Способ предотвращения образования слоя инея на охлаждающей поверхности

Номер патента: 889116

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Григорьев, Кислицын, Кислицына

МПК: B05B 1/08

Метки: жидкости, потоков, пульсирующих, создания

...изобретения на боковой поверхности и расположенный внутри камеры полый вал, на выход- ном конце которого закреплена втулка с тангенциальными каналами, сообщающимися с полостью вала и атмосферой, снабжено расположенным в цилиндрической камере прорезиненным прижим" ным роликом, эксцентрично закрепленным на полом валу.На фиг, 1 изображено устройство, е общий вид; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг.1, на фиг. 3 - разрез Б-Б на фиг.1.Устройство для создания пульсирующих потоков жидкости содержит цилинд- д рическую камеру 1 с рядом выпускных огверстий 2 в боковых стенках, обрези" нвнный ролик 3, эксцентрично насаженный на полом валу М, втулку 5, с тангенциальными каналами 6, сообщающимися с полостью вала и атмосферой и штуцер 7.Устройство...

Номер патента: 457020

Опубликовано: 15.01.1975

Авторы: Бережной, Бокатий, Гончаров, Даньшин, Кононенко, Миллер, Подопригора, Шаповалов

МПК: G01N 25/02

Метки: зоне, конвейерной, обжига, окатышей, поверхности, слоя, состояния

...и рег 2ламентируется технологической картой в зависимости от типа концентрата, заданной основности и типа флюсующих добавок, При существующих способах контроля невозможно получать объективную информацию о состоянии поверхности слоя в зоне обжига, что затрудняет ведение процесса в оптимальном режиме.Предлагаемый способ контроля состояния поверхности слоя окатышей в зоне обжига основан на одновременном измерении и сравнении температуры газов под слоем и радиационной температуры слоя, что повышает производительность установки и обеспечивает получение окатышей высокого качества.Истинная температура материала определяется по формуле457020 Тн=Т,+ЛТ,Составитель С. Беловодченко Техред Г. Дворина Корректор Т. Добровольская Редактор Л. Тюрина...

Номер патента: 139022

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Зинченко, Моторненко

МПК: H01J 29/74

Метки: вакууме, высоком, ионной, потока, фокусировки, электронного

...Вследствие уменьшения осевой скорости электронов их плотность на единицу длины пучка увеличивается. С другой стороны, вероятность ионизации молекул остаточных газов по мере уменьшения величины осевого потенциала возрастает и, как известно, имеет максимум при потенциале 1=100 в для азота.В силу этих причин при определенном градиенте осевого потенциала может иметь место полная нейтрализация отрицательного заряда в каждом поперечном сечении пучка.При оптимальном угле инжекции пучка в пространство с замедляющим полем можно получить пучок цилиндрической формы,139022 Предмет изобретения Способ ионной фокусировки электронного потока при высоком вакууме, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью упрощения электронно-оптических систем,...

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 679856

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Борман, Бутуев, Николаев, Троян

МПК: G01N 25/00

Метки: образца, поверхности, слоя, состава, хемосорбированного

...расстоянии Ь от холодной поверхности, удов.летворяющсм условиюЦд10-,где д - характерный размер образца (например,диаметр),Затем прикладывают в области теплообменаобразца магнитное поле, величину которого изменяют и по изменению теплового потока от образца судят о составе хемосорбированного слоя.Способ позволяет проводить исследования винтервале температур 87-1000 О К,Способ поясняется на следующем примере.Помещенный в вакуумную камеру образец. в виде напыленного на поверхности слюды слоязолота с хемосорбированным на нем газом СОнагревают током 0,1 А, При этом вакуумную камеру заполняют газом, например азотом, до давпения 10- мм рт,ст.Кроме этого к напускаемому газу предъявля.ется следующее требование: на поверхности исследуемого...