Способ термической гидроизоляции поверхности

Номер патента: 944635

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Аникеев, Волков, Горяев, Якубовский

МПК: B01J 47/02

Метки: внутреннюю, капиллярной, колонки, нанесения, поверхность, промежуточного, силикагеля, слоя, хроматографической

...присоединения линииинертного газа и капилляра. Давление на входе в колонку .зависит .отобъема; сосуда. Внутрь устройствапомещают 4,2 г фтористого натрия,2 г тоикорастертого оксида кремнияи. добавляют 5. мл концентрированнойсерной .кислотЫ,В результате химической реакциивыделяется газообразный тетрафто"рид кремния, давление в устройстве составляет 0,1 ИПа. Открывают линиюинертного газа и повышают давление в устройстве с помощью инертного газа 1 азота ) до 0,3 ИПа, т,е, создают 30-ную концентрацию тетрафторида кремния в газовой смеси. При указанных условиях скорость движе944635 Эния газовой смеси через колонку сос":тавляет 6 м/мин, Визуально наблюдают образование белого налета на .,стенках капилляра, граница котора"го перемещается по...

Номер патента: 347536

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Зикно, Чайкин

МПК: F25D 21/04

Метки: инея, образования, охлаждающей, поверхности, предотвращения, слоя

...изобретения дающую повеолюсу источи угому полюс енный вблиз ростатическо иентируют кр потоком цир На чертеже схематично изображена охлаждающая поверхность с экраном, на которой реализуется предложенный способ,Известны способь вания слоя инея на сти преимуществен ках путем применен Целью изобрете экономичности,Для этого охлаж ключают к одному напряжения, а к др чают экран, размещ для создания элект вектору которого ор уносимые затем воздуха.ся способов предотврахлаждающей поверхпов холодильных установрхность подика высокого у - подклюи поверхности го поля, по исталлы инея, кулирующего Охлаждающую поверхнос одному полюсу 2 источника жения, а к другому полю экран 3, размещенный вблиз создания электростатическо ру которого ориентируют кр...

Номер патента: 457020

Опубликовано: 15.01.1975

Авторы: Бережной, Бокатий, Гончаров, Даньшин, Кононенко, Миллер, Подопригора, Шаповалов

МПК: G01N 25/02

Метки: зоне, конвейерной, обжига, окатышей, поверхности, слоя, состояния

...и рег 2ламентируется технологической картой в зависимости от типа концентрата, заданной основности и типа флюсующих добавок, При существующих способах контроля невозможно получать объективную информацию о состоянии поверхности слоя в зоне обжига, что затрудняет ведение процесса в оптимальном режиме.Предлагаемый способ контроля состояния поверхности слоя окатышей в зоне обжига основан на одновременном измерении и сравнении температуры газов под слоем и радиационной температуры слоя, что повышает производительность установки и обеспечивает получение окатышей высокого качества.Истинная температура материала определяется по формуле457020 Тн=Т,+ЛТ,Составитель С. Беловодченко Техред Г. Дворина Корректор Т. Добровольская Редактор Л. Тюрина...

Номер патента: 1099247

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Бабак, Дехтяренко, Резниченко, Соколов

МПК: G01N 11/00

Метки: вязкости, жидкости, модуля, поверхности, слоя, твердой, упругости

...ширины 15зазора между поверхностями от времени поджима 1 на фиг. 3 и фиг. 4 - данные экспериментальных результатов.Устройство содержит прозрачныеобразцы 1 и 2 (пластины, изогнутые в 2 Овиде цилиндров), помещенные в жидкуюсреду 3 и приводимые в контакт путемнагружения образца 1 силой поджимавозникающей при пропускании тока3, измеряемого миллиамперметром 4, 25через динамометр магнитоэлектрической системы (ИЭС) 5, оптический микроскоп 6 для наблюдения контакта образцов 1 и 2 в отраженном свете гелий-иеонового лазера 7, анализатор ЗО8 изображения, сигнал с которого подается на ЭВМ 9.Способ осуществляется следующим образом.Производится формирование адсорб ционных слоев ПАВ на твердой поверхности образцов путем выдержки образцов 1 и 2 в...

Номер патента: 1112407

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Киселев, Орлов, Сидоров, Хавич

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащих, кристаллах, органического, основе, поверхности, полимера, разделительного, рельефом, сглаженным, слоя, формирования

...к деструктуризации токопроводяших аппликаций на основе сплава ал юминий - медь. с уменьшением их устойчивости к токовым импульсам, а также к разрушению ионно-имплантированного доменосодержащего слоя, и вызывает возникновение жестких ЦМД, имеющих поле коллапса существенно большее, чем поле коллапса нормальных ЦМД,Целью изобретения является повышение надежности формирования разделительного слоя путем снижения температуры термообработки.40Поставленная цель достигается тем, что согласно способу формирования разделигельного слоя со сглаженным рельефом поверхности на основе органического полимерадоменосодержаших кристаллах, основанному на нанесении органического полимера на доменосодержащий слой путем центрифугирования и последующей...