксидкадмия 27-34Теллур 4ггавелевслякислота Оста.тп ное1 ИХТУ ГотОВЯГ МОКРЬМ ИЛИ СУХИМ способом, При приготовлении шихты качество получаемых селенидов и тел.уридов цинка и кадмия зависит от тшатЕЛЬНОСТИ ГОМОГЕНИЗаЦИИ СМЕСИ компонентов, которая достигается растиранием ее в шарсвой мельнице в течение определенного времени с последующим прокаливанием этой шихты при температурах 400-1100 цС по одно-, или двух-, или трех- и тд. стадийному режиму.Прокаливание шихты проводят под слоем угля илиуглеграфитовой ткани. ц36"38 П р и м е р. 1. Для приготовленияцихты, состоящей из смеси компоненгсзл взятых в следующем соотношении,с.г егс, сОксид цинка 28,41...